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液晶顯示裝置的制作方法

文檔序號:2690529閱讀:137來源:國知局
專利名稱:液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本文所描述的實施例大體上涉及液晶顯示裝置。
背景技術(shù)
液晶顯示裝置配備有一對相互面對的襯底和保持在其間的液晶層。該對襯底由密封材料附接,該密封材料設(shè)置為使得該密封材料圍繞含有以矩陣形狀設(shè)置的顯示像素的有源區(qū)。液晶層保持在由該對襯底之間的密封材料所圍繞的區(qū)域中。通過多個工藝來制造液晶顯示裝置,諸如形成第一襯底的工藝、形成第二襯底的工藝、以及附接第一襯底和第二襯底的工藝等。當(dāng)在制造工藝期間或制造之后將靜電施加到形成在襯底中的電導(dǎo)體時,導(dǎo)體或樹脂層可能會被靜電擊穿。因此,存在降低顯示裝置的制造成品率和可靠性的可能性。另一方面,在液晶顯示裝置中,近年來希望通過設(shè)定較小的襯底之間的間隙來使液晶層更薄,從而改善高速響應(yīng)和視角特性。此外,還希望通過使圍繞有源區(qū)的邊框變窄來使外形尺寸變小。因此,研究在使密封材料的寬度變窄的同時使從密封材料到有源區(qū)的距離變短。存在如果所形成的密封材料的寬度較小則會減小密封材料阻擋雜質(zhì)從外部進入到液晶層中的功能的可能性。當(dāng)所制造的液晶層較薄且受雜質(zhì)污染時,存在由于襯底之間產(chǎn)生的電勢差使得電流在液晶層中流動、以及液晶層周圍的導(dǎo)電層和樹脂層被腐蝕的可能性。


并入本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實施例,并連同以上所給出的大體描述和以下所給出的實施例的詳細描述一起用于說明本發(fā)明的原理。圖1是示意性地示出根據(jù)實施例的液晶顯示裝置及其等效電路的結(jié)構(gòu)的示圖。圖2是示出根據(jù)第一實施例的圖1中所示的液晶顯示裝置的短路環(huán)(short ring)電路的結(jié)構(gòu)的示圖。圖3是示意性地示出沿圖2中的線II1-1II所截取的陣列襯底的截面圖的示圖。圖4是示出根據(jù)第二實施例的液晶顯示裝置的短路環(huán)電路的結(jié)構(gòu)的示圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的液晶顯示裝置,其中相同或相似的附圖標(biāo)記表示貫穿若干視圖的相同或相應(yīng)的部分。
根據(jù)一個實施例,液晶顯示裝置包括:陣列襯底,其包括由以矩陣設(shè)置的多個像素電極形成的有源區(qū)、從所述有源區(qū)引出的第一配線、和設(shè)置在所述有源區(qū)的外周部中的短路環(huán)電路;對向襯底,其面對所述陣列襯底設(shè)置并且包括面對所述像素電極的共用電極;以及液晶層,其保持在所述陣列襯底與所述對向襯底之間;其中所述短路環(huán)電路包括:第一電極,其形成在與所述第一配線相同的層中;半導(dǎo)體層,其在所述第一電極上;第二電極,所述第二電極的一部分通過第一絕緣層與所述第一電極面對,并且所述第二電極設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上;第三電極,設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上且在與所述第二電極相同的層中,并且所述第一電極包括設(shè)置在所述第二電極下的切口部。圖1是示意性地示出根據(jù)實施例的液晶顯示裝置及其等效電路的結(jié)構(gòu)的示圖。液晶顯示裝置配備有有源矩陣型液晶顯示面板LPN。液晶顯示面板LPN配備有作為第一襯底的陣列襯底AR、作為面對陣列襯底AR的第 襯底的對向襯底CT、和保持在其間的液晶層LQ。液晶顯不面板LPN配備有顯不圖像的有源區(qū)AA。有源區(qū)AA由以(mXn)矩陣形狀設(shè)置的多個像素PX構(gòu)成(在這里,“m”和“n”是正整數(shù))。液晶顯示面板LPN在有源區(qū)AA中配備有“n”條柵極線GL (GL(I) _GL(n)),“m”條源極線SL (SL(I) -SL(m))等。