專利名稱：光學半導體模塊和受光組件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明總體上涉及光學半導體模塊和受光組件。更具體地說，本發(fā)明 涉及包括發(fā)光組件和受光組件的光學半導體模塊，并且涉及所述受光組件。
背景技術：
其上安裝有諸如半導體激光器的發(fā)光組件的光學半導體模塊通常被 用于光學通信等。例如，在要用于光學通信的光學半導體模塊中，希望從 發(fā)光組件發(fā)射出的光具有恒定強度。因此，這種光學半導體模塊包括發(fā)光 組件和受光組件，并且該受光組件接收從該發(fā)光組件發(fā)射的光的一部分。 將受光組件的輸出反饋至該發(fā)光組件，以維持該發(fā)光組件的恒定光發(fā)射。圖l是上述常規(guī)光學半導體模塊的示意圖。作為激光二極管(LD) 芯片的發(fā)光組件62經(jīng)由專用安裝載體53安裝在模塊外殼50上。作為平 坦型光電二極管(PD)芯片的受光組件80經(jīng)由安裝載體5;i安裝在外殼 50上。光纖56和聚光透鏡54經(jīng)由固定單元(未示出)固定到外殼50上。 發(fā)光組件62具有發(fā)光的激活層66。受光組件80具有光吸收層84和光傳 送層85，而在光傳送層85中形成有作為受光區(qū)的雜質擴散區(qū)86。從發(fā)光組件62的正側表面67發(fā)射出的正向發(fā)射光70通過聚光透鏡 54進入光纖56。同時，從背側表面68發(fā)射出反向發(fā)射光72，并且反向 發(fā)射光72進入受光組件80的雜質擴散區(qū)86。反向發(fā)射光72是用于監(jiān)測 正向發(fā)射光70的發(fā)光強度的光。因此，反向發(fā)射光72的強度可以比正 向發(fā)射光70的強度低很多。受光組件80 (LD監(jiān)測器)根據(jù)反向發(fā)射光 72的光強度輸出電信號。基于該電信號，控制單元(未示出)控制發(fā)光 組件62的發(fā)光強度。按這種方式，可以將正向發(fā)射光70的發(fā)光強度維 持在恒定水平。日本特開平No. 5-175614和10-321900公開了光學半導體模塊。在每一種光學半導體模塊中，發(fā)光組件的安裝面與受光組件的安裝面平行， 并且從發(fā)光組件發(fā)射的光被反射接著進入受光組件。日本特開昭No.59-96789公開了一種光學半導體模塊，其中，發(fā)光組件的安裝面與受光 組件的安裝面平行，并且受光組件直接安裝在安裝面上，這與圖1所示 的常規(guī)結構不同。諸如LD的發(fā)光組件從相對于安裝面(要安裝在安裝單元等上的面) 是側表面的面發(fā)射光。同時，諸如PD的受光組件通過相對于安裝面是上 表面的面接收光。因此，在圖l所示常規(guī)結構中，在受光組件80的上表 面上的雜質擴散區(qū)中接收從發(fā)光組件62的背側表面68發(fā)射出的光。為 了實現(xiàn)這種結構，受光組件80的安裝面應當被加工成與發(fā)光組件62的 安裝面垂直。因此，如圖1所示，發(fā)光組件62的安裝載體53需要與受 光組件80的安裝載體51分開制備。結果，裝配過程數(shù)、需求組件數(shù)以 及產(chǎn)品成本由此增加。在日本特開平No. 5-175614禾口 10-321900中公開的每一種結構中， 發(fā)光組件和受光組件可以安裝在同一安裝載體上。然而，需要制備反射 從發(fā)光組件發(fā)射的光的組件。結果，產(chǎn)品成本變高。根據(jù)日本特開昭No. 59-96789中公開的技術，不需要制備這種組件，并且產(chǎn)品成本的增加不 如圖1所示常規(guī)結構的情況下的增加那么大。然而，因為平坦型受光組 件與發(fā)光組件平行安裝，所以感光靈敏度變得低于圖1所示常規(guī)結構的 情況下的感光靈敏度。而且，因為來自發(fā)光組件的額外光通過受光面外 側的光吸收層進入，所以存在大部分入射光不能轉換成電信號的問題。發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的一個目的是，提供一種消除了上述缺點的光學半導 體模塊和受光組件。