專利名稱：光纖和傳輸系統(tǒng)以及波分復(fù)用傳輸系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可抑制受激布里淵散射(以下稱作SBS)的發(fā)生，且可用高功率的信號進(jìn)行傳輸?shù)墓饫w。并且，涉及使用了該光纖的傳輸系統(tǒng)以及波分復(fù)用傳輸系統(tǒng)。
本申請對2004年10月22日提出的JP特愿2004-308359號申請、2005年3月1日提出的JP特愿2005-55669號申請、以及2005年7月19日提出的JP特愿2005-208687號申請主張優(yōu)先權(quán)，并在此引用其內(nèi)容。
背景技術(shù)：
近年來，開始了將光纖接入各個(gè)家庭，并用其進(jìn)行各種信息的交換的光纖入戶(Fiber To The Home；以下稱作FTTH)服務(wù)。
作為傳輸各種信息的FTTH的一種形態(tài)，存在以各自不同的方式，使用一根光纖同時(shí)傳輸廣播信號和其他通信信號的系統(tǒng)(ITU-TRecommendation G.652)。一般來講，在該系統(tǒng)中，廣播信號多為模擬信號或基帶信號。
從作為傳輸介質(zhì)的光纖的角度觀察到的該光纖的特征如下所示。
FTTH通常為雙星型的無源光網(wǎng)絡(luò)(PONPassive OpticalNetwork)，且分配損耗較大(通常設(shè)想為最大32個(gè)分路)。
由于傳輸模擬信號或基帶信號，因此需要增大接收機(jī)中的載噪比(CNRCarrier Noise Ratio)，所需的受光部的最低信號光功率大于通信中所使用的數(shù)字傳輸。
由此可知，在該系統(tǒng)中，需要增大信號輸入部的必要信號光功率。特別是考慮到信號光在傳輸中的衰減及分配損耗，則在更遠(yuǎn)距離的線路及更多分路的線路中，需要更高的功率。當(dāng)然，對于能夠使信號傳輸?shù)奖M量遠(yuǎn)的距離，或者可一次同時(shí)分配給很多的用戶，從各方面(建設(shè)成本，維修性，系統(tǒng)設(shè)計(jì)等)看均有優(yōu)點(diǎn)。
然而，在使用光纖的光傳輸中，作為非線性現(xiàn)象的一種的SBS(受激布里淵散射)，會導(dǎo)致出現(xiàn)即使欲使某個(gè)功率以上的光入射到光纖中，也只能入射一定光量(以下稱作SBS閾值功率)，其余的則成為后方散射光而返回至入射光側(cè)的現(xiàn)象，從而產(chǎn)生有時(shí)限制了輸入部的信號光功率的問題(參照例如非專利文獻(xiàn)1)。
以往，作為實(shí)現(xiàn)抑制SBS的方法，公開有在長度方向上使光學(xué)特性及摻雜物濃度、殘余應(yīng)力發(fā)生變化的方法(參照例如專利文獻(xiàn)1及非專利文獻(xiàn)2)。
非專利文獻(xiàn)1A.R.Charaplyvy，J.Lightwave Technol.，vol.8，pp.1548-1557(1990)專利文獻(xiàn)1美國專利第5,267,339號公報(bào)非專利文獻(xiàn)2K.Shiraki，et al.，J.Lightwave Technol.，vol.14，pp.50-57(1996)然而，在專利文獻(xiàn)1及非專利文獻(xiàn)2所述的抑制SBS方法中，由于光纖長度方向的光學(xué)特性也必然發(fā)生變化，因此在實(shí)用上并不理想。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于上述情況而做出的，其目的在于提供一種與以往的光纖相比，可進(jìn)一步提高SBS閾值功率的光纖，以及使用了該光纖的傳輸系統(tǒng)及波分復(fù)用傳輸系統(tǒng)。
為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種光纖，具有中心纖芯、以及位于該纖芯的外周的包層，纖芯具有至少一層共摻雜層，由摻雜了鍺及氟的石英玻璃構(gòu)成；以及至少一層低濃度共摻雜層，由摻雜了鍺的石英玻璃，或摻雜了鍺及氟、且氟的摻雜量與上述共摻雜層相比為少量的石英玻璃構(gòu)成。
在本發(fā)明的光纖中，優(yōu)選纖芯由位于中心附近的內(nèi)側(cè)纖芯和設(shè)置于該內(nèi)側(cè)纖芯的外周的外側(cè)纖芯構(gòu)成，內(nèi)側(cè)纖芯由共摻雜層構(gòu)成，該共摻雜層由摻雜了鍺及氟的石英玻璃構(gòu)成，外側(cè)纖芯由低濃度共摻雜層構(gòu)成，該低濃度共摻雜層由摻雜了鍺的石英玻璃，或摻雜了鍺及氟、且氟的摻雜量與上述內(nèi)側(cè)纖芯相比為少量的石英玻璃構(gòu)成。
在本發(fā)明的光纖中，優(yōu)選包層由未摻雜摻雜物的石英玻璃構(gòu)成。
在本發(fā)明的光纖中，也可在包層的局部摻雜氟。
在本發(fā)明的光纖中，包層由設(shè)置于纖芯外周的內(nèi)側(cè)包層和設(shè)置于該內(nèi)側(cè)包層的外周的外側(cè)包層構(gòu)成，當(dāng)設(shè)內(nèi)側(cè)包層的折射率為nc1、外側(cè)包層的折射率為nc2時(shí)，優(yōu)選具有nc1＜nc2的關(guān)系。
在本發(fā)明的光纖中，包層由設(shè)置于纖芯外周的內(nèi)側(cè)包層、設(shè)置于該內(nèi)側(cè)包層的外周的凹槽層、以及設(shè)置于該凹槽層的外側(cè)的外側(cè)包層構(gòu)成，當(dāng)設(shè)內(nèi)側(cè)包層的折射率為nc1、凹槽層的折射率為nc2、外側(cè)包層的折射率為nc3時(shí)，優(yōu)選具有nc2＜nc1，且nc2＜nc3的關(guān)系。
在本發(fā)明的光纖中，優(yōu)選內(nèi)側(cè)纖芯的鍺的濃度以氧化鍺換算在4～15質(zhì)量％的范圍內(nèi)，氟的濃度在0.2～5質(zhì)量％的范圍內(nèi)。
在本發(fā)明的光纖中，優(yōu)選內(nèi)側(cè)纖芯直徑與外側(cè)纖芯直徑之比在0.10～0.85的范圍內(nèi)。
在本發(fā)明的光纖中，優(yōu)選內(nèi)側(cè)纖芯直徑與外側(cè)纖芯直徑之比在0.25～0.70的范圍內(nèi)。