例如,柵極線GL在第一方向X上成直線地延伸。柵極線GL依次沿與第一方向X正交相交的第二方向Y設(shè)置。源極線SL與柵極線GL交叉。源極線SL在第二方向Y上成直線地延伸。柵極線GL和源極線SL不一定成直線地延伸,其一部分也可以部分地彎曲。將每一柵極線GL引出到有源區(qū)AA的外部并且連接到柵極驅(qū)動器⑶。將每一源極線S引出到有源區(qū)AA的外部并且連接到源極驅(qū)動器SD。柵極驅(qū)動器GD和源極驅(qū)動器SD的至少一部分形成在陣列襯底AR中,例如,與配備有控制器的驅(qū)動器IC芯片12連接。驅(qū)動IC芯片12向柵極驅(qū)動器GD輸出諸如時鐘信號和水平同步信號等控制信號,并且向源極驅(qū)動器SD輸出諸如時鐘信號和垂直同步信號等控制信號以及圖像信號。將控制信號和圖像信號通過連接焊盤ro從外部輸入到驅(qū)動器IC芯片12。每一像素PX配備有開關(guān)元件SW、像素電極PE、共用電極CE等。另外,在根據(jù)本實施例的液晶顯示面板LPN中,當(dāng)像素電極PE形成在陣列襯底AR中時,共用電極CE形成在對向襯底CT中,并且利用形成在像素電極PE與共用電極CE之間的電場來切換液晶層LQ的液晶分子。開關(guān)元件SW由n溝道型薄膜晶體管(TFT)形成,并與柵極線GL和源極線SL電連接。開關(guān)元件SW配備有由多晶硅或非晶硅形成的半導(dǎo)體層。此外,開關(guān)元件SW可以是頂柵型和底柵型中的任一種。像素電極PE設(shè)置在每一像素PX中,并且與開關(guān)元件SW電連接。共用電極CE設(shè)置成通過液晶層LQ為多個像素PX的像素電極PE所共用。雖然像素電極PE和共用電極CE由諸如氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)等具有光透射特性的導(dǎo)電材料形成,但是它們也可以根據(jù)液晶顯示裝置的顯示模式由諸如鋁、銀、鑰、鋁、鎢和鈦及其合金等其它金屬材料形成。在陣列襯底AR中,后面將要提到的短路環(huán)電路SR設(shè)置在有源區(qū)AA的周邊區(qū)域中的有源區(qū)AA與柵極驅(qū)動器GD之間以及有源區(qū)AA與源極驅(qū)動器SD之間。短路環(huán)電路SR設(shè)置在圍繞密封材料10的區(qū)域內(nèi)。此外,陣列襯底AR配備有共用配線C0M,共用配線COM設(shè)置為使得共用配線COM在有源區(qū)AA的周邊區(qū)域中圍繞有源區(qū)AA。共用配線COM與連接焊盤TO電連接。將共用電壓從外部通過連接焊盤ro提供到共用配線COM。共用電極CE設(shè)置為面對有源區(qū)AA中的多個像素電極PE,并通過導(dǎo)電部件(未示出)與陣列襯底AR中的共用配線COM電連接。圖2是示出根據(jù)第一實施例的圖1中所示的液晶顯示裝置的短路環(huán)電路SR的結(jié)構(gòu)的示圖。圖2示出了設(shè)置在柵極線GL從有源區(qū)AA延伸到柵極驅(qū)動器GD的路徑中的短路環(huán)電路SR。短路環(huán)電路SR包括分別控制靜電能量的第一電路SR1、第二電路SR2、第三電路SR3和第四電路SR4。第一電路SRl至第四電路SR4分別具有柵極電極(第一電極)GE、設(shè)置在柵極電極GE上的半導(dǎo)體層SC、以及設(shè)置在半導(dǎo)體層SC上的源極電極(第二電極)SE和漏極電極(第三電極)DE。第一電路SRl的柵極電極GE與柵極線GL電連接或一體地形成。第一電路SRl的源極電極SE與第四電路SR4的漏極電極DE電連接或一體地形成。第一電路SRl的漏極電極DE與第二電路SR2的源極電極SE電連接或一體地形成,并且其一部分設(shè)置在第二電路SR2的柵極電極GE上。第二電路SR2的漏極電極DE與共用配線COM電連接或一體地形成。第二電路SR2的柵極電極GE和源極電極SE分別從構(gòu)成第二電路SR2的開關(guān)晶體管延伸,以便遠離開關(guān)晶體管相互交叉。第二電路SR2的源極電極SE (第一電路SRl的漏極電極DE)與第二電路SR2的柵極電極GE重疊。在該交叉部中,第二電路SR2的柵極電極GE具有設(shè)置在第二電路SR2的源極電極SE(第一電路SRl的漏極電極DE)的邊緣下的切口部RE。