專(zhuān)利名稱(chēng)：噴淋裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，特別涉及一種噴淋裝置。
背景技術(shù)：
目前，集成電路已經(jīng)從60年代的每個(gè)芯片僅幾十個(gè)器件發(fā)展到現(xiàn)在的每個(gè)芯片上包含約10億個(gè)器件。集成電路之所以能飛速發(fā)展，光刻技術(shù)的發(fā)展起到了關(guān)鍵的作用。 但是通孔中光刻膠殘留物的去除，一直是一個(gè)技術(shù)難題。同時(shí)硅片在進(jìn)行工藝加工過(guò)程中， 常常會(huì)被不同的雜質(zhì)玷污，這些雜質(zhì)將導(dǎo)致集成電路芯片的良品率大大下降，下降約50%。 所以為了獲得高質(zhì)量、高產(chǎn)率的集成電路芯片，必須將這些雜質(zhì)除去?，F(xiàn)有技術(shù)中，針對(duì)這一問(wèn)題，目前有用純水對(duì)晶片中心長(zhǎng)時(shí)間沖洗，這種方法對(duì) 200mm涂膠顯影機(jī)可以將光刻膠殘留物完全沖洗掉，但對(duì)300mm涂膠顯影機(jī)就不能做到，如圖1所示，該種沖洗方式?jīng)_洗晶片的噴淋裝置，包括相互垂直的噴淋嘴管1和水管2，所述噴淋嘴管1位于晶片3上方并垂直與晶片3，晶片3隨機(jī)臺(tái)旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，純水垂直噴淋在晶片3 上，晶片3中心的純水只靠重力排出，在晶片3中心會(huì)產(chǎn)生星型渦旋，且中心到邊緣是輻射沖洗雜質(zhì)，易產(chǎn)生十字型缺陷，且當(dāng)沖洗時(shí)間不夠時(shí)，晶片3上的光刻膠浮渣會(huì)殘留在晶片 3上，影響晶片3性能，所述晶片3效率損失約為2% _20%，現(xiàn)有技術(shù)的噴淋裝置不足之處在于沖洗時(shí)間長(zhǎng)、純水用量大且晶片上存在十字型缺陷。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種沖洗時(shí)間短，純水用量小以及避免產(chǎn)生十字型缺陷的噴淋裝置。本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案是一種噴淋裝置，用于沖洗晶片，包括噴淋嘴管和水管，其特殊之處在于，所述噴淋嘴管與水管活動(dòng)連接，所述噴淋裝置上設(shè)有使噴淋嘴管沿水管軸向轉(zhuǎn)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。作為優(yōu)選所述噴淋嘴管與水管的夾角大于90°。作為優(yōu)選所述噴淋嘴管與水管的夾角為140° -165°。作為優(yōu)選所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括固定在水管上且機(jī)軸平行于水管的電機(jī)、與電機(jī)機(jī)軸連接的第一齒輪、固定在噴淋嘴管上與第一齒輪嚙合的第二齒輪。作為優(yōu)選所述噴淋嘴管套裝在水管上。作為優(yōu)選所述電機(jī)為步進(jìn)電機(jī)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、沖洗時(shí)間短、用水量少、提高產(chǎn)能以及避免晶片上產(chǎn)生十字型缺陷。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)圖。圖2是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)圖。[0014]圖3是本實(shí)用新型驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的效果示意圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型下面將結(jié)合附圖作進(jìn)一步詳述圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的噴淋裝置，所述噴淋裝置包括相互垂直的噴淋嘴管1和水管2，所述噴淋嘴管1位于晶片3上方并垂直與晶片3，晶片3隨機(jī)臺(tái)旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，純水垂直噴淋在晶片3上，晶片3中心的純水只靠重力排出，在晶片3中心會(huì)產(chǎn)生星型渦旋，且中心到邊緣是輻射沖洗雜質(zhì)，易產(chǎn)生十字型缺陷，且當(dāng)沖洗時(shí)間不夠時(shí)，晶片3上的光刻膠浮渣會(huì)殘留在晶片3上，影響晶片3性能，所述晶片3效率損失約為2% -20%，所述噴淋裝置存在沖洗時(shí)間長(zhǎng)、純水用量大且晶片上存在十字型缺陷。請(qǐng)參閱圖2所示，在本實(shí)施例中，所述噴淋裝置，包括噴淋嘴管5和水管4，所述噴淋嘴管5與水管4活動(dòng)連接，所述噴淋嘴管5套裝在水管4上，所述噴淋裝置上設(shè)有使噴淋嘴管5沿水管4軸向轉(zhuǎn)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)6，所述噴淋嘴管5具有弧度，所述噴淋嘴管5與水管 4夾角大于90°，噴淋嘴管5與水管4的夾角為140° -165°，這樣使得噴淋嘴管5不再垂直與晶片3，而是成15° -40°的入射角。噴淋到晶片3上的純水不再只靠重力排出，不會(huì)產(chǎn)生星型渦旋，不會(huì)產(chǎn)生十字型缺陷。所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)6，包括固定在水管4上且機(jī)軸611平行于水管的電機(jī)61、與電機(jī)機(jī)軸611連接的第一齒輪62、固定在噴淋嘴管5與第一齒輪62 嚙合的第二齒輪63。噴淋嘴管5在電機(jī)61帶動(dòng)下通過(guò)齒輪嚙合可繞水管4軸向轉(zhuǎn)動(dòng)，所述電機(jī)61采用步進(jìn)電機(jī)，可以正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)，如圖3所示，在本實(shí)施例中所述噴淋嘴管5正轉(zhuǎn)角度為65°，反轉(zhuǎn)角度為65°，且中心到邊緣不再是輻射沖洗雜質(zhì)，而是掃描式?jīng)_洗，晶片 3上的光刻膠易沖洗掉，不會(huì)殘留，沖洗效果好。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，凡依本實(shí)用新型權(quán)利要求范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本實(shí)用新型權(quán)利要求的涵蓋范圍。
權(quán)利要求1.一種噴淋裝置，用于沖洗晶片，包括噴淋嘴管和水管，其特征在于所述噴淋嘴管與水管活動(dòng)連接，所述噴淋裝置上設(shè)有使噴淋嘴管沿水管軸向轉(zhuǎn)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述噴淋裝置，其特征在于所述噴淋嘴管與水管的夾角大于90°。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述噴淋裝置，其特征在于所述噴淋嘴管與水管的夾角為 140° -165° 。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述噴淋裝置，其特征在于所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括固定在水管上且機(jī)軸平行于水管的電機(jī)、與電機(jī)機(jī)軸連接的第一齒輪、固定在噴淋嘴管上與第一齒輪嚙合的第二齒輪。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述噴淋裝置，其特征在于所述噴淋嘴管套裝在水管上。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述噴淋裝置，其特征在于所述電機(jī)為步進(jìn)電機(jī)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種噴淋裝置，用于沖洗晶片，該種噴淋裝置包括水管，與所述水管活動(dòng)連接的噴淋嘴管，所述噴淋裝置上設(shè)有使噴淋嘴管沿所述水管軸向轉(zhuǎn)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述噴淋嘴管與水管的夾角大于90°，所述噴淋嘴管與晶片具有一入射角，本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、沖洗時(shí)間短、用水量少、提高產(chǎn)能以及避免晶片上產(chǎn)生十字型缺陷的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)G03F7/42GK202142509SQ20112029404
公開(kāi)日2012年2月8日 申請(qǐng)日期2011年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月12日
發(fā)明者丁海濤 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司