在本發(fā)明的光纖中，也可構(gòu)成為內(nèi)側(cè)纖芯與外側(cè)纖芯的光學(xué)折射率實(shí)質(zhì)上相等。
在本發(fā)明的光纖中，優(yōu)選內(nèi)側(cè)纖芯與外側(cè)纖芯的相對于包層的相對折射率差的平均值在0.30％～0.60％的范圍內(nèi)，外側(cè)纖芯直徑在6.0～10.5μm的范圍內(nèi)。
在本發(fā)明的光纖中，纖芯由位于中心附近的第一纖芯、設(shè)置于該第一纖芯的外周的第二纖芯、以及設(shè)置于該第二纖芯的外周的第三纖芯構(gòu)成，優(yōu)選第一纖芯及第三纖芯由共摻雜層構(gòu)成，該共摻雜層由摻雜了鍺及氟的石英玻璃構(gòu)成，第二纖芯由低濃度共摻雜層構(gòu)成，該低濃度共摻雜層由摻雜了鍺的石英玻璃，或摻雜了鍺及氟、且氟的摻雜量與上述內(nèi)側(cè)纖芯相比為少量的石英玻璃構(gòu)成。
在本發(fā)明的光纖中，優(yōu)選設(shè)第一纖芯的氟濃度為nf1質(zhì)量％、第二纖芯的氟濃度為nf2質(zhì)量％、第三纖芯的氟濃度為nf3質(zhì)量％時(shí)，具有nf1＞nf2、且nf3＞nf2的關(guān)系。
在上述光纖中，也可構(gòu)成為nf1與nf3大致相等。
在上述光纖中，也可具有nf1＜nf3的關(guān)系。
在上述光纖中，也可具有nf1＞nf3的關(guān)系。
在本發(fā)明的光纖中，優(yōu)選光學(xué)特性滿足ITU-T Recommendation G.652的規(guī)定。
另外，本發(fā)明提供一種構(gòu)成為使用上述本發(fā)明涉及的光纖來進(jìn)行模擬信號傳輸或基帶信號傳輸?shù)膫鬏斚到y(tǒng)。
并且，本發(fā)明提供一種構(gòu)成為使用上述本發(fā)明涉及的光纖來進(jìn)行模擬信號傳輸和/或基帶信號傳輸，并且進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸和/或聲音傳輸?shù)牟ǚ謴?fù)用傳輸系統(tǒng)。
根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種可抑制SBS的發(fā)生，且可用高功率的信號進(jìn)行傳輸?shù)墓饫w，以及可利用該光纖進(jìn)行多分路、遠(yuǎn)距離傳輸?shù)膫鬏斚到y(tǒng)以及波分復(fù)用傳輸系統(tǒng)。
圖1是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的光纖的端面圖。
圖2是表示在實(shí)施例中試作的光纖的內(nèi)側(cè)纖芯直徑/外側(cè)纖芯直徑比率及內(nèi)側(cè)纖芯Ge濃度與閾值功率的關(guān)系的曲線圖。
圖3A是例示本發(fā)明的光纖的折射率分布的圖。
圖3B是例示本發(fā)明的光纖的折射率分布的圖。
圖3C是例示本發(fā)明的光纖的折射率分布的圖。
圖3D是例示本發(fā)明的光纖的折射率分布的圖。
圖3E是例示本發(fā)明的光纖的折射率分布的圖。
圖3F是例示本發(fā)明的光纖的折射率分布的圖。
圖4A是表示第二實(shí)施方式中基于以往方法的光纖的Ge濃度分布的曲線圖。
圖4B是表示第二實(shí)施方式中基于以往方法的光纖的F濃度分布的曲線圖。
圖4C是表示第二實(shí)施方式中基于以往方法的光纖的折射率分布差的曲線圖。
圖5是表示圖4A～圖4C的光纖的相對布里淵增益譜的曲線圖。
圖6A是表示第二實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的Ge濃度分布的曲線圖。
圖6B是表示第二實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的折射率分布和F濃度分布的曲線圖。
圖6C是表示第二實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的折射率分布差的曲線圖。
圖7是表示圖6A～圖6C的光纖的相對布里淵增益譜的曲線圖。
圖8A是表示第三實(shí)施方式中基于以往方法的光纖的Ge濃度分布的曲線圖。
圖8B是表示第三實(shí)施方式中基于以往方法的光纖的F濃度分布的曲線圖。
圖8C是表示第三實(shí)施方式中基于以往方法的光纖的折射率分布差的曲線圖。
圖9是表示圖8A～圖8C的光纖的相對布里淵增益譜的曲線圖。
圖10A是表示第三實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的Ge濃度分布的曲線圖。
圖10B是表示第三實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的F濃度分布的曲線圖。
圖10C是表示第三實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的折射率分布差的曲線圖。
圖11是表示圖10A～圖10C的光纖的相對布里淵增益譜的曲線圖。
圖12A是表示第四實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的Ge濃度分布的曲線圖。
圖12B是表示第四實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的F濃度分布的曲線圖。
圖12C是表示第四實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的折射率分布差的曲線圖。
圖13是表示圖12A～圖12C的光纖的相對布里淵增益譜的曲線圖。
圖14A是表示第五實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的Ge濃度分布的曲線圖。
圖14B是表示第五實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的F濃度分布的曲線圖。
圖14C是表示第五實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的折射率分布差的曲線圖。