即,第二電路SR2的柵極電極GE的邊緣與第二電路SR2的源極電極SE (第一電路SRl的漏極電極DE)的邊緣交叉。如圖3中所示,切口部RE設(shè)置在第二電路SR2的源極電極SE的邊緣通過絕緣層LI面對第二電路SR2的柵極電極GE的邊緣處。從開關(guān)晶體管延伸的第三電路SR3的柵極電極GE —部分設(shè)置在共用配線COM下以便交叉。第三電路SR3的源極電極SE與共用配線COM電連接或一體地形成。當(dāng)?shù)谌娐稴R3的漏極電極DE與第四電路SR4的源極電極SE電連接或一體地形成時,第三電路SR3的漏極電極DE (第四電路SR4的源極電極SE)的一部分設(shè)置在第四電路SR4的柵極電極GE上以便交叉。第三電路SR3的柵極電極GE設(shè)置有切口部RE,該切口部RE在通過絕緣層LI與該柵極電極GE的邊緣交叉的共用配線COM的邊緣下。 從開關(guān)晶體管延伸的第四電路SR4的柵極電極GE的一部分設(shè)置在第四晶體管SR4的源極電極SE下以便交叉。第四電路SR4的柵極電極GE設(shè)置有切口部RE,該切口部RE在通過絕緣層LI與該柵極電極GE的邊緣交叉的第四電路SR4的源極電極SE的邊緣下。第四電路SR4和第一電路SRl設(shè)置在柵極線GL的兩側(cè),并且第四電路SR4的漏極電極DE和第一電路SRl的源極電極SE在與柵極線GL相交的方向上延伸。柵極線GL具有設(shè)置在第一電路SRl的源極電極SE (第四電路SR4的漏極電極DE)的邊緣下的切口部RE。切口部RE形成在第一電路SRl的源極電極SE的邊緣通過絕緣層LI與第一電路SRl的柵極電極GE的邊緣交叉的位置中。另外,在圖2中所示的短路環(huán)電路SR中,雖然以三角形形狀去除了柵極電極GE的一部分以形成切口部RE,并且在圖2中所示的短路環(huán)電路SR中以山形壓低了該柵極電極GE的一部分,但是切口部RE的形式并不限于此。圖3是示出沿圖2中的線II1-1II所截取的陣列襯底AR的截面的示例的示圖。陣列襯底AR具有透明絕緣襯底14。柵極線GL設(shè)置在透明絕緣襯底14上。切口部RE形成在柵極線GL的邊緣處。絕緣層LI設(shè)置在柵極線GL上,并且第一電路SRl的源極電極SE(第四電路SR4的漏極電極DE)設(shè)置在絕緣層LI上。即,形成了絕緣層LI的階梯部。絕緣層L2設(shè)置在第一電路SRl的源極電極SE (第四電路SR4的漏極電極DE)上。例如,絕緣層LI和L2由氮化硅層或抗蝕劑層形成。沿其中設(shè)置有切口部RE的柵極線GL的邊緣,絕緣層LI的厚度變薄。因此,柵極線GL的邊緣與第一電路SRl的源極電極SE之間的絕緣層LI變薄。在這里,當(dāng)靜電從柵極驅(qū)動器GD側(cè)施加到柵極線GL時,由于靜電的能量大,所以通過擊穿絕緣層LI變薄的切口部RE周圍的絕緣層LI,使得柵極線GL與第一電路SRl的源極電極SE電連接。在切口部RE中,由于柵極線GL的壓低的形狀所致,加強了柵極線GL與第一電路SRl的源極電極SE之間的電場。由于由靜電的電壓被施加到第一電路SRl的柵極電極GE,使得第一電路SRl的源極電極SE和漏極電極DE通過半導(dǎo)體層SC電連接。因此,靜電從第一電路SRl的源極電極SE流到漏極電極DE。當(dāng)被施加到第一電路SRl的漏極電極DE的靜電仍然具有大的能量時,通過擊穿形成在第二電路SR2的柵極電極GE的邊緣中的切口部RE周圍的絕緣層LI,使得第二電路SR2的源極電極SE (第一電路SRl的漏極電極DE)與第二電路SR2的柵極電極GE電連接。相應(yīng)地,因為第一電路SRl的漏極電極DE與第二電路SR2的源極電極SE電連接,所以利用施加到柵極電極GE的電壓,使靜電通過半導(dǎo)體層SC從第二電路SR2的源極電極SE施加到漏極電極DE。靜電從第二電路SR2的源極電極SE流到漏極電極DE。由于第二電路SR2的漏極電極DE與共用配線COM電連接,所以通過第二電路SR2的靜電被施加到共用配線COM。由于與其它配線相比,共用配線COM的配線寬度較寬且其電容較大,所以即使在施加了靜電的情況下,也很難損壞共用配線COM。因此,共用配線COM連接到短路環(huán)電路SR。