一種用于驅(qū)動像素電路的方法與流程

本發(fā)明屬于顯示控制技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，尤其涉及一種用于驅(qū)動amoled像素電路的方法。

背景技術(shù)：

如圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中一種amoled(activematrixorganiclightemittingdiode，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管)像素電路結(jié)構(gòu)示意圖，該像素電路包括開關(guān)薄膜晶體管t11、驅(qū)動薄膜晶體管t12、控制薄膜晶體管t13、存儲電容c14和有機(jī)發(fā)光二極管oled15。其中，開關(guān)薄膜晶體管t11的柵極用于輸入掃描信號，源極用于輸入數(shù)據(jù)信號，漏極連接驅(qū)動薄膜晶體管t12的柵極。驅(qū)動薄膜晶體管t12的源極用于輸入第一驅(qū)動電壓ovdd，漏極連接控制薄膜晶體管t13的漏極和有機(jī)發(fā)光二極管oled15的陽極?？刂票∧ぞw管t13的柵極用于輸入控制信號sen，源極用于輸入使能信號vcm_en。存儲電容c14的一端連接驅(qū)動薄膜晶體管t12的柵極，另一端連接驅(qū)動薄膜晶體管t12的漏極。有機(jī)發(fā)光二極管oled15的陰極連接第二驅(qū)動電壓ovss。

對于圖1所示的像素電路結(jié)構(gòu)，通過對各像素電路結(jié)構(gòu)中的驅(qū)動薄膜晶體管t12柵極和漏極之間的閾值電壓vth和電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)k的差異性進(jìn)行補(bǔ)償來提高面板亮度均勻性。但是，有機(jī)發(fā)光二極管oled15的發(fā)光效率η的差異性也會導(dǎo)致面板亮度不均勻?，F(xiàn)有像素電路可補(bǔ)償k、vth差異，但未能補(bǔ)償有機(jī)發(fā)光二極管oled15發(fā)光效率η的差異。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為解決以上問題，本發(fā)明提供了一種用于驅(qū)動像素電路的方法，用以補(bǔ)償有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率，以提高面板的亮度均勻性。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供了一種用于驅(qū)動像素電路的方法，所述像素電路包括開關(guān)薄膜晶體管、驅(qū)動薄膜晶體管、控制薄膜晶體管、存儲電容和有機(jī)發(fā)光二極管，所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極用于輸入掃描信號，源極用于輸入數(shù)據(jù)信號，漏極連接所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極；所述驅(qū)動薄膜晶體管的源極用于輸入第一驅(qū)動電壓，漏極連接所述控制薄膜晶體管的漏極和所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極；所述控制薄膜晶體管的柵極用于輸入控制信號，源極用于輸入使能信號；所述存儲電容的第一端連接所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極，第二端連接所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極連接第二驅(qū)動電壓，

所述方法包括：

向所述像素電路施加掃描信號、數(shù)據(jù)信號、控制信號、使能信號、第一驅(qū)動電壓和第二驅(qū)動電壓，并依次獲得所述驅(qū)動薄膜晶體管的實際閾值電壓和實際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)、所述有機(jī)發(fā)光二極管的實際發(fā)光效率；

根據(jù)獲得的所述驅(qū)動薄膜晶體管的實際閾值電壓和實際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)、所述有機(jī)發(fā)光二極管的實際發(fā)光效率，計算輸入至所述開關(guān)薄膜晶體管的源極的補(bǔ)償數(shù)據(jù)信號，以對所述驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓和電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)、所述有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率進(jìn)行補(bǔ)償。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，獲得所述驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓，包括：

分別向所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極施加掃描信號、源極施加第一數(shù)據(jù)信號，以使得所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極達(dá)到第一預(yù)置初始電位，同時分別向所述控制薄膜晶體管的柵極施加控制信號、源極施加使能信號，以使得所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極達(dá)到預(yù)定初始電位；

停止向所述控制薄膜晶體管的源極施加使能信號，在所述第一驅(qū)動電壓對所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極進(jìn)行充電至所述像素電路穩(wěn)定后，采集所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極的電位值；