圖15是表示圖14A～圖14C的光纖的相對布里淵增益譜的曲線圖。
圖16A是表示第六實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的Ge濃度分布的曲線圖。
圖16B是表示第六實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的F濃度分布的曲線圖。
圖16C是表示第六實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的折射率分布差的曲線圖。
圖17是表示圖16A～圖16C的光纖的相對布里淵增益譜的曲線圖。
圖18A是表示第七實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的Ge濃度分布的曲線圖。
圖18B是表示第七實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的F濃度分布的曲線圖。
圖18C是表示第七實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的折射率分布差的曲線圖。
圖19是表示圖18A～圖18C的光纖的相對布里淵增益譜的曲線圖。
圖20A是表示第八實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的Ge濃度分布的曲線圖。
圖20B是表示第八實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的F濃度分布的曲線圖。
圖20C是表示第八實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的折射率分布差的曲線圖。
圖21是表示圖20A～圖20C的光纖的相對布里淵增益譜的曲線圖。
圖22A是表示第九實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的Ge濃度分布的曲線圖。
圖22B是表示第九實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的F濃度分布的曲線圖。
圖22C是表示第九實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的折射率分布差的曲線圖。
圖23是表示圖22A～圖22C的光纖的相對布里淵增益譜的曲線圖。
圖24A是表示第十實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的Ge濃度分布的曲線圖。
圖24B是表示第十實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的F濃度分布的曲線圖。
圖24C是表示第十實(shí)施方式中基于本發(fā)明方法的光纖的折射率分布差的曲線圖。
圖25是表示圖24A～圖24C的光纖的相對布里淵增益譜的曲線圖。
圖26是表示使用本發(fā)明的光纖構(gòu)成的光傳輸系統(tǒng)(波分復(fù)用傳輸系統(tǒng))的圖。
符號說明1...光纖；2...內(nèi)側(cè)纖芯；3...外側(cè)纖芯；4...包層；10...光傳輸系統(tǒng)(波分復(fù)用傳輸系統(tǒng))。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
圖1是表示本發(fā)明涉及的光纖的一實(shí)施方式的圖。本實(shí)施方式的光纖1包括內(nèi)側(cè)纖芯2，其由摻雜了鍺及氟的石英玻璃構(gòu)成；外側(cè)纖芯3，其設(shè)置于該內(nèi)側(cè)纖芯2的外周，由摻雜了鍺的石英玻璃，或摻雜了鍺及氟、且氟的摻雜量與上述內(nèi)側(cè)纖芯2相比為少量的摻雜了氟的石英玻璃構(gòu)成；以及包層4，其設(shè)置于該外側(cè)纖芯3的外周。通過形成本構(gòu)造，可以抑制光纖傳輸中成為問題的SBS的發(fā)生，并可提高SBS閾值功率，以更高功率的信號進(jìn)行傳輸。
優(yōu)選內(nèi)側(cè)纖芯2的鍺的濃度以氧化鍺換算在4～15質(zhì)量％的范圍內(nèi)，并且，氟的濃度在0.2～5質(zhì)量％的范圍內(nèi)。當(dāng)內(nèi)側(cè)纖芯2的鍺及氟的濃度高于上述范圍時(shí)，雷利散射增加，光纖1的傳輸損耗增大，從而實(shí)用上發(fā)生問題。另一方面，當(dāng)內(nèi)側(cè)纖芯2的鍺及氟的濃度低于上述范圍時(shí)，SBS閾值功率的增大效果不充分，從而有可能不能達(dá)成本發(fā)明的目的。
另外，優(yōu)選將內(nèi)側(cè)纖芯直徑與外側(cè)纖芯直徑之比設(shè)定在0.10～0.85的范圍內(nèi)。通過將內(nèi)側(cè)纖芯直徑與外側(cè)纖芯直徑之比設(shè)定在上述范圍內(nèi)，相對于標(biāo)準(zhǔn)單模光纖(以下稱作標(biāo)準(zhǔn)SM光纖)，可獲得大約1.5倍的SBS閾值功率。
此外，優(yōu)選將內(nèi)側(cè)纖芯直徑與外側(cè)纖芯直徑之比設(shè)定在0.25～0.70的范圍內(nèi)。通過將內(nèi)側(cè)纖芯直徑與外側(cè)纖芯直徑之比設(shè)定在上述范圍內(nèi)，可將SBS閾值功率提高至標(biāo)準(zhǔn)SM光纖的大約2倍。
另外，優(yōu)選內(nèi)側(cè)纖芯2與外側(cè)纖芯3的光學(xué)折射率實(shí)質(zhì)上相等。如果內(nèi)側(cè)纖芯2與外側(cè)纖芯3的光學(xué)折射率不同，則光纖的波導(dǎo)色散(也叫結(jié)構(gòu)色散)移向長波長側(cè)，從而有可能難以將光學(xué)特性控制在所希望的范圍內(nèi)。這里，所謂光學(xué)折射率實(shí)質(zhì)上相等，是設(shè)想各個(gè)折射率的差以相對折射率差(Δ)計(jì)算，大約在0.07％以下。但是，由于內(nèi)側(cè)纖芯2與外側(cè)纖芯3具有由各自制造偏差等引起的折射率在徑向的不均勻，因此，用各自內(nèi)側(cè)纖芯2與外側(cè)纖芯3的平均折射率進(jìn)行比較較為適當(dāng)。并且，這里所謂所希望的范圍是指，滿足例如ITU-T Recommendation G.652的規(guī)定的范圍。在G.652所規(guī)定的特性中，至少波長色散特性相同，這對于進(jìn)行傳輸線路的設(shè)計(jì)是非常重要的。即使在其他情況下，根據(jù)現(xiàn)有的各種光纖的光學(xué)特性，通過采用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，也可使光學(xué)特性不產(chǎn)生大的偏移。
