專利名稱：具有保護(hù)膜的反光鏡及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種反光鏡及其制備方法，更具體地說，涉及一種具有保護(hù)膜的反光
鏡及其制備方法。
背景技術(shù)：
反光鏡應(yīng)用于燈具，能夠有效匯聚燈具的光源發(fā)出的光線，起到減少能量損耗的 作用。目前燈具的反光鏡大多鍍鋁膜后直接使用，由于鋁膜自身抗氧化腐蝕的性能較差，且 在高溫條件下會(huì)氧化變黃，因而會(huì)導(dǎo)致燈具光學(xué)性能的降低。已有的改進(jìn)方法是在反光鏡 的表面電鍍一氧化硅或者氟化鎂保護(hù)膜，一氧化硅的透光率優(yōu)于二氧化硅，然而其在空氣 中不穩(wěn)定，容易進(jìn)一步氧化成二氧化硅，影響反光鏡的反光率，且采用傳統(tǒng)的真空蒸鍍方法 鍍制的氟化鎂保護(hù)膜的耐摩擦性能不好，擦拭后會(huì)影響反光鏡的反光率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對(duì)上述現(xiàn)有的反光鏡的制備方法存在的缺點(diǎn)， 提供一種具有保護(hù)膜的反光鏡的制備方法，所鍍制的反光鏡具有良好的反光率和耐摩擦性 能。 本發(fā)明要解決的另一技術(shù)問題在于，針對(duì)上述現(xiàn)有的反光鏡存在的缺點(diǎn)，提供一 種具有保護(hù)膜的反光鏡，具有良好的反光率和耐摩擦性能。 本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的一技術(shù)方案是提供一種具有保護(hù)膜的反光鏡的 制備方法，包括下述步驟 預(yù)處理對(duì)反光鏡基體進(jìn)行清洗并烘干； 鍍一氧化硅過渡保護(hù)膜采用高真空下高沉積速率蒸鍍一氧化硅的方法在預(yù)處理 過的反光鏡基體上鍍制一氧化硅過渡保護(hù)膜； 鍍氟化鎂耐摩擦保護(hù)膜采用離子輔助沉積的方法進(jìn)一步在鍍有一氧化硅過渡保 護(hù)膜的反光鏡基體上鍍制MgF2保護(hù)膜。 在本發(fā)明所述的具有保護(hù)膜的反光鏡的制備方法中，在所述預(yù)處理步驟中，對(duì)反 光鏡基體先采用清洗液進(jìn)行超聲波清洗，然后用純凈水清洗。 在本發(fā)明所述的具有保護(hù)膜的反光鏡的制備方法中，所述預(yù)處理步驟和鍍一氧化 硅過渡保護(hù)膜步驟之間進(jìn)一步包括下述步驟 上底漆根據(jù)反光鏡基體的材料特性在反光鏡基體上噴涂或浸上相應(yīng)底漆，然后 固化、烘干； 鍍反光膜將上有底漆的反光鏡基體放入真空室蒸鍍反光膜；
高壓離子轟擊對(duì)反光鏡基體上的反光膜進(jìn)行高壓離子轟擊。 在本發(fā)明所述的具有保護(hù)膜的反光鏡的制備方法中，所述反光膜為鋁膜或銀膜。
在本發(fā)明所述的具有保護(hù)膜的反光鏡的制備方法中，所述高壓離子轟擊是在2 5Pa的氮?dú)鈿夥罩?，于反光鏡基體上加以直流電壓，電壓2000 3500V，電流2 4A，產(chǎn)生穩(wěn)
3定的輝光放電，產(chǎn)生等離子流，在穩(wěn)定的輝光放電條件下等離子流轟擊反光膜表面200 300s。 在本發(fā)明所述的具有保護(hù)膜的反光鏡的制備方法中，所述高真空下高沉積速率蒸 鍍一氧化硅的方法所采用的壓強(qiáng)為1X10—3 10—5pa，以10 16A/s的速率沉積8 10s。