根據(jù)所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極的電位值和漏極的電位值，計算得到所述驅(qū)動薄膜晶體管的實際閾值電壓。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述第一預(yù)置初始電位、所述驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓和所述預(yù)定初始電位滿足以下條件：

vtholed＞vdata-vcm＞vth

其中，vtholed表示所述有機(jī)發(fā)光二極管的閾值電壓，vdata表示所述第一預(yù)置初始電位，vcm表示所述預(yù)定初始電位，vth表示所述驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，計算得到所述驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓進(jìn)一步包括通過計算所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極和漏極之間的電位差得到所述實際閾值電壓。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，獲得所述驅(qū)動薄膜晶體管的電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)，包括：

分別向所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極施加掃描信號、源極施加第二數(shù)據(jù)信號，以使得所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極達(dá)到第二預(yù)置初始電位，同時分別向所述控制薄膜晶體管的柵極施加控制信號、源極施加使能信號，以使得所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極達(dá)到預(yù)定初始電位，其中，所述第二預(yù)置初始電位等于所述第一預(yù)置初始電位與所述驅(qū)動薄膜晶體管的實際閾值電壓的和；

同時停止向所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極施加掃描信號和向所述控制薄膜晶體管的源極施加使能信號，所述第一驅(qū)動電壓對所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極進(jìn)行充電；

對所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極充電預(yù)定時間后，采集所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極的電位值；

根據(jù)所述驅(qū)動薄膜晶體管的預(yù)定目標(biāo)電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)及對應(yīng)的漏極電位值，以及獲得的所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極的電位值和所述預(yù)定初始電位計算所述驅(qū)動薄膜晶體管的實際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，計算所述驅(qū)動薄膜晶體管的電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)，包括：通過下式計算所述電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)：

k0/k＝(vs01-vcm)/(vs-vcm)

其中，k0表示所述驅(qū)動薄膜晶體管的預(yù)定目標(biāo)電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)，k表示所述驅(qū)動薄膜晶體管的實際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)，vs表示所述驅(qū)動薄膜晶體管的實際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)對應(yīng)的漏極的電位，vs01表示所述驅(qū)動薄膜晶體管的預(yù)定目標(biāo)電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)對應(yīng)的漏極的電位。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，獲得所述有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率，包括：

分別向所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極施加掃描信號、源極施加第三數(shù)據(jù)信號，以使得所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極達(dá)到第三預(yù)置初始電位，同時分別向所述控制薄膜晶體管的柵極施加控制信號、源極施加使能信號，以使得所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極達(dá)到預(yù)定初始電位，其中，通過所述驅(qū)動薄膜晶體管的第一預(yù)置初始電位和實際閾值電壓、預(yù)定目標(biāo)閾值電壓、預(yù)定初始電位計算所述第三預(yù)置初始電位；

同時停止向所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極施加掃描信號和向所述控制薄膜晶體管的源極施加使能信號，使得所述第一驅(qū)動電壓經(jīng)由所述驅(qū)動薄膜晶體管流過所述有機(jī)發(fā)光二極管的電流恒定；

對所述有機(jī)發(fā)光二極管充電至其兩端跨壓穩(wěn)定后，采集所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏極的電位值；

基于有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光效率與跨壓的反比例關(guān)系，根據(jù)有機(jī)發(fā)光二極管的預(yù)定目標(biāo)發(fā)光效率及對應(yīng)的驅(qū)動薄膜晶體管的漏極的電位值、所述第二驅(qū)動電壓，計算所述有機(jī)發(fā)光二極管的實際發(fā)光效率。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，計算所述第三預(yù)置初始電位，包括：通過下式計算所述第三預(yù)置初始電位：

其中，vg″表示所述第三預(yù)置初始電位，δvth表示所述驅(qū)動薄膜晶體管的預(yù)定目標(biāo)閾值電壓與實際閾值電壓的差值。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，計算所述有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率，包括：通過下式計算所述有機(jī)發(fā)光二極管的實際發(fā)光效率：

η0/η＝(vs-ovss)/(vs02-ovss)