本發(fā)明的更具體的目的是，提供一種可以降低生產(chǎn)成本并且可以獲 得和常規(guī)結構的感光靈敏度一樣高的感光靈敏度的光學半導體模塊和受 光組件。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種光學半導體模塊，該光學半導體模塊包括發(fā)光組件；受光組件，該受光組件在其上表面和惻表面上 具有受光面，在所述受光面上形成有防反射膜；以及安裝單元，所述發(fā)光組件和所述受光組件按如下位置關系安裝在所述安裝單元上，即，從 所述發(fā)光組件發(fā)射的光至少光耦合在所述受光組件的所述側表面的所述 受光面上。所述發(fā)光組件和所述受光組件可以安裝在同一安裝單元上。 因此，可以縮減加工過程數(shù)、需求組件數(shù)以及生產(chǎn)成本，同時實現(xiàn)更高 感光靈敏度。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種受光組件，該受光組件監(jiān)測從發(fā)光組件發(fā)射的光，所述受光組件包括受光面，該受光面形成在所述 受光組件的上表面和側表面上，并且其上形成有防反射膜。所述發(fā)光組 件和所述受光組件可以安裝在同一安裝單元上。因此，可以縮減加工過 程數(shù)和需求組件數(shù)，并且可以降低生產(chǎn)成本。而且，可以維持和常規(guī)結 構的感光靈敏度一樣高的感光靈敏度。
結合附圖閱讀下面的詳細說明，本發(fā)明的其它目的、特征以及優(yōu)點 將變得更清楚，其中圖1是常規(guī)光學半導體模塊的示意圖；圖2是受光組件的截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的光學半導體模塊的示意圖； 圖4是根據(jù)第一實施方式的受光組件的截面圖； 圖5A到5C是示出根據(jù)第一實施方式的用于加工受光組件的過程的 截面圖；圖6A到6C是示出根據(jù)第一實施方式的用于加工受光組件的過程的 截面圖(續(xù)圖)；圖7A和7B是根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的光學半導體模塊的示意圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的光學半導體模塊的示意圖； 圖9是根據(jù)第三實施方式的受光組件的截面圖；圖IO是根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的光學半導體模塊的示意圖；圖11是根據(jù)第四實施方式的受光組件的截面圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的受光組件的截面圖；圖13是根據(jù)第五實施方式的修改例的受光組件的截面圖；圖14是根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的受光組件的截面圖；圖15是作為比較示例的受光組件的示意立體圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的受光組件的示意立體圖；以及 圖17是根據(jù)本發(fā)明第八實施方式的受光組件的示意立體圖。
具體實施方式
在諸如圖1所示結構的常規(guī)結構中，受光組件80通常為平坦型受光 組件。在平坦型受光組件中，例如，通過離子注入技術和擴散技術在光傳送層85中形成了 p型雜質擴散區(qū)86。因此，更容易加工平坦型受光組 件，并且這種受光組件通常用于光學通信和LD監(jiān)測。同時，本發(fā)明人發(fā) 現(xiàn)，如果將本發(fā)明的臺型受光組件用作受光組件80，則可以提供具有更 少裝配過程數(shù)、更低生產(chǎn)成本以及優(yōu)異感光靈敏度的光學半導體模塊。 下面，對這種受光組件的原理進行說明。圖2是臺型受光組件的截面圖。由n型InGaAs (砷化鎵銦)制成并 且具有第一導電型的半導體層12、由i-InGaAs制成的光吸收層14以及 由p型InGaAs制成并且具有第二導電型(和第一導電型相對的導電型) 的半導體層16，層疊在InP (磷化銦)半絕緣基板10上。