另外，為了獲得滿足ITU-T Recommendation G.652的規(guī)定的光學(xué)特性，包括內(nèi)側(cè)纖芯2與外側(cè)纖芯3的整個(gè)纖芯部的光學(xué)折射率平均值，作為相對于包層4的相對折射率差，需要分別在0.30～0.40％的范圍內(nèi)，且外側(cè)纖芯直徑在7.5～11μm的范圍內(nèi)。
具有上述本發(fā)明的結(jié)構(gòu)、且具有滿足ITU-T Recommendation G.652的規(guī)定的光學(xué)特性的光纖，具有可與以往的光纖同樣地使用的優(yōu)點(diǎn)，這是因?yàn)槭钩怂^具有高SBS閾值功率的本發(fā)明的特征以外的光學(xué)特性，與構(gòu)成現(xiàn)存的傳輸路的光纖相同的緣故。
圖3A～圖3F是例示本發(fā)明涉及的光纖的徑向折射率分布的圖，但本發(fā)明不局限于本示例。
具有圖3A所示的折射率分布的光纖包括內(nèi)側(cè)纖芯2，具有階梯形折射率分布，折射率最高；外側(cè)纖芯3，設(shè)置于該內(nèi)側(cè)纖芯2的外周，折射率比內(nèi)側(cè)纖芯2低一些；以及包層4，由設(shè)置于外側(cè)纖芯3的外周的石英玻璃構(gòu)成。
具有圖3B所示的折射率分布的光纖包括內(nèi)側(cè)纖芯2，具有階梯形折射率分布；外側(cè)纖芯3，設(shè)置于該內(nèi)側(cè)纖芯2的外周，折射率比內(nèi)側(cè)纖芯2高一些；以及包層4，由設(shè)置于外側(cè)纖芯3的外周的石英玻璃構(gòu)成。
具有圖3C所示的折射率分布的光纖包括內(nèi)側(cè)纖芯2，具有折射率向中心逐漸升高的折射率分布；外側(cè)纖芯3，設(shè)置于該內(nèi)側(cè)纖芯2的外周；以及包層4，由設(shè)置于外側(cè)纖芯3的外周的石英玻璃構(gòu)成。
具有圖3D所示的折射率分布的光纖包括內(nèi)側(cè)纖芯2，外周附近部的折射率高于中心部；外側(cè)纖芯3，設(shè)置于該內(nèi)側(cè)纖芯2的外周，外周附近部的折射率較高；以及包層4，由設(shè)置于外側(cè)纖芯3的外周的石英玻璃構(gòu)成。
具有圖3E所示的折射率分布的光纖包括內(nèi)側(cè)纖芯2，具有中心部的折射率低的大致凹字狀的折射率分布；外側(cè)纖芯3，設(shè)置于該內(nèi)側(cè)纖芯2的外周，具有外周部的折射率逐漸降低的折射率分布；以及包層4，由設(shè)置于外側(cè)纖芯3的外周的石英玻璃構(gòu)成。
具有圖3F所示的折射率分布的光纖包括內(nèi)側(cè)纖芯2，在中央部具有楔狀低折射率部；外側(cè)纖芯3，設(shè)置于該內(nèi)側(cè)纖芯2的外周，折射率高于內(nèi)側(cè)纖芯2，具有折射率向外周逐漸降低的折射率分布；以及包層4，由設(shè)置于外側(cè)纖芯3的外周的石英玻璃構(gòu)成。
本發(fā)明還提供一種使用了上述本發(fā)明涉及的光纖的傳輸系統(tǒng)。
使用上述本發(fā)明涉及的光纖的優(yōu)點(diǎn)在于，如上所述，可以導(dǎo)入更高功率的信號光。因此，可使用本發(fā)明的光纖進(jìn)行需要較高功率的模擬信號傳輸或基帶信號傳輸，從而可以實(shí)現(xiàn)更多分路、更遠(yuǎn)距離的傳輸，并由此受益。特別是傳輸距離在15km以上和/或分路數(shù)在32分路以上的系統(tǒng)受益最大。
并且，使用本發(fā)明涉及的光纖，除了可以進(jìn)行上述的模擬信號傳輸或基帶信號傳輸以外，還可同時(shí)進(jìn)行其他傳輸，也可進(jìn)行波分復(fù)用傳輸。作為波分復(fù)用傳輸可以考慮如ITU-T G.983.3所示的FTTH中的一個(gè)形態(tài)，或者CWDM等。特別是傳輸距離在15km以上和/或分路數(shù)在32分路以上的系統(tǒng)受益最大。
當(dāng)然，作為傳輸系統(tǒng)無需局限于這些用途。例如，不僅可用于普通的公共數(shù)據(jù)通信，也可用于數(shù)碼遠(yuǎn)距離無中繼傳輸系統(tǒng)、及智能交通系統(tǒng)(ITS)、傳感器用途、遠(yuǎn)程激光切割系統(tǒng)等。
實(shí)施例[第一實(shí)施方式]試作了本發(fā)明第一實(shí)施方式涉及的光纖。表1～表3的No.2～No.25表示試作的光纖的實(shí)施例、其構(gòu)造及光學(xué)特性。另外，在表1的No.1中，作為比較例還同樣表示了標(biāo)準(zhǔn)SM光纖(ITU-T Recommendation G.652標(biāo)準(zhǔn))。在表1～表3中，“Ge濃度”表示摻雜于內(nèi)側(cè)纖芯或外側(cè)纖芯的鍺的濃度(換算為氧化鍺)，“F濃度”表示摻雜于內(nèi)側(cè)纖芯或外側(cè)纖芯的氟的濃度。另外，在No.2～No.25的各個(gè)實(shí)施例的光纖中，“相對布里淵增益”是將用比較例的光纖測定的SBS光強(qiáng)度設(shè)為1時(shí)的用各個(gè)實(shí)施例的光纖測定的SBS光強(qiáng)度的相對值。同樣，“相對閾值功率”是將用比較例的光纖測定的SBS閾值功率設(shè)為1時(shí)的用各個(gè)實(shí)施例的光纖測定的SBS閾值功率的相對值。
表1
表2
表3
由表1～表3的結(jié)果可知，No.2～No.25所示的實(shí)施例的光纖，采用了以下結(jié)構(gòu)，即、具有內(nèi)側(cè)纖芯，含有鍺及氟；以及外側(cè)纖芯，只含有鍺或含有鍺及少量的氟，由此，與比較例的標(biāo)準(zhǔn)SM光纖相比，可以抑制SBS的發(fā)生，并獲得相對較高的SBS閾值功率，與比較例的標(biāo)準(zhǔn)SM光纖相比，可以傳輸更高功率的信號光。