當(dāng)靜電從共用配線COM側(cè)施加到短路電路SR時,通過擊穿在共用配線COM的邊緣下的第三電路SR3的柵極電極GE的邊緣處形成的切口部RE周圍的絕緣層LI,使共用配線COM與第三電路SR3的柵極電極GE電連接。然后,利用施加到柵極電極GE的電壓,使第三電路SR3的源極電極SE和漏極電極DE通過半導(dǎo)體層SC電連接。由于共用配線COM與第三電路SR3的源極電極SE電連接,所以靜電從第三電路SR3的源極電極SE流到漏極電極DE0當(dāng)施加到第三電路SR3的漏極電極DE的靜電仍然具有大的能量時,通過擊穿在第四電路SR4的源極電極SE的邊緣下的柵極電極GE的邊緣處形成的切口部RE周圍的絕緣層LI,使第四電路SR4的源極電極SE與柵極電極GE電連接。由此,利用施加到柵極電極GE的電壓,使第四電路SR4的源極電極SE和漏極電極DE通過半導(dǎo)體層SC電連接。由于第三電路SR3的漏極電極DE與第四電路SR4的源極電極SE電連接,所以靜電從第四電路SR4的源極電極SE流到漏極電極DE。
當(dāng)施加到第四電路SR4的漏極電極DE的靜電仍然具有大的能量時,在形成在柵極線GL的邊緣處的切口部RE周圍,通過擊穿絕緣層LI,使第一電路SRl的源極電極SE與柵極線GL電連接。如上所述,靜電被按順序施加到第一電路SRl和第二電路SR2,并且控制了靜電的能量。因此,可以避免形成在有源區(qū)AA中的導(dǎo)電層、樹脂層等被靜電損壞。此外,已知施加到電極的靜電沿電極的表面流動。因此,期望沿切口部RE的電極的邊緣與設(shè)置在其上的電極的邊緣交叉。根據(jù)如上所述的短路環(huán)電路SR,可以在不使用設(shè)置在與像素電極PE相同的層中的導(dǎo)電層的情況下形成短路環(huán)電路SR,并且可以防止由混入液晶層LQ中的雜質(zhì)造成的電路的腐蝕。即,由于根據(jù)本實施例的液晶顯示裝置中的短路環(huán)電路SR覆蓋有絕緣層L2并且不接觸液晶層LQ,所以即使在液晶層LQ中混入雜質(zhì)的情況下,也會防止腐蝕。因此,根據(jù)本實施例,可以提供一種可靠的液晶顯示裝置而不降低制造成品率。另外,上述短路環(huán)電路SR可以由形成在與柵極線GL和源極線SL相同的層中的導(dǎo)電層形成,并且絕緣層LI和L2設(shè)置在導(dǎo)電層之間。因此,不需要準(zhǔn)備額外的制造工藝來形成短路環(huán)電路SR。接著,參照附圖詳細說明根據(jù)第二實施例的液晶顯示裝置。另外,在以下說明中,對于與上述第一實施例的液晶顯示裝置相同的組成,采用相同的附圖標(biāo)記,并省略其說明。圖4是示出根據(jù)第二實施例的液晶顯示裝置的短路環(huán)電路的結(jié)構(gòu)的示圖。根據(jù)本實施例的短路環(huán)電路SR包括第一電路SRl至第四電路SR4。第二電路SR2的柵極電極GE包括從在第二電路SR2的源極電極SE(第一電路SRl的漏極電極DE)的邊緣下的柵極電極GE的邊緣向基本上平行于襯底表面的方向以山形突出的凸部PR。凸部PR形成在第二電路SR2的源極電極SE和柵極電極GE的邊緣通過絕緣層LI相互交叉的位置處。凸部PR延伸到柵極電極GE的外側(cè)。S卩,第二電路SR2的源極電極SE和柵極電極GE包括通過絕緣層LI互相面對的部分,并且凸部PR從面對的部分超越源極電極SE的邊緣向外側(cè)突出。第三電路SR3的柵極電極GE包括從共用配線COM的邊緣下的部分在基本上平行于襯底表面的方向上以山形突出的凸部PR。凸部PR形成在共用配線COM的邊緣和第三電路SR3的柵極電極GE的邊緣通過絕緣層LI相互交叉的位置處。凸部PR向柵極電極GE的外側(cè)突出。S卩,共用配線COM和第三電路SR3的柵極電極GE包括通過絕緣層LI相互面對的部分,并且凸部PR從面對的部分超越共用配線COM的邊緣向外側(cè)突出。第四電路SR4的柵極電極GE包括從其在第四電路SR4的源極電極SE (第三電路SR3的漏極電極DE)下的部分在基本上平行于襯底表面的方向上以山形突出的凸部PR。凸部PR形成在第四電路SR4的源極電極SE和柵極電極GE的邊緣通過絕緣層LI相互交叉的位置處。凸部PR向柵極電極GE的外側(cè)突出。S卩,第四電路SR4的源極電極SE和柵極電極GE包括通過絕緣層LI相互面對的部分,并且凸部PR從面對的部分超越源極電極SE的邊緣向外側(cè)突出。柵極線GL包括從第一電路SRl的源極電極SE (第四電路SR4的漏極電極DE)下的邊緣向基本上平行于襯底表面的方向以山形突出的凸部PR。