層疊層的外周 部分被去除得和第一導電型的半導體層12—樣深，以形成臺狀。由AuGe(金鍺合金)制成的第一電極22連接至第一導電型的半導體層12。由 AuZn (金鋅合金)制成的第二電極24連接至第二導電型的半導體層16。 由SiN (氮化硅)制成的保護膜17形成在上表面34上的受光區(qū)21外側， 以與例如側表面32接觸。由SiN制成的防反射膜18形成在受光區(qū)21和 保護膜17上。第一電極22和第二電極24經(jīng)由由Ti (鈦)/Pt (鉑)/Au(金)制成的互連部26連接至由Au制成的焊盤28 (未示出連接至第二 電極24的互連部和焊盤)。由Ti/Pt/Au制成的金屬膜30形成在基板10的下面之下。圖2所示臺型受光組件將電壓施加在第一導電型的半導體層12與第 二導電型的半導體層16之間。入射在受光區(qū)21上的光被光吸收層14吸 收，并且電流在第一導電型的半導體層12與第二導電型的半導體層16 之間流動。這種電流輸出為電信號。在該臺型受光組件中，第一導電型的半導體層12和第二導電型的半 導體層16還存在于光吸收層14位于側表面32鄰域中的部分的上表面和 下方，如圖2所示。利用這種結構，可以將通過側表面32入射在光吸收 層14上的光轉換成電信號。在平坦型受光組件的情況下，如圖1所示， 等同于第二導電型的半導體層16的雜質擴散區(qū)86僅存在于發(fā)光層85的 一部分上。利用這種結構，即使光通過側表面進入受光組件，因為雜質擴 散區(qū)86不存于光吸收層84位于該側表面的鄰域中的部分上，所以通過該 側表面入射在光吸收層14上的光中的大部分也不能被轉換成電信號。在該臺型受光組件中，需要降低暗電流，使得可在受光模塊中使用 該受光組件。因此，在臺部的側表面32上形成了用于降低泄漏電流的保 護膜17 (鈍化膜)。利用這種結構，受光區(qū)21形成在臺部的上表面34上， 并且即使將受光組件和LD芯片安裝在同一平面中，也不能獲得用于監(jiān)測 LD的充分感光靈敏度。因為上述事實，所以通常不使用臺型受光組件作 為LD監(jiān)測器。為了解決這種問題，本發(fā)明人基于下面的發(fā)現(xiàn)開發(fā)出了本 發(fā)明的受光組件。在將受光組件作為光學監(jiān)測器的情況下，并不像在受 光組件用于接收的情況下一樣希望降低暗電流。因此，不采用保護膜17， 而防反射膜18可以單獨完成作為監(jiān)測組件的受光組件。本發(fā)明的原理在于，從發(fā)光組件的側表面發(fā)射的光被能夠接收入射 在臺部的側表面上的光的受光組件接收。利用這種結構，發(fā)光組件的安 裝面和受光組件的安裝面可以彼此平行設置。因此，可以使加工過程數(shù) 和需求組件數(shù)比常規(guī)情況下少，并且可以降低生產(chǎn)成本，同時維持充分 的感光靈敏度。下面，對本發(fā)明的實施方式進行說明。 [第一實施方式]圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的光學半導體模塊的示意圖。發(fā)光組件62例如是Fabry-Perot LD或分布式反饋LD。受光組件60是下面將 要詳細說明的臺型受光組件，并且具有形成在基板10上的臺部。與圖l 所示結構不同，這種光學半導體模塊具有安裝在安裝載體52上的發(fā)光組 件62和受光組件60。受光組件60的側表面32接收從發(fā)光組件62的背 側表面68發(fā)射的后向光。這種結構的其它方面和圖1所示結構中的相同， 因此，這里省略了對它們的說明。圖4是第一實施方式中采用的受光組件60的截面圖。與圖2所示受 光組件不同，受光組件60沒有保護膜，而是具有直接形成在臺部20的 側表面32和上表面34上的防反射膜18。這種結構的其它方面和圖2所 示結構中的相同，因此，這里省略了對它們的說明。圖5A到6C是示出用于加工受光組件60的過程的截面圖。如圖5A 所示，通過MOCVD (金屬有機化學汽相淀積法)在InP基板lO上生長 第一導電型的半導體層12、光吸收層14以及第二導電型的半導體層16。 如圖5B所示，在第二導電型的半導體層16、光吸收層14以及第一導電 型的半導體層12的預定部分上執(zhí)行刻蝕，以形成臺部20。