圖2表示從在本實(shí)施方式中試作的光纖中發(fā)現(xiàn)的、內(nèi)側(cè)纖芯直徑/外側(cè)纖芯直徑比率及內(nèi)側(cè)纖芯Ge濃度與閾值功率的關(guān)系。
從圖2可知，通過大致滿足上述參數(shù)范圍，可以獲得所希望的閾值功率。
第二實(shí)施方式涉及波長1310nm下的MFD為8.6μm左右的SM光纖。該種光纖作為在滿足ITU-T Recommendation G.652的范圍內(nèi)，減小了彎曲損耗的光纖被商品化。在圖4A～圖4C及表4中表示用以往方法設(shè)計(jì)此種光纖時(shí)的摻雜物(Ge、F)濃度分布及相對折射率差。
表4
利用該種折射率分布，可以獲得呈現(xiàn)如下光學(xué)特性的光纖。
光纖截止波長1.26μm。
波長1310nm下的MFD8.59μm。
波長1550nm下的MFD9.56μm。
零色散波長1305.8nm。
波長1550nm下的波長色散17.1ps/nm/km。
波長1550nm下的色散斜率0.057ps/nm2/km。
彎曲直徑30mm、波長1310nm下的彎曲損耗＜0.01dB/m。
彎曲直徑30mm、波長1550nm下的彎曲損耗1.89×10-2dB/m。
基于圖4A～圖4C的折射率分布的光纖，與實(shí)施例1及比較例所示的普通SM光纖相比，通過減小MFD，改善了彎曲損耗。然而，存在因小MFD化而使SBS閾值功率劣化的問題。
圖5表示由圖4A～圖4C的折射率分布獲得的相對布里淵增益譜。將實(shí)施例1及比較例的光纖的布里淵增益的最大值設(shè)為1，而進(jìn)行了歸一化。相對布里淵增益的最大值變?yōu)?.18，SBS閾值功率降低了0.7dB。
圖6A～圖6C及表5表示基于本發(fā)明第二實(shí)施方式的光纖的實(shí)施例26。
表5
與基于以往方法的實(shí)施例相比，雖然內(nèi)側(cè)纖芯部的Ge、F濃度增大，但是相對折射率差Δ相同，MFD及波長色散這樣的光學(xué)特性與圖4A～圖4C的折射率分布相同。
圖7表示圖6A～圖6C的折射率分布的光纖的相對布里淵增益譜。與圖5一樣，以實(shí)施例1及比較例的光纖作為基準(zhǔn)。相對布里淵增益的最大值變?yōu)?.55，SBS閾值功率則改善了2.6dB。
基于本實(shí)施方式的光纖，呈現(xiàn)滿足ITU-T Recommendation G.652的光學(xué)特性，并且具有低彎曲損耗、高SBS閾值功率，因此作為面向FTTH的光纖具有優(yōu)良的特性。
第三實(shí)施方式涉及進(jìn)一步改善了彎曲特性的光纖。
圖8A～圖8C表示基于以往方法的低彎曲損耗光纖的例子。本光纖具有表6所示的濃度分布及折射率分布。
表6
利用該種折射率分布，可以獲得顯現(xiàn)如下光學(xué)特性的光纖。
光纖截止波長1.26μm。
波長1310nm下的MFD7.36μm。
波長1550nm下的MFD8.19μm。
零色散波長1319.2nm。
波長1550nm下的波長色散17.4ps/nm/km。
波長1550nm下的色散斜率0.060ps/nm2/km。
彎曲直徑30mm、波長1310nm下的彎曲損耗＜0.01dB/m。
彎曲直徑30mm、波長1550nm下的彎曲損耗＜0.01dB/m。
彎曲直徑15mm、波長1310nm下的彎曲損耗＜0.01dB/m。
彎曲直徑15mm、波長1550nm下的彎曲損耗0.29dB/m。
波長1310nm下的MFD雖然較小，為7.36μm，但彎曲損耗得到改善，即使以直徑15mm進(jìn)行卷繞也幾乎不發(fā)生損耗增加。然而，MFD變小，會導(dǎo)致SBS閾值功率劣化。圖9表示本例的光纖的相對布里淵增益譜。與圖5一樣，以實(shí)施例1及比較例作為基準(zhǔn)。相對布里淵增益的最大值變?yōu)?.7，SBS閾值功率則降低了2.3dB。
圖10A～圖10C及表7表示基于本發(fā)明第三實(shí)施方式的光纖的實(shí)施例27。
表7
與基于以往方法的實(shí)施例相比，雖然內(nèi)側(cè)纖芯的Ge、F濃度增大，但是相對折射率差Δ相同，MFD及波長色散這樣的光學(xué)特性與圖8A～圖8C的折射率分布相同。
圖11表示圖10A～圖10C的折射率分布的光纖的相對布里淵增益譜。與圖5一樣，以實(shí)施例1及比較例作為基準(zhǔn)。相對布里淵增益的最大值變?yōu)?.67，SBS閾值功率則改善了1.7dB。
基于本實(shí)施方式的光纖，除了呈現(xiàn)出與ITU-T Recommendation G.652同樣的波長色散特性以外，還具有低彎曲損耗、高SBS閾值功率，因此作為面向FTTH的光纖具有優(yōu)良的特性。
第四實(shí)施方式涉及如下光纖，其纖芯由中心附近的第一共摻雜層(第一層)、位于第一共摻雜層的外周的非共摻雜層(第二層)、以及位于非共摻雜層的外周的第二共摻雜層(第三層)構(gòu)成。圖12A～圖12C表示本實(shí)施方式的光纖的折射率分布及摻雜物分布。以下示出各層的直徑、光學(xué)相對折射率差、Ge及F濃度。
第一層半徑(r1)1.66μm。
第二層半徑(r2)3.33μm。
第三層半徑(r3)4.43μm。
第一層Ge濃度(nG1)5.0質(zhì)量％。第一層F濃度(nF1)0.45質(zhì)量％。
第二層Ge濃度(nG2)3.5質(zhì)量％。第二層F濃度(nF2)0.00質(zhì)量％。
第三層Ge濃度(nG3)5.0質(zhì)量％。第三層F濃度(nF3)0.45質(zhì)量％。
相對折射率差(Δ)0.35％。
調(diào)整了第一層、第二層及第三層的各自的Ge濃度和F濃度，使得相對折射率差Δ相同，都成為0.35％。
利用該種折射率分布，可以獲得呈現(xiàn)如下光學(xué)特性的光纖。
光纖截止波長1292nm。
光纜截止波長1240nm。
波長1310nm下的MFD9.21μm。
波長1550nm下的MFD10.30μm。
零色散波長1307.2nm。
波長1550nm下的波長色散17.38ps/nm/km。
波長1550nm下的色散斜率0.060ps/nm2/km。