在本發(fā)明所述的具有保護(hù)膜的反光鏡的制備方法中，所述離子輔助沉積是在真空 室內(nèi)，以反光鏡基體為陰極，以MgF2為陽極，將真空室抽至1 3X 10—2pa，然后充以1Pa的 氬氣，再對(duì)反光鏡基體施加一個(gè)高的負(fù)電位，使氬氣電離，產(chǎn)生輝光放電，氬離子轟擊反光 鏡基體使之得以清理，時(shí)間為10 20分鐘，待反光鏡清理后，將單晶MgF2放入加熱鉬坩堝 內(nèi)，使單晶MgF2融化并蒸發(fā)，當(dāng)MgF2蒸氣通過氬氣等離子放電區(qū)時(shí)，部分蒸氣產(chǎn)生電離，沉 積在反光鏡基體上形成MgF2保護(hù)膜。 在本發(fā)明所述的具有保護(hù)膜的反光鏡的制備方法中，所述離子輔助沉積的離子能
量為125 250eV，在反光鏡基體表面處的離子束流密度為5 70 y A/cm2 ;離子源工作在
1 3X 10—4Pa的真空度下，真空室氬氣體分子壓強(qiáng)為1 3X 10—2Pa， MgF2離子以3 7A/s
的沉積速率沉積于蒸發(fā)源上方30 50cm處的室溫反光鏡基體上，沉積15 20s。 本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的另一技術(shù)方案是提供一種具有保護(hù)膜的反光
鏡，采用如上所述的制備方法制作而成，包括反光鏡基體、依次層疊設(shè)置于反光鏡基體反
射面上的一氧化硅過渡保護(hù)膜以及氟化鎂耐摩擦保護(hù)膜。 在本發(fā)明所述的具有保護(hù)膜的反光鏡中，所述反光鏡基體與一氧化硅過渡保護(hù)膜 之間還依次層疊設(shè)置有底漆層以及反光膜；所述反光膜為鋁膜或銀膜。 實(shí)施本發(fā)明能夠帶來下述有益效果采用本發(fā)明的制備方法所制得的具有保護(hù)膜 的反光鏡，不僅可以有效保持反光膜的反光性能，延長(zhǎng)反光鏡的使用壽命；而且還可以對(duì)反 光鏡進(jìn)行多次擦拭，不會(huì)影響反光鏡的反射率，能夠有效提高反光鏡的可維護(hù)性能；并且， 由于在鍍保護(hù)膜之前，反光膜通過高壓離子轟擊，增加了反光膜的致密性，提高了反光膜的 反光率，提升了反光鏡的光學(xué)性能，通過本發(fā)明的制備方法所制得的反光鏡的反射率可以 達(dá)到92%以上。
下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，附圖中 圖1所示是本發(fā)明實(shí)施例的具有保護(hù)膜的反光鏡的制備方法流程圖； 圖2是本發(fā)明實(shí)施例的反光鏡基體結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是本發(fā)明實(shí)施例的具有保護(hù)膜的反光鏡結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖1所示是本發(fā)明的具有保護(hù)膜的反光鏡的制備方法流程圖，本發(fā)明的具有保護(hù) 膜的反光鏡的制備方法，包括下述步驟 步驟1預(yù)處理根據(jù)反光鏡基體的污染情況選擇合適的清洗液進(jìn)行超聲波清洗， 然后用純凈水清洗并烘干。 步驟2上底漆根據(jù)反光鏡基體的材料特性在反光鏡基體上噴涂或浸上相應(yīng)底 漆，然后固化、烘干。
步驟3鍍反光膜將上有底漆的反光鏡基體放入真空室蒸鍍反光膜，所述反光膜 可為鋁膜或銀膜，注意保持反光鏡基體的清潔，此工藝為常規(guī)工藝。 步驟4高壓離子轟擊對(duì)反光膜進(jìn)行高壓離子轟擊，充入氮?dú)? 5Pa，在氮?dú)鈿?br>
氛中，于反光鏡上加以直流電壓，電壓2000 3500V，電流2 4A，產(chǎn)生穩(wěn)定的輝光放電，輝
光放電產(chǎn)生等離子流，在穩(wěn)定的輝光放電條件下，等離子流轟擊反光膜表面200 300s，經(jīng)