如圖5C所示， 通過CVD形成具有100 nm到300 nm的膜厚度并且由SiN制成的防反射 膜18。 '如圖6A所示，通過汽相淀積技術形成要連接至第一導電型的半導體 層12的第一電極22和要連接至第二導電型的半導體層16的第二電極24。 如圖6B所示，通過汽相淀積技術形成要連接至第一電極22和第二電極 24的互連部26。還通過鍍敷技術形成要連接至互連部26的焊盤28。如 圖6C所示，從下面拋光基板IO，從而將基板10減薄。接著，通過汽相 淀積技術在底面下方形成金屬膜30。按這種方式，完成受光組件60。這里，對圖2所示的受光組件與圖4所示的受光組件之間的差別進 行說明。在圖2所示的受光組件中，保護膜17不存在于形成上表面34 的第二導電型的半導體層16上，而是防反射膜18形成在形成上表面34 的第二導電型的半導體層16上。這種防反射膜18防止反射預定波長的 光。然而，保護膜17和防反射膜18都存在于側表面32上。結果，反射 了入射在側表面32上的預定波長的光。另一方面，在圖4所示的受光組件60中，沒有形成保護膜17 (鈍化膜)，由此，可以防止入射在側表面 32上的預定波長的光的反射。在圖2中，設置保護膜17，以降低因側表 面32的鄰域中的泄漏電流而要生成的暗電流。用于監(jiān)測LD的受光組件 60對于暗電流不嚴格。因此，可以將如圖4所示的不具有保護膜17的受 光組件60用作用于監(jiān)測LD的受光組件。在第一實施方式中，光學半導體模塊具有經(jīng)由安裝載體52 (安裝單 元)安裝在外殼50上并從側表面68發(fā)射光的發(fā)光組件62，和經(jīng)由安裝 載體52安裝在外殼50上并通過側表面32接收從發(fā)光組件62發(fā)射的光 的受光組件60。更具體地說，受光組件60具有形成在上表面34和側表 面32上的防反射膜18。因此，受光組件60具有在上表面34和側表面 32上形成有防反射膜18的受光面。在作為安裝單元的安裝載體52上按 如下位置關系安裝有發(fā)光組件62和受光組件60,即，該位置關系被保持 為從發(fā)光組件62發(fā)射的光至少光學集成或連接在受光組件60的側表面 32上的受光面上。利用這種結構，可以將發(fā)光組件62和受光組件60安 裝在同一安裝載體52上。因此，可以將發(fā)光組件62和受光組件60安裝 在安裝載體52的同一平面上。由此，可以縮減加工過程數(shù)和需求組件數(shù)， 可以降低生產(chǎn)成本，并且可以獲得更高感光靈敏度。而且，如圖4所示，優(yōu)選的是，受光組件60的第一導電型的半導體 層12和第二導電型的半導體層16接觸側表面32。換句話說，優(yōu)選的是， 至少第二導電型的半導體層16延伸到側表面32上。利用這種結構，可 以將通過側表面32入射在光吸收層14上的光轉換成電信號。因此，臺 型受光組件是優(yōu)選的。[第二實施方式]圖7A是根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的光學半導體模塊的示意圖。與圖 3所示第一實施方式的光學半導體模塊不同，例如，這個光學半導體模塊 具有處于比發(fā)光組件62的激活層66低的水平位置處的受光組件60的上 表面34。這種結構的其它方面和圖3所示結構中的相同，因此，這里省 略了對它們的說明。因為受光組件60的上表面34位于比發(fā)光組件62的激活層66低的水平位置處，所以受光組件60的側表面32可以接收從發(fā)光組件62的背 側表面68發(fā)射的后向光72a，并且受光組件60的上表面34可以接收后 向發(fā)射光72b，如圖7B所示。利用這種結構，可以增加受光組件60針 對后向發(fā)射光72的感光靈敏度。和第二實施方式中一樣，優(yōu)選的是，受光組件60的上表面34位于 比發(fā)光組件62的激活層66低的水平位置處。然而，激活層66僅比發(fā)光 組件62的上表面69低大約1 (mi。另一方面，發(fā)光組件62和受光組件 60中的每一個的厚度都大約為100 pm。因此，發(fā)光組件62的激活層66 與受光組件60的上表面34之間的高度差hl大致等于發(fā)光組件62的上 表面69與受光組件60的上表面34之間的高度差h2。