專利名稱：直穿式抗輻照x光數(shù)字相機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種X光數(shù)字相機(jī)，尤其是涉及一種直穿式抗輻照X光數(shù)字相機(jī)。
背景技術(shù)：
X光數(shù)字相機(jī)是用于X光輻射照相的探測設(shè)備，與X光源配套，它接收并轉(zhuǎn)換、處理包含了待測樣品信息的X光，得到與待測樣品對應(yīng)的數(shù)字圖像，從而得到待測樣品的缺陷、密度等信息。目前，市場上銷售的X光數(shù)字相機(jī)通常采用的是第一光纖錐耦合的方式，如
圖1所示，在第一光纖錐2端面蒸鍍一層閃爍體膜層1，并將第一光纖錐2的另一端面與可見光數(shù)字相機(jī)4的CCD芯片3耦合。這種方式比較緊湊，效率較高，但由于對X光防護(hù)的不足，不適合用于X光能量較高的場合。采用折轉(zhuǎn)式結(jié)構(gòu)可減小較高能量X光直接照射在數(shù)字相機(jī)芯片和周邊電路上防止數(shù)字相機(jī)硬件損傷以及由此帶來的大量的白斑圖像噪聲，從而可用于較高能量的X光照相，如圖2所示。閃爍體21將X光轉(zhuǎn)換為可見光，可見光由反射鏡23反射90度后再由第一成像鏡頭24成像至可見光數(shù)字相機(jī)4。屏蔽暗箱22起隔離環(huán)境雜散光的作用。折轉(zhuǎn)式結(jié)構(gòu)雖可應(yīng)用于較高能量的X光數(shù)字照相，但這種結(jié)構(gòu)使系統(tǒng)結(jié)構(gòu)變得不夠緊湊，且應(yīng)用不夠靈活。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中第一光纖錐耦合X光數(shù)字相機(jī)適用X光能量范圍窄和折轉(zhuǎn)式X光數(shù)字相機(jī)結(jié)構(gòu)不緊湊的問題，本實(shí)用新型提供一種直穿式抗輻照X光數(shù)字相機(jī)，使得本裝置結(jié)構(gòu)緊湊并且可用于能量范圍較寬X光照相的數(shù)字相機(jī)，同時也可用于X光能量較高的X光照相機(jī)。進(jìn)一步解決的問題是本裝置使得靈敏度進(jìn)一步加強(qiáng)。本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下一種直穿式抗輻照X光數(shù)字相機(jī)，包括閃爍體21、第一成像鏡頭24、相機(jī)外殼31、第一鏡頭卡口 33、可見光數(shù)字相機(jī)4、X光防護(hù)玻璃32,所述閃爍體21置于相機(jī)外殼23內(nèi)壁一側(cè)，所述第一成像鏡頭24通過第一鏡頭卡口 33與可見光數(shù)字相機(jī)4連接并放置于相機(jī)外殼23內(nèi)壁另一側(cè),所述可見光數(shù)字相機(jī)4置于相機(jī)外殼31內(nèi)壁側(cè),第一成像鏡頭24置于閃爍體21 —側(cè),所述X光防護(hù)玻璃32放置于閃爍體21與第一成像鏡頭24之間。所述閃爍體21與可見光數(shù)字相機(jī)4通過第一成像鏡頭24滿足光學(xué)成像關(guān)系，滿足公式(2):1 I I- + -T= —(2)
LLj其中￡表示閃爍體21表面到第一成像鏡頭24主面的距離；t表示可見光數(shù)字相機(jī)芯片到第一成像鏡頭24主面的距離；/表示第一成像鏡頭24的焦距。所述閃爍體21材料是碘化銫晶體、摻鉈碘化銫蒸鍍屏、硅酸釔镥晶體、硅酸镥晶體、硫氧化釓型增感屏或鍺酸鉍晶體。所述X光防護(hù)玻璃32是牌號ZFl ZF14的重火石玻璃。所述重火石玻璃的厚度在cm量級，在體積、重量、可見光透過率條件允許的情況下，增加重火石玻璃的厚度以更有效地衰減X光。直穿式抗輻照X光數(shù)字相機(jī)還包括影像增強(qiáng)器，所述影像增強(qiáng)器設(shè)置于第一成像鏡頭24與可見光數(shù)字相機(jī)4之間，第一成像鏡頭24通過第二鏡頭卡口與影像增強(qiáng)器連接，影像增強(qiáng)器通過第二光纖錐耦合至可見光數(shù)字相機(jī)4。所述影像增強(qiáng)器設(shè)置于第一成像鏡頭24與可見光數(shù)字相機(jī)4之間，第一成像鏡頭24通過第二鏡頭卡口與影像增強(qiáng)器連接，所述影像增強(qiáng)器通過第二成像鏡頭耦合至可見光數(shù)字相機(jī)4，影像增強(qiáng)器的熒光屏與可見光數(shù)字相機(jī)4通過第二成像鏡頭滿足光學(xué)成像關(guān)系。滿足公式(2)