過高壓離子轟擊的反光膜可增強(qiáng)反光膜的附著力，增加其致密性，提高反光率。 步驟5鍍一氧化硅過渡保護(hù)膜采用高真空下高沉積速率蒸鍍一氧化硅的方法制
備，壓強(qiáng)為IX 10—3 10—5Pa，以10 16A/S的速率沉積8 10s。高真空下高沉積速率蒸鍍
一氧化硅就是在相對(duì)較高的真空狀態(tài)下，以較高的沉積速率在反光鏡基體上鍍制一氧化硅
過渡保護(hù)膜，其與普通的蒸鍍并無本質(zhì)區(qū)別，因而可采用普通真空蒸鍍的設(shè)備來進(jìn)行，根據(jù)
JIS(日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn))的真空劃分，處于10—1 10—5Pa壓強(qiáng)范圍的為高真空，本步驟的真空
范圍為10—3 10—5pa，處于高真空的范圍內(nèi)，而其速率范圍為10 16A/s，屬于高沉積速率的范圍。 步驟6鍍氟化鎂耐摩擦保護(hù)膜采用離子輔助沉積的方法在鍍有一氧化硅過渡保 護(hù)膜的反光鏡基體上鍍制MgF2保護(hù)膜。離子輔助沉積是借助少量高能離子及大量高能中 子的連續(xù)作用，將金屬蒸氣沉積在工件表面的一種處理工藝。具體來說，離子輔助沉積以 反光鏡基體為陰極，以沉積金屬(MgF2)為陽極，沉積裝置為一真空室，與一真空泵相連接， 待反光鏡基體裝入真空室后，將真空室抽至1 3X 10—2pa，然后充以1Pa的氬氣，再對(duì)反光 鏡基體施加一個(gè)高的負(fù)電位，使氬氣電離，產(chǎn)生輝光放電，氬離子轟擊反光鏡基體使之得以 清理，時(shí)間為10 20分鐘；待反光鏡基體清理后，將單晶MgF2放入電阻加熱鉬坩堝內(nèi)，使 其融化并蒸發(fā)，當(dāng)MgF2蒸氣通過氬氣等離子放電區(qū)時(shí)，部分蒸氣產(chǎn)生電離，沉積在反光鏡基 體上形成Mg&保護(hù)膜。其中，離子能量為125 250eV，在反光鏡基體表面處的離子束流 密度為5 70 ii A/cm2 ;離子源工作在1 3X 10—4pa的真空度下，真空室氬氣壓強(qiáng)為1 3X 10—2pa，MgF2離子以3 7A/S的沉積速率沉積于蒸發(fā)源上方30 50cm處的室溫反光鏡基 體上，沉積15 20s，采用離子輔助沉積方法鍍制的MgF2保護(hù)膜機(jī)械強(qiáng)度大、附著力好、耐 摩擦性能好。 下面以實(shí)施例為例進(jìn)行具體說明
實(shí)施例1 如圖2所示為反光鏡基體鍍保護(hù)膜之前的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3所示為反光鏡基體鍍 制保護(hù)膜后的結(jié)構(gòu)示意圖。參閱圖l，所述反光鏡基體1采用BMC材料制作而成，大致呈半 橢圓體狀；其下端設(shè)有開孔ll，所述開孔11呈圓形，用于將光源從該開孔11處固定在反光 鏡基體1中；其上端設(shè)有杯口 12，所述杯口 12呈圓形，用于使光源發(fā)出的光線從該杯口 12 處射出；其內(nèi)側(cè)表面設(shè)置反射面13，用于反射光線。 采用本發(fā)明的實(shí)施例1的具有保護(hù)膜反光鏡的制備方法處理反光鏡基體l，具體 包括下述步驟 步驟1. 1預(yù)處理將反光鏡基體放入裝有清洗液的超聲波裝置中清洗15min，再用 純凈水清洗后，放入6(TC的干燥柜中干燥2h。 步驟1. 2上底漆在反光鏡基體的反射面上噴上底漆，然后固化、干燥。
步驟1. 3蒸鍍鋁膜將上好底漆的反光鏡基體放入真空室蒸鍍鋁膜。