凸部PR形成在第一電路SRl的源極電極SE和柵極電極GE的邊緣相互交叉的柵極線GL的邊緣處,并且從柵極電極GE的邊緣向外側(cè)突出。即,第一電路SRl的源極電極SE和柵極線GL包括通過絕緣層LI相互面對的部分,并且凸部PR從柵極線GL面對源極電極SE的面對的部分超越源極電極SE的邊緣向外側(cè)突出。如上所述,在根據(jù)本實施例的液晶顯示裝置中,設(shè)置凸部PR來代替第一實施例中的液晶顯示裝置的短路環(huán)電路SR的切口部RE。除了這一點以外,在根據(jù)本實施例的液晶顯示裝置中,其結(jié)構(gòu)與上述第一實施例的結(jié)構(gòu)相同。此外,在提供凸部PR代替切口部RE的情況下,沿其中設(shè)置了凸部RE的電極的邊緣,絕緣層LI的厚度變薄。即,形成了絕緣層LI的階梯部。相應(yīng)地,在柵極電極GE的邊緣與形成在柵極電極GE上的源極電極SE或漏極電極DE之間的絕緣層LI變薄。因此,類似于上述第一實施例,當(dāng)具有大能量的靜電被施加到柵極線GL或共用配線COM時,由短路環(huán)電路SR的第一電路SRl至第四電路SR4 —個接一個地控制靜電。由此,可以避免設(shè)置在有源區(qū)AA中的導(dǎo)電層、樹脂層等被靜電損壞。此外,已知被施加到電極的靜電沿電極的表面流動。因此,期望沿凸部PR的電極的邊緣與設(shè)置在其上的電極的邊緣交叉。根據(jù)本實施例,可以在不降低制造成品率的情況下提供可靠的液晶顯示裝置。此夕卜,與第一實施例一樣,不必要準(zhǔn)備額外的制造工藝來形成上述短路環(huán)電路SR。此外,雖然上述的第一和第二實施例說明了關(guān)于設(shè)置在從有源區(qū)AA向外側(cè)引出的柵極線GL中的短路環(huán)電路SR,但是其中設(shè)置有短路環(huán)電路SR的位置并不限于此。短路環(huán)電路SR可以設(shè)置在任何從有源區(qū)AA向外側(cè)引出的配線中。相應(yīng)地,短路環(huán)電路SR例如可以形成在從有源區(qū)AA向外側(cè)弓I出的源極線SL中,還可以設(shè)置在形成在襯底上的其它電導(dǎo)體中。此外,在上述的第一和第二實施例中,雖然短路環(huán)電路SR配備有第一電路SRl至第四電路SR4,但是其結(jié)構(gòu)并不限于這一種。由于第一電路SRl至第四電路SR4中的每一個均可以使所施加的靜電能量衰減,所以即使僅設(shè)置了第一電路SR1,也可以通過將第一電路SRl的漏極電極DE與共用配線COM電連接來控制施加到柵極線GL的靜電。此外,僅設(shè)置了第一電路SRl和第二電路SR2的情況也可適用于實現(xiàn)該效果。此外,僅設(shè)置了第一電路SRl和第三電路SR3的情況也是可適用的。在此情況下,第三電路SR3的漏極電極DE與第一電路SRl的源極電極SE連接,使得第三電路SR3的漏極電極DE與柵極線GL交叉。在這些情況下,可以獲得與上述的第一和第二實施例相同的效果。雖然已經(jīng)描述了某些實施例,但是這些實施例僅是通過示例的方式而提出的,并不旨在限制本發(fā)明的范圍。實際上,本文所述的新穎實施例可以以各種其它形式來體現(xiàn);而且,可以在不脫離本發(fā)明的精神的情況下,可以作出以本文所述的實施例的形式的各種省略、替代和變化。所附權(quán)利要求及其等同形式旨在覆蓋將會落入本發(fā)明的范圍和精神內(nèi)的這些形式或變型。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置,包括: 陣列襯底,其包括由以矩陣設(shè)置的多個像素電極形成的有源區(qū)、從所述有源區(qū)引出的第一配線、和設(shè)置在所述有源區(qū)的外周部中的短路環(huán)電路; 對向襯底,其面對所述陣列襯底設(shè)置并且包括面對所述像素電極的共用電極; 液晶層,其保持在所述陣列襯底與所述對向襯底之間;其中所述短路環(huán)電路包括: 第一電極,其形成在與所述第一配線相同的層中, 半導(dǎo)體層,其在所述第一電極上, 