因此，實踐中，受 光組件60的上表面34至少低于發(fā)光組件62的上表面69。發(fā)光組件62的厚度通常為100 pm到150 (im。因此，受光組件60 的厚度應當優(yōu)選為100(am或以下。[第三實施方式]圖8是根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的光學半導體模塊的示意圖。與圖 3所示第一實施方式的光學半導體模塊不同，例如，這個光學半導體模塊 具有形成在與側表面32相對的一側的側表面33上的高反射膜36 (HR), 從面對受光組件60的發(fā)光組件62發(fā)射的光72通過側表面32進入受光 組件60。圖9是圖8所示受光組件60的截面圖。與圖4所示受光組件不 同，這個受光組件60具有形成在受光組件60的與側表面32相對的一側 上的側表面33上的高反射膜36。高反射膜36可以是從側表面起按順序 用具有200 nm到300 nm的膜厚度的Si02 (二氧化硅)膜/具有100 nm 到200nm的膜厚度的Ti02 (氧化鈦)膜形成的膜，或者用具有50mn到 200 nm的膜厚度的TiON (鈦氮氧化物)、具有50nm到200 nm的膜厚度 的si膜、具有100 nm到200 nm的膜厚度的Au膜、具有100 nm到200 nm 的膜厚度的Ag膜、具有100 nm到200 nm的膜厚度的AuGe膜等形成的 膜。這種高反射膜36可以例如通過濺射技術或真空汽相淀積技術來形成。 這種結構的其它方面和圖3和4所示第一實施方式的結構中的相同，因 此，這里省略了對它們的說明。根據(jù)第三實施方式，如圖8所示，行進通過臺部20的光72c被高反 射膜36反射。光72c是入射在受光組件60的臺部20上的光的一部分。 當再次行進通過光吸收層14時，反射光72d被光吸收層14吸收。由此， 可以增加受光組件60針對發(fā)射光72的感光靈敏度。[第四實施方式]圖10是根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的光學半導體模塊的示意圖。圖11 是根據(jù)第四實施方式的受光組件的截面圖。與圖7A和圖8分別所示的第 二和第三實施方式的結構不同，這個光學半導體模塊具有以倒臺狀形成 的受光組件60的側表面32a。這種結構的其它方面和圖7A和8所示結 構中的相同，因此，這里省略了對它們的說明。該倒臺部可以結合晶面 取向的優(yōu)點而通過濕法刻蝕形成。根據(jù)第四實施方式，受光組件60的上表面34位于比發(fā)光組件62的 上表面69低的水平位置處。因此，沿斜向下方向行進的光72a通過側表 面32a進入受光組件60。因為側表面32a為倒臺狀，所以入射在光吸收 層14上的折射光72e大致沿水平方向行進。因此，光72e花費較長時間 經(jīng)過光吸收層14，并且光吸收層14容易吸收光72e。由此，可以進一步 增加受光組件60針對任務(mission)光72a的感光靈敏度。這里，優(yōu)選 的是，基于受光組件60與發(fā)光組件62之間的距離、高度hl、光吸收層 14的折射率等來確定倒臺部的角度。[第五實施方式]圖12是根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的光學半導體模塊的受光組件60 的截面圖。與圖4所示第一實施方式的防反射膜不同，防反射膜18形成 有兩層保護膜18a，其是具有50nm到200nm的膜厚度的SiO2膜；和 調節(jié)膜18b，其是具有50 nm到200 nm的膜厚度的SiN膜。保護膜18a 是保護側表面32和33并且防止第一導電型的半導體層12和第二導電型 的半導體層16之間的泄漏電流的膜。調節(jié)膜18b是調節(jié)入射光的波長以 使防反射膜18具有防止反射的功能的膜。利用這種結構，保護膜18a可 以防止上述泄漏電流，如同圖2所示的受光組件的保護膜17 —樣。而且， 保護膜18a和調節(jié)膜18b彼此協(xié)作，以防止預定波長的光的反射。圖13例示了第五實施方式的修改例。與圖12所示第五實施方式的保護膜18a 不同，保護膜18c由i-InP制成。