步驟1. 4蒸鍍一氧化硅保護(hù)膜鍍一氧化硅之前，充入5Pa的氮?dú)猓妷杭拥?3500V，電流約為4A，產(chǎn)生穩(wěn)定的輝光放電，輝光放電產(chǎn)生等離子流，在穩(wěn)定的輝光放電條件 下，等離子流轟擊反光膜表面300s，然后放出氮?dú)?，將真空抽? X 10—5Pa下，蒸發(fā)速率調(diào)到 16A/S沉積8s。 步驟1. 5蒸鍍氟化鎂硬質(zhì)膜采用離子輔助沉積法在鍍有一氧化硅過渡保護(hù)膜的 反光鏡基體上鍍制MgF2保護(hù)膜，離子能量為250eV，在反光鏡基體表面處的離子束流密度 為70 ii A/cm2 ;離子源工作在1X10—Vi的真空度下，真空室氬氣壓強(qiáng)為10—^a，Mg&離子以 3A/S的沉積速率沉積于蒸發(fā)源上方30cm處的室溫反光鏡基體上，沉積20s，采用離子輔助 沉積方法鍍制的MgF2保護(hù)膜機(jī)械強(qiáng)度大、附著力好、耐摩擦性能好。 參閱圖3，采用實(shí)施例1的制備方法所制得的具有保護(hù)膜的反光鏡包括反光鏡基 體1、依次層疊設(shè)置于反光鏡基體1的反射面13上的底漆層2、鋁膜3、Si0過渡保護(hù)膜4和 Mg&耐摩擦保護(hù)膜5。
實(shí)施例2 采用本發(fā)明實(shí)施例2的具有保護(hù)膜的反光鏡的制備方法處理反光鏡基體l，具體 包括下述步驟 步驟2. 1預(yù)處理將反光鏡基體放入裝有清洗液的超聲波裝置中清洗20min，再用 純凈水清洗后，放入8(TC的干燥柜中干燥lh。 步驟2. 2上底漆在反光鏡基體的反射面上噴上底漆，然后固化、干燥。 步驟2. 3蒸鍍鋁膜將上好底漆的反光鏡基體放入真空室蒸鍍銀膜。 步驟2. 4蒸鍍一氧化硅保護(hù)膜鍍一氧化硅之前，充入2Pa的氮?dú)?，電壓加?br>
2000V，電流約為2A，產(chǎn)生穩(wěn)定的輝光放電，輝光放電產(chǎn)生等離子流，在穩(wěn)定的輝光放電條件
下，等離子流轟擊反光膜表面200s，然后放出氮?dú)?，將真空抽? X 10—3pa下，蒸發(fā)速率調(diào)到
10A/S沉積10s。 步驟2. 5蒸鍍氟化鎂硬質(zhì)膜采用離子輔助沉積法在鍍有一氧化硅過渡保護(hù)膜的 反光鏡基體上鍍制MgF2保護(hù)膜，離子能量為125eV，在反光鏡基體表面處的離子束流密度為 5 ii A/cm2 ;離子源工作在3X 10—4pa的真空度下，真空室氬氣壓強(qiáng)為3X 10—2pa， MgF2離子以 7A/S的沉積速率沉積于蒸發(fā)源上方50cm處的室溫反光鏡基體上，沉積15s，采用離子輔助 沉積方法鍍制的MgF2保護(hù)膜機(jī)械強(qiáng)度大、附著力好、耐摩擦性能好。 采用上述實(shí)施例2的制備方法所制得的具有保護(hù)膜的反光鏡，包括反光鏡基體、 依次層疊設(shè)置于反光鏡基體的反射面上的底漆層、銀膜、SiO過渡保護(hù)膜和Mg&耐摩擦保護(hù) 膜。 實(shí)施例3 采用本發(fā)明的實(shí)施例3的具有保護(hù)膜的反光鏡的制備方法處理反光鏡基體l，具 體包括下述步驟 步驟3. 1預(yù)處理將反光鏡基體放入裝有清洗液的超聲波裝置中清洗25min，再用 純凈水清洗后，放入7(TC的干燥柜中干燥2h。 步驟3. 2上底漆在反光鏡基體的反射面上噴上底漆，然后固化、干燥。 步驟3. 3蒸鍍鋁膜將上好底漆的反光鏡基體放入真空室蒸鍍銀膜。 步驟3. 4蒸鍍一氧化硅保護(hù)膜鍍一氧化硅之前，充入3Pa的氮?dú)猓妷杭拥?000V,電流約為3A，產(chǎn)生穩(wěn)定的輝光放電，輝光放電產(chǎn)生等離子流，在穩(wěn)定的輝光放電條件下，等離子流轟擊反光膜表面250s，然后放出氮?dú)猓瑢⒄婵粘橹? X 10—4pa下，蒸發(fā)速率調(diào)到12A/s沉積9s。 