彎曲直徑30mm、波長1310nm下的彎曲損耗0.13dB/m。
彎曲直徑30mm、波長1550nm下的彎曲損耗3.73dB/m。
本實(shí)施方式的光纖具有與實(shí)施例1及比較例所示的普通光纖大致相同的MFD。
圖13表示由圖12A～圖12C的折射率分布獲得的光纖的相對布里淵增益譜。將實(shí)施例1及比較例的光纖的布里淵增益的最大值設(shè)為1，而進(jìn)行了歸一化。相對布里淵增益的最大值變?yōu)?.46，SBS閾值功率降低了4.3dB。
在本實(shí)施方式中，對于從小到大的10760MHz、10840MHz、10950MHz、11060MHz、11180MHz的頻率偏移而言，分別存在具有0.46、0.32、0.20、0.07、0.02的相對增益的峰值。
第五實(shí)施方式涉及如下一種光纖，其纖芯由中心附近的第一共摻雜層(第一層)、位于第一共摻雜層的外周的非共摻雜層(第二層)、以及位于非共摻雜層的外周的第二共摻雜層(第三層)構(gòu)成。圖14A～圖14C表示本實(shí)施方式的光纖的折射率分布及摻雜物分布。以下示出各層的直徑、光學(xué)相對折射率差、Ge及F濃度。
第一層半徑(r1)1.11μm。
第二層半徑(r2)3.33μm。
第三層半徑(r3)4.43μm。
第一層Ge濃度(nG1)5.0質(zhì)量％。第一層F濃度(nF1)0.45質(zhì)量％。
第二層Ge濃度(nG2)3.5質(zhì)量％。第二層F濃度(nF2)0.00質(zhì)量％。
第三層Ge濃度(nG3)5.0質(zhì)量％。第三層F濃度(nF3)0.45質(zhì)量％。
相對折射率差(Δ)0.35％。
調(diào)整了第一層、第二層及第三層的各自的Ge濃度和F濃度，使得相對折射率差Δ相同，都成為0.35％。由此獲得的光學(xué)特性與第四實(shí)施方式相同。
圖15表示由圖14A～圖14C的折射率分布獲得的光纖的相對布里淵增益譜。將實(shí)施例1及比較例的光纖的布里淵增益的最大值設(shè)為1，而進(jìn)行了歸一化。相對布里淵增益的最大值變?yōu)?.67，SBS閾值功率降低了2.4dB。
在本實(shí)施方式中，對于從小到大的10800MHz、10840MHz、11030MHz、11200MHz的頻率偏移而言，分別存在具有0.45、0.44、0.67、0.02的相對增益的峰值。
第六實(shí)施方式涉及如下一種光纖，其纖芯由中心附近的第一共摻雜層(第一層)、位于第一共摻雜層的外周的非共摻雜層(第二層)、以及位于非共摻雜層的外周的第二共摻雜層(第三層)構(gòu)成。圖16A～圖16C表示本實(shí)施方式的光纖的折射率分布及摻雜物分布。以下示出各層的直徑、光學(xué)相對折射率差、Ge及F濃度。
第一層半徑(r1)2.22μm。
第二層半徑(r2)3.33μm。
第三層半徑(r3)4.43μm。
第一層Ge濃度(nG1)5.0質(zhì)量％。第一層F濃度(nF1)0.45質(zhì)量％。
第二層Ge濃度(nG2)3.5質(zhì)量％。第二層F濃度(nF2)0.00質(zhì)量％。
第三層Ge濃度(nG3)5.0質(zhì)量％。第三層F濃度(nF3)0.45質(zhì)量％。
相對折射率差(Δ)0.35％。
調(diào)整了第一層、第二層及第三層的各自的Ge濃度和F濃度，使得相對折射率差Δ相同，都成為0.35％。由此獲得的光學(xué)特性與第四實(shí)施方式相同。
圖17表示由圖16A～圖16C的折射率分布獲得的光纖的相對布里淵增益譜。將實(shí)施例1及比較例的光纖的布里淵增益的最大值設(shè)為1，而進(jìn)行了歸一化。相對布里淵增益的最大值變?yōu)?.66，SBS閾值功率降低了2.9dB。
在本實(shí)施方式中，對于從小到大的10740MHz、10830MHz、11050MHz的頻率偏移而言，分別存在具有0.62、0.66、0.07的相對增益的峰值。
第七實(shí)施方式涉及如下一種光纖，其纖芯由中心附近的第一共摻雜層(第一層)、位于第一共摻雜層的外周的非共摻雜層(第二層)、以及位于非共摻雜層的外周的第二共摻雜層(第三層)構(gòu)成。圖18A～圖18C表示本實(shí)施方式的光纖的折射率分布及摻雜物分布。以下示出各層的直徑、光學(xué)相對折射率差、Ge及F濃度。
第一層半徑(r1)1.66μm。
第二層半徑(r2)3.33μm。
第三層半徑(r3)4.43μm。
第一層Ge濃度(nG1)5.0質(zhì)量％。第一層F濃度(nF1)0.45質(zhì)量％。
第二層Ge濃度(nG2)3.5質(zhì)量％。第二層F濃度(nF2)0.00質(zhì)量％。
第三層Ge濃度(nG3)5.0質(zhì)量％。第三層F濃度(nF3)0.45質(zhì)量％。
相對折射率差(Δ)0.35％。
調(diào)整了第一層、第二層及第三層的各自的Ge濃度和F濃度，使得相對折射率差Δ相同，都成為0.35％。由此獲得的光學(xué)特性與第四實(shí)施方式相同。
圖19表示由圖18A～圖18C的折射率分布獲得的光纖的相對布里淵增益譜。將實(shí)施例1及比較例的光纖的布里淵增益的最大值設(shè)為1，而進(jìn)行了歸一化。相對布里淵增益的最大值變?yōu)?.44，SBS閾值功率降低了3.9dB。
在本實(shí)施方式中，對于從小到大的10670MHz、10760MHz、11950MHz、11000MHz、11140MHz的頻率偏移而言，分別存在具有0.25、0.44、0.26、0.03、0.07的相對增益的峰值。
第八實(shí)施方式涉及如下一種光纖，其纖芯由中心附近的第一共摻雜層(第一層)、位于第一共摻雜層的外周的非共摻雜層(第二層)、以及位于非共摻雜層的外周的第二共摻雜層(第三層)構(gòu)成。圖20A～圖20C表示本實(shí)施方式的光纖的折射率分布及摻雜物分布。以下表示各層的直徑、光學(xué)相對折射率差、Ge及F濃度。
第一層半徑(r1)1.66μm。
第二層半徑(r2)3.33μm。
第三層半徑(r3)4.43μm。
第一層Ge濃度(nG1)5.0質(zhì)量％。第一層F濃度(nF1)0.45質(zhì)量％。
第二層Ge濃度(nG2)3.5質(zhì)量％。第二層F濃度(nF2)0.00質(zhì)量％。