如上所述，防反射膜18應當優(yōu)選地與 光吸收層14的位于側表面32和33上的部分接觸。防反射膜18可以如 第一實施方式中一樣是單層膜，也可以如第五實施方式中一樣是用兩層 或更多層形成的多層膜。而且，防反射膜18中的保護膜18a (18c)可以 如第五實施方式中一樣是絕緣膜，也可以如第五實施方式的修改例中一 樣是半導體膜。[第六實施方式]圖14是根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的光學半導體模塊的受光組件60 的截面圖。這個實施方式與圖4所示第一實施方式的不同之處在于，第 一導電型的半導體層12a由n型InP制成，而第二導電型的半導體層16a 由p型InP制成。和在第六實施方式中一樣，可以任意選擇受光組件60 和發(fā)光組件62的材料。[第七實施方式]圖15是作為比較示例的受光組件的示意立體圖。在基板IO上設置 有臺部20。在臺部20的上表面34上設置有第二電極24。環(huán)繞臺部20 在第一導電型的半導體層(未示出)上設置有第一電極22。第一焊盤28 和第二焊盤29設置在基板10上，并且分別經(jīng)由互連部26和27連接至 第一電極22和第二電極24。其它互連部(未示出)連接至第一焊盤28 和第二焊盤29，并且例如可以將電信號從受光組件通過互連部讀取到控 制單元(未示出)中。在這個比較示例中，從發(fā)光組件62發(fā)射的光72 沿第一焊盤28的方向行進。結果，發(fā)射光72的一部分被連接至第一焊 盤28的互連部所分散。圖16是根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的受光組件的示意立體圖。在受光 組件的臺部20的上表面上設置有第二電極24。環(huán)繞臺部20設置有第一 電極22?；ミB部26和27連接至第一電極22和第二電極24，并且延伸 至受光面的外側。第一焊盤28和第二焊盤29 (電極焊盤)連接至互連部 26和27。這個實施方式與圖15所示的比較示例的不同之處在于，第一 焊盤28和第二焊盤29設置在受光組件的臺部20的與發(fā)光組件62相對的一側上。與比較示例不同，這個實施方式?jīng)]有使發(fā)射光72被互連部所分散，從而可以進一步增加受光組件60針對發(fā)射光72的感光靈敏度。 而且，第一焊盤28設置在第二焊盤29的兩側。由于互連部26應當連接至第一焊盤28中的任一個，所以不管光學半導體模塊的外殼側的焊盤的位置如何，都可以防止彼此連接至第一焊盤28的每一個互連部和連接至第二焊盤29的互連部相交叉。 [第八實施方式]圖17是根據(jù)本發(fā)明第八實施方式的受光組件的示意立體圖。圖17 所示的這個受光組件與圖16所示的受光組件的不同之處在于，臺部20b 具有四棱柱形狀。因此，側表面32b為平坦表面。利用這種結構，發(fā)射 光72通過側表面32b進入。由此，可以使受光組件60針對發(fā)射光72的 感光靈敏度更高。在臺部20b的多個側表面中，使發(fā)射光72進入的側表 面應當為平坦表面，而其它側表面中的每一個都可以具有彎曲表面。在第一到第八實施方式中，發(fā)光組件62和受光組件60可以直接安 裝在外殼50上。換句話說，外殼50還可以用作要直接安裝發(fā)光組件62 和受光組件60的安裝單元。而且，在上述實施方式中，第一導電型的半 導體層12為n型，而第二導電型的半導體層16為p型。然而，第一導 電型的半導體層12和第二導電型的半導體層16應當僅為相反導電型。 因此，第一導電型的半導體層12可以為p型，而第二導電型的半導體層 16可以為n型。在第一到第八實施方式中，作為受光組件描述了臺型光電二極管。 然而，本發(fā)明還可以應用于其它類型的受光組件，如p-i-n光電二極管和 雪崩型光電二極管(APD)。盡管已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明的幾個優(yōu)選實施方式，但本領域技術 人員應當清楚，在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可以對這些實 施方式進行改變，本發(fā)明的范圍在權利要求及其等同物中進行了限定。本申請基于2007年3月29日提交的日本專利申請No. 2007-086131， 其全部公開內(nèi)容并入于此。