步驟3. 5蒸鍍氟化鎂硬質(zhì)膜采用離子輔助沉積法在鍍有一氧化硅過渡保護(hù)膜的反光鏡基體上鍍制MgF2保護(hù)膜，離子能量為200eV，在反光鏡基體表面處的離子束流密度為35 ii A/cm2 ;離子源工作在2X 10—4Pa的真空度下，真空室氬氣壓強(qiáng)為2X 10—2pa，MgF2離子以5A/S的沉積速率沉積于蒸發(fā)源上方40cm處的室溫反光鏡基體上，沉積18s，采用離子輔助沉積方法鍍制的MgF2保護(hù)膜機(jī)械強(qiáng)度大、附著力好、耐摩擦性能好。 采用上述實(shí)施例3的制備方法所制得的具有保護(hù)膜的反光鏡，包括反光鏡基體、依次層疊設(shè)置于反光鏡基體的反射面上的底漆層、銀膜、Si0過渡保護(hù)膜、以及MgF2耐摩擦保護(hù)膜。 經(jīng)過試驗(yàn)證實(shí)采用上述實(shí)施例1-3的制備方法所制得的具有保護(hù)膜的反光鏡，
不僅可以有效保持反光膜的反光性能，延長(zhǎng)反光鏡的使用壽命；而且還可以對(duì)反光鏡進(jìn)行
多次擦拭，不會(huì)影響反光鏡的反射率，提高反光鏡的可維護(hù)性能；并且，由于在鍍保護(hù)膜之
前，反光膜通過高壓離子轟擊，增加了反光膜的致密性，提高了反光膜的反光率，提升了反
光鏡的光學(xué)性能，通過上述方式制備的反光鏡的反射率可以達(dá)到92%以上。 以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，
任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，
都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種具有保護(hù)膜的反光鏡的制備方法，其特征在于，包括下述步驟預(yù)處理對(duì)反光鏡基體進(jìn)行清洗并烘干；鍍一氧化硅過渡保護(hù)膜采用高真空下高沉積速率蒸鍍一氧化硅的方法在預(yù)處理過的反光鏡基體上鍍制一氧化硅過渡保護(hù)膜；鍍氟化鎂耐摩擦保護(hù)膜采用離子輔助沉積的方法進(jìn)一步在鍍有一氧化硅過渡保護(hù)膜的反光鏡基體上鍍制MgF2保護(hù)膜。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有保護(hù)膜的反光鏡的制備方法，其特征在于，在所述預(yù)處 理步驟中，對(duì)反光鏡基體先采用清洗液進(jìn)行超聲波清洗，然后用純凈水清洗。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有保護(hù)膜的反光鏡的制備方法，其特征在于，所述預(yù)處理 步驟和鍍一氧化硅過渡保護(hù)膜步驟之間進(jìn)一步包括下述步驟上底漆根據(jù)反光鏡基體的材料特性在反光鏡基體上噴涂或浸上相應(yīng)底漆，然后固化、 烘干；鍍反光膜將上有底漆的反光鏡基體放入真空室蒸鍍反光膜； 高壓離子轟擊對(duì)反光鏡基體上的反光膜進(jìn)行高壓離子轟擊。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有保護(hù)膜的反光鏡的制備方法，其特征在于，所述反光膜 為鋁膜或銀膜。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有保護(hù)膜的反光鏡的制備方法，其特征在于，所述高壓離 子轟擊是在2 5Pa的氮?dú)鈿夥罩?