權(quán)利要求1.一種直穿式抗輻照X光數(shù)字相機(jī)，包括閃爍體、第一成像鏡頭、相機(jī)外殼、第一鏡頭卡口、可見光數(shù)字相機(jī)，其特征在于還包括X光防護(hù)玻璃，所述閃爍體置于相機(jī)外殼內(nèi)壁一側(cè)，所述第一成像鏡頭通過第一鏡頭卡口與可見光數(shù)字相機(jī)連接并放置于相機(jī)外殼內(nèi)壁另一側(cè)，所述可見光數(shù)字相機(jī)4置于相機(jī)外殼內(nèi)壁側(cè)，第一成像鏡頭置于閃爍體一側(cè)，所述X 光防護(hù)玻璃放置于閃爍體與第一成像鏡頭之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直穿式抗輻照X光數(shù)字相機(jī)，其特征在于所述閃爍體與可見光數(shù)字相機(jī)4通過第一成像鏡頭滿足光學(xué)成像關(guān)系，滿足公式
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的直穿式抗輻照X光數(shù)字相機(jī)，其特征在于所述閃爍體材料是碘化銫晶體、摻鉈碘化銫蒸鍍屏、硅酸釔镥晶體、硅酸镥晶體、硫氧化釓型增感屏或鍺酸鉍晶體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的直穿式抗輻照X光數(shù)字相機(jī)，其特征在于所述X光防護(hù)玻璃是牌號ZFl ZF14的重火石玻璃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直穿式抗輻照X光數(shù)字相機(jī)，其特征在于還包括影像增強(qiáng)器， 所述影像增強(qiáng)器設(shè)置于第一成像鏡頭與可見光數(shù)字相機(jī)之間，第一成像鏡頭通過第二鏡頭卡口與影像增強(qiáng)器連接，影像增強(qiáng)器通過第二光纖錐耦合至可見光數(shù)字相機(jī)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的直穿式抗輻照X光數(shù)字相機(jī)，其特征在于所述影像增強(qiáng)器設(shè)置于第一成像鏡頭與可見光數(shù)字相機(jī)之間，第一成像鏡頭通過第二鏡頭卡口與影像增強(qiáng)器連接，所述影像增強(qiáng)器通過第二成像鏡頭耦合至可見光數(shù)字相機(jī)，影像增強(qiáng)器的熒光屏與可見光數(shù)字相機(jī)通過第二成像鏡頭滿足光學(xué)成像關(guān)系，滿足公式(2)其中u表示影像增強(qiáng)器的熒光屏表面到第二成像鏡頭主面的距離 < 表示可見光數(shù)字相機(jī)芯片到第二成像鏡頭主面的距離*表示第二成像鏡頭的焦距。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種X光數(shù)字相機(jī)，尤其是涉及一種直穿式抗輻照X光數(shù)字相機(jī)。一種直穿式抗輻照X光數(shù)字相機(jī)，包括閃爍體、第一成像鏡頭、相機(jī)外殼、第一鏡頭卡口、可見光數(shù)字相機(jī)、X光防護(hù)玻璃，所述閃爍體置于相機(jī)外殼內(nèi)壁一側(cè)，所述第一成像鏡頭通過第一鏡頭卡口與可見光數(shù)字相機(jī)連接并放置于相機(jī)外殼內(nèi)壁另一側(cè)，所述可見光數(shù)字相機(jī)置于相機(jī)外殼內(nèi)壁側(cè)，第一成像鏡頭置于閃爍體一側(cè)，所述X光防護(hù)玻璃放置于閃爍體與第一成像鏡頭之間。本裝置是針對現(xiàn)有技術(shù)中問題，提供一種使得本裝置結(jié)構(gòu)緊湊并且可用于能量范圍較寬X光照相的數(shù)字相機(jī)，同時也可用于X光能量較高的X光照相機(jī)。本實(shí)用新型主要應(yīng)用于X光數(shù)字相機(jī)設(shè)計(jì)領(lǐng)域。
文檔編號G03B42/02GK202886833SQ20122052159
公開日2013年4月17日 申請日期2012年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月12日
發(fā)明者程晉明, 祁雙喜, 錢偉新, 曹宇東, 王偉, 劉冬兵, 王婉麗, 李澤仁 申請人:中國工程物理研究院流體物理研究所