第二電極,所述第二電極的一部分通過第一絕緣層與所述第一電極面對且設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上, 第三電極,設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上且在與所述第二電極相同的層中,并且 所述第一電極包括設(shè)置在所述第二電極下的切口部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置,所述切口部設(shè)置在所述第一電極的邊緣與所述第二電極的邊緣交叉的位置處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置,還包括第二配線以便圍繞所述有源區(qū),其中所述第二電極或所述第三電極與所述第二配線電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置,還包括設(shè)置為圍繞所述有源區(qū)的密封材料,其中所述短路環(huán)電路設(shè)置在所述密封材料與所述有源區(qū)之間,并且第二絕緣層設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極上。
5.一種液晶顯示裝置,包括: 陣列襯底,其包括由以矩陣設(shè)置的多個像素電極形成的有源區(qū)、從所述有源區(qū)引出的第一配線、和設(shè)置在所述有源區(qū)的外周部中的短路環(huán)電路; 對向襯底,其面對所述陣列襯底設(shè)置并且包括面對所述像素電極的共用電極;以及 液晶層,其保持在所述陣列襯底與所述對向襯底之間;其中所述短路環(huán)電路包括: 第一電極,其形成在與所述第一配線相同的層中, 半導(dǎo)體層,其在所述第一電極上, 第二電極,所述第二電極的一部分通過第一絕緣層與所述第一電極面對且設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上, 第三電極,設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上且在與所述第二電極相同的層中,并且 所述第一電極包括設(shè)置在所述第二電極下且從所述第二電極的邊緣突出的凸部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置,所述凸部設(shè)置在所述第二電極的邊緣與所述第一電極的邊緣交叉的位置處。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置,還包括第二配線以便圍繞所述有源區(qū),其中所述第二電極或所述第三電極與所述第二配線電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置,還包括設(shè)置為圍繞所述有源區(qū)的密封材料,其中所述短路環(huán)電路設(shè)置在所述密封材料與所述有源區(qū)之間,并且第二絕緣層設(shè)置在所述第一電極和所述第二 電極上。
9.一種液晶顯示裝置,包括: 陣列襯底,其包括由以矩陣設(shè)置的多個像素電極形成的有源區(qū)、從所述有源區(qū)引出的第一配線、和設(shè)置在所述有源區(qū)的外周部中的短路環(huán)電路;對向襯底,其面對所述陣列襯底設(shè)置并且包括面對所述像素電極的共用電極; 液晶層,其保持在所述陣列襯底與所述對向襯底之間;其中所述短路環(huán)電路包括: 第一電極,其形成在與所述第一配線相同的層中, 半導(dǎo)體層,其在所述第一電極上, 第二電極,所述第二電極的一部分通過第一絕緣層與所述第一電極面對且設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上,并且所述第一絕緣層包括形成在所述第一電極與所述第二電極之間的階梯部且所述階梯部的厚度比所述第一絕緣層的其它部分的厚度要薄;以及 第三電極,設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上且在與所述第二電極相同的層中;并且其中: 所述第一電極包括設(shè)置在所述第二電極下的切口部,并且當(dāng)靜電被施加在所述第一電極與所述第二電極之間時,通過擊穿所述第一絕緣層的所述階梯部,所述第一電極在所述切口部周圍與所述第二電極電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置,所述切口部設(shè)置在所述第一電極的邊緣與所述第二電極的末端交叉的位置處。