，于反光鏡基體上加以直流電壓，電壓2000 3500V,電 流2 4A，產(chǎn)生穩(wěn)定的輝光放電，輝光放電產(chǎn)生等離子流，在穩(wěn)定的輝光放電條件下等離子 流轟擊反光膜表面200 300s。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有保護(hù)膜的反光鏡的制備方法，其特征在于，所述高真空 下高沉積速率蒸鍍一氧化硅的方法所采用的壓強(qiáng)為1X10—3 10—5Pa，以10 16A/S的速率 沉積8 10s。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有保護(hù)膜的反光鏡的制備方法，其特征在于，所述離子輔 助沉積是在真空室內(nèi)，以反光鏡基體為陰極，以MgF2為陽極，將真空室抽至1 3X 10—2Pa， 然后充以lPa的氬氣，再對(duì)反光鏡基體施加一個(gè)高的負(fù)電位，使氬氣電離，產(chǎn)生輝光放電， 氬離子轟擊反光鏡基體使之得以清理，時(shí)間為10 20分鐘，待反光鏡清理后，將單晶MgF2 放入加熱鉬坩堝內(nèi)，使單晶MgF2融化并蒸發(fā)，當(dāng)MgF2蒸氣通過氬氣等離子放電區(qū)時(shí)，部分蒸 氣產(chǎn)生電離，沉積在反光鏡基體上形成MgF2保護(hù)膜。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有保護(hù)膜的反光鏡的制備方法，其特征在于，所述離子輔 助沉積的離子能量為125 250eV，在反光鏡基體表面處的離子束流密度為5 70 y A/cm2 ; 離子源工作在1 3X10—4Pa的真空度下，真空室氬氣壓強(qiáng)為1 3X10—2Pa， MgF2離子以 3 7A/S的沉積速率沉積于蒸發(fā)源上方30 50cm處的室溫反光鏡基體上，沉積15 20s。
9. 一種具有保護(hù)膜的反光鏡，其特征在于，采用如權(quán)利要求1所述的方法制作，包括 反光鏡基體、依次層疊設(shè)置于反光鏡基體反射面上的一氧化硅過渡保護(hù)膜以及氟化鎂耐摩 擦保護(hù)膜。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有保護(hù)膜的反光鏡，其特征在于，所述反光鏡基體與一氧 化硅過渡保護(hù)膜之間還依次層疊設(shè)置有底漆層以及反光膜；所述反光膜為鋁膜或銀膜。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有保護(hù)膜的反光鏡及其制備方法，所述制備方法包括下述步驟預(yù)處理對(duì)反光鏡基體進(jìn)行清洗并烘干；鍍一氧化硅過渡保護(hù)膜采用高真空下高沉積速率蒸鍍一氧化硅的方法在預(yù)處理過的反光鏡基體上鍍制一氧化硅過渡保護(hù)膜；鍍氟化鎂耐摩擦保護(hù)膜采用離子輔助沉積的方法進(jìn)一步在鍍有一氧化硅過渡保護(hù)膜的反光鏡基體上鍍制MgF2保護(hù)膜。采用上述方法所制得的具有保護(hù)膜的反光鏡，包括反光鏡基體、依次層疊設(shè)置于反光鏡基體的反射面上的一氧化硅過渡保護(hù)膜以及氟化鎂耐摩擦保護(hù)膜。采用本發(fā)明的制備方法所制得的反光鏡具有良好的反光率和耐摩擦性能。
文檔編號(hào)G02B1/12GK101788694SQ200910189038
公開日2010年7月28日 申請(qǐng)日期2009年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月17日
發(fā)明者周明杰, 王省偉 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司