其中，η0表示所述有機(jī)發(fā)光二極管的預(yù)定目標(biāo)發(fā)光效率，η表示所述有機(jī)發(fā)光二極管的實際發(fā)光效率，vs02表示所述有機(jī)發(fā)光二極管的預(yù)定目標(biāo)發(fā)光效率對應(yīng)的驅(qū)動薄膜晶體管的漏極的電位，ovss表示所述第二驅(qū)動電壓，vs表示所述有機(jī)發(fā)光二極管的實際發(fā)光效率對應(yīng)驅(qū)動薄膜晶體管的漏極的電位。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，根據(jù)獲得的所述驅(qū)動薄膜晶體管的實際閾值電壓和電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)、所述有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率，計算輸入至所述開關(guān)薄膜晶體管的源極的數(shù)據(jù)信號，包括：

利用下式對所述驅(qū)動薄膜晶體管的實際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)、所述有機(jī)發(fā)光二極管的實際發(fā)光效率進(jìn)行補(bǔ)償：

其中，vg'表示對所述驅(qū)動薄膜晶體管的實際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)、所述有機(jī)發(fā)光二極管的實際發(fā)光效率進(jìn)行補(bǔ)償后的柵極的電位；

利用下式對所述驅(qū)動薄膜晶體管的實際閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償；

vg″＝vg′+δvth

其中，vg″表示對所述驅(qū)動薄膜晶體管的實際閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償后的柵極的電位值，δvth表示所述驅(qū)動薄膜晶體管的預(yù)定目標(biāo)閾值電壓與實際閾值電壓的差值；

根據(jù)所述驅(qū)動薄膜晶體管的實際閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償后的柵極的電位，確定輸入至所述開關(guān)薄膜晶體管的源極的補(bǔ)償數(shù)據(jù)信號。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明通過預(yù)定順序獲得并補(bǔ)償驅(qū)動薄膜晶體管的實際閾值電壓和實際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)、有機(jī)發(fā)光二極管的實際發(fā)光效率，可以提高面板的亮度均勻性。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要的附圖做簡單的介紹：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種amoled像素電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a是現(xiàn)有技術(shù)中對圖1所示像素電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓和電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)偵測順序的流程圖；

圖2b是現(xiàn)有技術(shù)中對圖1所示像素電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓和電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)補(bǔ)償順序的流程圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于驅(qū)動像素電路的方法流程圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的amoled像素電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5a是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓偵測時各信號波形示意圖；

圖5b是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的驅(qū)動薄膜晶體管的電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)偵測時各信號波形示意圖；

圖5c是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率偵測時各信號波形示意圖。

具體實施方式

以下將結(jié)合附圖及實施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實施方式，借此對本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個實施例以及各實施例中的各個特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

如圖1所示的amoled像素電路結(jié)構(gòu)中，有機(jī)發(fā)光二極管oled15的亮度l與其電流ioled成正比：

l＝η*ioled(1)

其中，η表示有機(jī)發(fā)光二極管oled15的發(fā)光效率。

驅(qū)動薄膜晶體管t12工作在飽和區(qū)，通過其柵極的電壓控制其源漏極之間的電流ids：

ids＝k(vg-vg-vth)²(2)

其中，k表示驅(qū)動薄膜晶體管的實際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)，vg表示驅(qū)動薄膜晶體管t12的柵極電位，vs表示驅(qū)動薄膜晶體管t12的漏極電位，vth表示驅(qū)動薄膜晶體管t12的實際閾值電壓。

由于有機(jī)發(fā)光二極管oled15與驅(qū)動薄膜晶體管t12串聯(lián)，所以：

ids＝ioled(3)

對于顯示面板中的每個像素，由于驅(qū)動薄膜晶體管t12的vth、k差異性，以及有機(jī)發(fā)光二極管t12的發(fā)光效率η的差異性，會導(dǎo)致vth、k相同的情況下，像素間電流ids存在差異。

現(xiàn)有技術(shù)中采用圖2a所示的順序來獲得驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓和電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)，采用圖2b所示的順序來補(bǔ)償驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓和電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)。通過驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓和電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)對柵極的電壓進(jìn)行補(bǔ)償：