第三層Ge濃度(nG3)5.5質(zhì)量％。第三層F濃度(nF3)0.60質(zhì)量％。
相對折射率差(Δ)0.35％。
調(diào)整了第一層、第二層及第三層的各自的Ge濃度和F濃度，使得相對折射率差Δ相同，都成為0.35％。由此獲得的光學(xué)特性與第四實(shí)施方式相同。
圖21表示由圖20A～圖20C的折射率分布獲得的光纖的相對布里淵增益譜。將實(shí)施例1及比較例的光纖的布里淵增益的最大值設(shè)為1，而進(jìn)行了歸一化。相對布里淵增益的最大值變?yōu)?.69，SBS閾值功率降低了2.9dB。
在本實(shí)施方式中，對于從小到大的10760MHz、10950MHz、11040MHz、11160MHz的頻率偏移而言，分別存在具有0.69、0.24、0.06、0.04的相對增益的峰值。
第九實(shí)施方式涉及如下一種光纖，其纖芯由中心附近的第一共摻雜層(第一層)、位于第一共摻雜層的外周的非共摻雜層(第二層)、以及位于非共摻雜層的外周的第二共摻雜層(第三層)構(gòu)成。圖22A～圖22C表示本實(shí)施方式的光纖的折射率分布及摻雜物分布。以下示出各層的直徑、光學(xué)相對折射率差、Ge及F濃度。
第一層半徑(r1)1.66μm。
第二層半徑(r2)3.33μm。
第三層半徑(r3)4.43μm。
第一層Ge濃度(nG1)5.0質(zhì)量％。第一層F濃度(nF1)0.45質(zhì)量％。
第二層Ge濃度(nG2)3.5質(zhì)量％。第二層F濃度(nF2)0.00質(zhì)量％。
第三層Ge濃度(nG3)7.0質(zhì)量％。第三層F濃度(nF3)1.05質(zhì)量％。
相對折射率差(Δ)0.35％。
調(diào)整了第一層、第二層及第三層的各自的Ge濃度和F濃度，使得相對折射率差Δ相同，都成為0.35％。由此獲得的光學(xué)特性與第四實(shí)施方式相同。
圖23表示由圖22A～圖22C的折射率分布獲得的光纖的相對布里淵增益譜。將實(shí)施例1及比較例的光纖的布里淵增益的最大值設(shè)為1，而進(jìn)行了歸一化。相對布里淵增益的最大值變?yōu)?.44，SBS閾值功率降低了4.0dB。
在本實(shí)施方式中，對于從小到大的10760MHz、10900MHz、10960MHz、11120MHz的頻率偏移而言，分別存在具有0.44、0.24、0.18、0.13的相對增益的峰值。
第十實(shí)施方式涉及如下一種光纖，其纖芯由中心附近的第一共摻雜層(第一層)、位于第一共摻雜層的外周的非共摻雜層(第二層)、以及位于非共摻雜層的外周的第二共摻雜層(第三層)構(gòu)成。圖24A～圖24C表示本實(shí)施方式的光纖的折射率分布及摻雜物分布。以下表示各層的直徑、光學(xué)相對折射率差、Ge及F濃度。
第一層半徑(r1)1.66μm。
第二層半徑(r2)3.33μm。
第三層半徑(r3)4.43μm。
第一層Ge濃度(nG1)7.0質(zhì)量％。第一層F濃度(nF1)1.05質(zhì)量％。
第二層Ge濃度(nG2)3.5質(zhì)量％。第二層F濃度(nF2)0.00質(zhì)量％。
第三層Ge濃度(nG3)7.0質(zhì)量％。第三層F濃度(nF3)1.05質(zhì)量％。
相對折射率差(Δ)0.35％。
調(diào)整了第一層、第二層及第三層的各自的Ge濃度和F濃度，使得相對折射率差Δ相同，都成為0.35％。由此獲得的光學(xué)特性與第四實(shí)施方式相同。
圖25表示由圖24A～圖24C的折射率分布獲得的光纖的相對布里淵增益譜。將實(shí)施例1及比較例的光纖的布里淵增益的最大值設(shè)為1，而進(jìn)行了歸一化。相對布里淵增益的最大值變?yōu)?.34，SBS閾值功率降低了4.7dB。
在本實(shí)施方式中，對于從小到大的10420MHz、10520MHz、10660MHz、10900MHz、11010MHz的頻率偏移而言，分別存在具有0.34、0.21、0.09、0.05、0.21的相對增益的峰值。
圖26表示使用了本發(fā)明涉及的光纖1的、由PON構(gòu)成的光傳輸系統(tǒng)(波分復(fù)用傳輸系統(tǒng))10。光傳輸系統(tǒng)10以ITU-T G.983.3的規(guī)定為基準(zhǔn)，利用波長1.31μm及1.49μm進(jìn)行數(shù)據(jù)信號的傳輸，并利用波長1.55μm進(jìn)行圖像信號的傳輸。圖26作為數(shù)據(jù)傳輸?shù)睦?，表示通過互聯(lián)網(wǎng)及流的方式進(jìn)行數(shù)碼圖像分發(fā)的例子。但是，通過追加適當(dāng)?shù)难b置，也可以進(jìn)行聲音信號的傳輸。并且，1.55μm波段的圖像傳輸廣泛使用如下方式，即，將普通的廣播波以模擬信號的形式直接傳送。在該種方式中，在用戶側(cè)的廣播系統(tǒng)接收部中，可以解調(diào)為原來的廣播波的信號，從而可以原封不動地使用以往的電視接收機(jī)。
在圖26的系統(tǒng)中，以一根光纖1進(jìn)行數(shù)據(jù)信號及模擬信號(圖像信號)的傳輸。但是，在本發(fā)明的傳輸系統(tǒng)中，也可分別使用數(shù)據(jù)信號用光纖和模擬信號用光纖。在該種系統(tǒng)中，通過使用本發(fā)明的光纖，可以獲得延長傳輸距離等的效果。
以上，對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不局限于這些實(shí)施例。在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)的追加、省略、置換及其他變更。