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置,還包括第二配線以便圍繞所述有源區(qū),其中所述第二電極或所述第三電極與所述第二配線電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置,還包括設(shè)置為圍繞所述有源區(qū)的密封材料,其中所述短路環(huán)電路設(shè)置在所述密封材料與所述有源區(qū)之間,并且第二絕緣層設(shè)置在所述第一電極和所述第二電 極上。
13.—種液晶顯示裝置,包括: 陣列襯底,其包括由以矩陣設(shè)置的多個像素電極形成的有源區(qū)、從所述有源區(qū)引出的第一配線、和設(shè)置在所述有源區(qū)的外周部中的短路環(huán)電路; 對向襯底,其面對所述陣列襯底設(shè)置并且包括面對所述像素電極的共用電極; 液晶層,其保持在所述陣列襯底與所述對向襯底之間;其中所述短路環(huán)電路包括: 第一電極,其形成在與所述第一配線相同的層中, 半導(dǎo)體層,其在所述第一電極上, 第二電極,所述第二電極的一部分通過第一絕緣層與所述第一電極面對且設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上,并且所述第一絕緣層包括形成在所述第一電極與所述第二電極之間的階梯部且所述階梯部的厚度比所述第一絕緣層的其它部分的厚度要薄;以及 第三電極,設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上且在與所述第二電極相同的層中;并且其中: 所述第一電極包括設(shè)置在所述第二電極下且從所述第二電極的邊緣突出的凸部,并且當(dāng)靜電被施加在所述第一電極與所述第二電極之間時,通過擊穿所述第一絕緣層的所述階梯部,所述第一電極在所述凸部周圍與所述第二電極電連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置,所述凸部設(shè)置在所述第二電極的邊緣與所述第一電極的邊緣交叉的位置處。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置,還包括第二配線以便圍繞所述有源區(qū),其中所述第二電極或所述第三電極與所述第二配線電連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置,還包括設(shè)置為圍繞所述有源區(qū)的密封材料,其中所述短路環(huán)電路設(shè)置在所述密封材料與所述有源區(qū)之間,并且第二絕緣層設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種液晶顯示裝置。在一個實施例中,第一配線從有源區(qū)引出,并且短路環(huán)電路設(shè)置在所述有源區(qū)的外周部。第一電極形成在與所述第一配線相同的層中。半導(dǎo)體層形成在所述第一電極上。第二電極的一部分通過絕緣層與所述第一電極面對且設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上。第三電極設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上且與所述第二電極相同的層中。所述第一電極包括設(shè)置在所述第二電極的邊緣下的切口部。
文檔編號G02F1/1368GK103176324SQ20121055731
公開日2013年6月26日 申請日期2012年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月20日
發(fā)明者森田伸 申請人:株式會社日本顯示器中部
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