權利要求
1、一種光學半導體模塊，該光學半導體模塊包括發(fā)光組件；受光組件，該受光組件在其上表面和側表面上具有受光面，在所述受光面上形成有防反射膜；以及安裝單元，在該安裝單元上按如下位置關系安裝所述發(fā)光組件和所述受光組件，即，使從所述發(fā)光組件發(fā)射的光至少光耦合在所述受光組件的所述側表面的所述受光面上。
2、 根據(jù)權利要求1所述的光學半導體模塊，其中，所述發(fā)光組件和 所述受光組件安裝在所述安裝單元的同一平面上。
3、 根據(jù)權利要求1所述的光學半導體模塊，其中，所述受光組件的 所述上表面處于比所述發(fā)光組件的上表面低的水平位置處。
4、 根據(jù)權利要求1所述的光學半導體模塊，該光學半導體模塊還包括反射膜，該反射膜被設置在所述受光組件的與面對所述發(fā)光組件的 側表面相對的一側上的另一側表面上。
5、 根據(jù)權利要求3所述的光學半導體模塊，其中，所述受光組件具有倒臺狀的側表面。
6、 根據(jù)權利要求1所述的光學半導體模塊，其中，所述受光組件的 所述側表面具有平坦表面。
7、 根據(jù)權利要求1所述的光學半導體模塊，其中 所述受光組件具有光吸收層、第一導電型的半導體層，以及第二導電型的半導體層，所述光吸收層插在所述第一導電型的所述半導體層與 所述第二導電型的所述半導體層之間；并且所述光學半導體模塊還包括第一焊盤和第二焊盤，所述第一焊盤和 所述第二焊盤設置在所述受光組件的相對于所述受光組件的所述受光面 的相對側，并且分別連接至所述第一導電型的所述半導體層和所述第二 導電型的所述半導體層。
8、 根據(jù)權利要求7所述的光學半導體模塊，其中，所述第一焊盤和 所述第二焊盤中的至少一個設置在所述第一焊盤和所述第二焊盤中的另 一個的任一側。
9、 根據(jù)權利要求1所述的光學半導體模塊，其中，所述防反射膜是 多層膜。
10、 根據(jù)權利要求1所述的光學半導體模塊，其中 所述受光組件具有光吸收層、第一導電型的半導體層，以及第二導電型的半導體層，所述光吸收層插在所述第一導電型的所述半導體層與所述第二導電型的所述半導體層之間；并且至少所述第二導電型的所述半導體層從所述第一導電型的所述半導 體層的邊沿起向外延伸。
11、 根據(jù)權利要求4所述的光學半導體模塊，其中，所述反射膜由 Si02/Ti02、 TiON、 Si、 Au、 Ag以及AuGe中的一種制成。
12、 一種受光組件，該受光組件監(jiān)測從發(fā)光組件發(fā)射的光， 所述受光組件包括受光面，該受光面形成在所述受光組件的上表面和側表面上，并且 在該受光面上形成有防反射膜。
13、 根據(jù)權利要求12所述的受光組件，其中，所述受光組件的側表面形成為倒臺狀。
14、 根據(jù)權利要求12所述的受光組件，該受光組件還包括 反射膜，該反射膜形成在所述受光組件的除設置在所述受光面中的所述側表面外的其它側表面上。
15、 根據(jù)權利要求14所述的受光組件，其中，所述反射膜由 SiO/Ti02、 TiON、 Si、 Au、 Ag以及AuGe中的一種制成。
16、 根據(jù)權利要求12所述的受光組件，該受光組件還包括 電極，該電極形成在所述受光組件的所述上表面上；互連部，該互連部連接至所述電極，并且延伸至所述受光面的外側;以及電極焊盤，該電極焊盤連接至所述互連部。
全文摘要
本發(fā)明涉及光學半導體模塊和受光組件。該光學半導體模塊包括發(fā)光組件；受光組件，該受光組件在其上表面和側表面上具有受光面，在所述受光面上形成有防反射膜；以及安裝單元，在該安裝單元上按如下位置關系安裝所述發(fā)光組件和所述受光組件，即，使從所述發(fā)光組件發(fā)射的光至少光耦合在所述受光組件的所述側表面的所述受光面上。
文檔編號G02B6/42GK101276028SQ20081008836
公開日2008年10月1日 申請日期2008年3月28日 優(yōu)先權日2007年3月29日
發(fā)明者山日竜二, 米田昌博 申請人:優(yōu)迪那半導體有限公司