本發(fā)明不由上述說明限定，而僅由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種光纖，其特征在于，具有中心纖芯、以及位于該纖芯的外周的包層，上述纖芯具有至少一層共摻雜層，由摻雜了鍺及氟的石英玻璃構(gòu)成；以及至少一層低濃度共摻雜層，由摻雜了鍺的石英玻璃，或摻雜了鍺和氟、且上述氟的摻雜量與上述共摻雜層相比為少量的石英玻璃構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，上述纖芯由位于中心附近的內(nèi)側(cè)纖芯和設(shè)置于該內(nèi)側(cè)纖芯外周的外側(cè)纖芯構(gòu)成，上述內(nèi)側(cè)纖芯由共摻雜層構(gòu)成，該共摻雜層由摻雜了鍺及氟的石英玻璃構(gòu)成，上述外側(cè)纖芯由低濃度共摻雜層構(gòu)成，該低濃度共摻雜層由摻雜了鍺的石英玻璃，或摻雜了鍺和氟、且上述氟的摻雜量與上述內(nèi)側(cè)纖芯相比為少量的石英玻璃構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，上述包層由未摻雜摻雜物的石英玻璃構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，在上述包層的局部摻雜了氟。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光纖，其特征在于，上述包層由設(shè)置于上述纖芯外周的內(nèi)側(cè)包層和設(shè)置于該內(nèi)側(cè)包層的外周的外側(cè)包層構(gòu)成，當(dāng)設(shè)上述內(nèi)側(cè)包層的折射率為nc1、上述外側(cè)包層的折射率為nc2時(shí)，具有nc1＜nc2的關(guān)系。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光纖，其特征在于，上述包層由設(shè)置于上述纖芯外周的內(nèi)側(cè)包層、設(shè)置于該內(nèi)側(cè)包層的外周的凹槽層、以及設(shè)置于該凹槽層的外側(cè)的外側(cè)包層構(gòu)成，當(dāng)設(shè)上述內(nèi)側(cè)包層的折射率為nc1、上述凹槽層的折射率為nc2、上述外側(cè)包層的折射率為nc3時(shí)，具有nc2＜nc1、且nc2＜nc3的關(guān)系。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，上述內(nèi)側(cè)纖芯的上述鍺的濃度以氧化鍺換算在4～15質(zhì)量％的范圍內(nèi)，上述氟的濃度在0.2～5質(zhì)量％的范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，內(nèi)側(cè)纖芯直徑與外側(cè)纖芯直徑之比在0.10～0.85的范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光纖，其特征在于，上述內(nèi)側(cè)纖芯直徑與上述外側(cè)纖芯直徑之比在0.25～0.70的范圍內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，上述內(nèi)側(cè)纖芯與上述外側(cè)纖芯的光學(xué)折射率實(shí)質(zhì)上相等。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光纖，其特征在于，上述內(nèi)側(cè)纖芯與上述外側(cè)纖芯的相對于上述包層的相對折射率差的平均值在0.30％～0.60％的范圍內(nèi)，外側(cè)纖芯直徑在6.0～10.5μm的范圍內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，上述纖芯由位于中心附近的上述第一纖芯、設(shè)置于該第一纖芯的外周的第二纖芯、以及設(shè)置于該第二纖芯的外周的第三纖芯構(gòu)成，上述第一纖芯及上述第三纖芯由共摻雜層構(gòu)成，該共摻雜層由摻雜了鍺及氟的石英玻璃構(gòu)成，上述第二纖芯由低濃度共摻雜層構(gòu)成，該低濃度共摻雜層由摻雜了鍺的石英玻璃，或摻雜了鍺及氟、且上述氟的摻雜量與上述內(nèi)側(cè)纖芯相比為少量的石英玻璃構(gòu)成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光纖，其特征在于，當(dāng)設(shè)上述第一纖芯的氟濃度為nf1質(zhì)量％、上述第二纖芯的氟濃度為nf2質(zhì)量％、上述第三纖芯的氟濃度為nf3質(zhì)量％時(shí)，具有nf1＞nf2、且nf3＞nf2的關(guān)系。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光纖，其特征在于，nf1與nf3大致相等。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光纖，其特征在于，具有nf1＜nf3的關(guān)系
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光纖，其特征在于，具有nf1＞nf3的關(guān)系。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，其特征在于，光學(xué)特性滿足ITU-T Recommendation G.652的規(guī)定。
18.一種傳輸系統(tǒng)，其特征在于，構(gòu)成為使用權(quán)利要求1所述的光纖，進(jìn)行模擬信號傳輸或基帶信號傳輸。
19.一種波分復(fù)用傳輸系統(tǒng)，其特征在于，構(gòu)成為使用權(quán)利要求1所述的光纖，進(jìn)行模擬信號傳輸和/或基帶信號傳輸，并且進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸和/或聲音傳輸。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光纖，其包括中心纖芯、以及位于該纖芯外周的包層，上述纖芯具有至少一層共摻雜層，其由摻雜了鍺及氟的石英玻璃構(gòu)成；以及至少一層低濃度共摻雜層，其由摻雜了鍺的石英玻璃，或摻雜了鍺和與上述共摻雜層相比為少量的氟的石英玻璃構(gòu)成。
文檔編號G02B6/02GK101044421SQ20058003554
公開日2007年9月26日 申請日期2005年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月22日
發(fā)明者松尾昌一郎, 谷川莊二, 姬野邦治 申請人:株式會社藤倉