其中，k表示當(dāng)前像素的驅(qū)動薄膜晶體管的實際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)，k0表示預(yù)定目標(biāo)電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)，δvth表示當(dāng)前像素的實際閾值電壓與目標(biāo)閾值電壓的差異值。

將每個像素的驅(qū)動薄膜晶體管柵極處的電位由vg″代替vg進(jìn)行驅(qū)動，可補(bǔ)償像素的驅(qū)動薄膜晶體管的k、vth差異，但未能補(bǔ)償有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率η的差異。

因此，本發(fā)明提供了一種用于驅(qū)動amoled像素電路的方法，如圖3所示為根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的方法流程圖，以下參考圖3來對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。

該方法用于驅(qū)動圖4所示的amoled像素電路，該像素電路包括開關(guān)薄膜晶體管t21、驅(qū)動薄膜晶體管t22、控制薄膜晶體管t23、存儲電容c和有機(jī)發(fā)光二極管oled。該開關(guān)薄膜晶體管t21的柵極用于輸入掃描信號scan，源極用于輸入數(shù)據(jù)信號data，漏極連接驅(qū)動薄膜晶體管的柵極。驅(qū)動薄膜晶體管t22的源極用于輸入第一驅(qū)動電壓ovdd，漏極連接控制薄膜晶體管t23的漏極和有機(jī)發(fā)光二極管oled的陽極。有機(jī)發(fā)光二極管oled的陰極連接第二驅(qū)動電壓ovss，控制薄膜晶體管t23的柵極用于輸入控制信號sen，源極用于輸入使能信號vcm。存儲電容c的第一端連接驅(qū)動薄膜晶體管t22的柵極，第二端連接驅(qū)動薄膜晶體管t22的漏極。另外，為方便數(shù)據(jù)采集，在控制薄膜晶體管t23的漏極還設(shè)置有數(shù)據(jù)采集電路adc。

該方法包括以下兩個步驟。在步驟s110中，向像素電路施加對應(yīng)的掃描信號、數(shù)據(jù)信號、控制信號、使能信號、第一驅(qū)動電壓和第二驅(qū)動電壓，并依次獲得驅(qū)動薄膜晶體管的實際閾值電壓和實際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)、有機(jī)發(fā)光二極管的實際發(fā)光效率。在步驟s120中，根據(jù)獲得的驅(qū)動薄膜晶體管的實際閾值電壓和實際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)、有機(jī)發(fā)光二極管的實際發(fā)光效率計算輸入至開關(guān)薄膜晶體管的源極的補(bǔ)償數(shù)據(jù)信號，以對驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓和電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)、有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光效率進(jìn)行補(bǔ)償。

在步驟s110中，首先獲得驅(qū)動薄膜晶體管t22的閾值電壓vth。具體的，參見圖5a，先分別向開關(guān)薄膜晶體管t21的柵極施加掃描信號scan、源極施加第一數(shù)據(jù)信號data1，以使得驅(qū)動薄膜晶體管t22的柵極達(dá)到第一預(yù)置初始電位vdata，同時分別向控制薄膜晶體管t23的柵極施加控制信號sen、源極施加使能信號vcm_en，以使得驅(qū)動薄膜晶體管t22的漏極達(dá)到預(yù)定初始電位vcm。

然后，停止向控制薄膜晶體管t23的源極施加使能信號vcm_en，第一驅(qū)動電壓ovdd對驅(qū)動薄膜晶體管的漏極進(jìn)行充電，待像素電路達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)后，采集驅(qū)動薄膜晶體管t22的漏極的電位值vs。待像素電路穩(wěn)定后，驅(qū)動薄膜晶體管的漏極會充電至vdata-vth，該處的電位值可通過數(shù)據(jù)采集電路adc讀取。

最后，根據(jù)驅(qū)動薄膜晶體管t22的柵極的電位值和漏極的電位值計算得到驅(qū)動薄膜晶體管t22的實際閾值電壓vth。實際閾值電壓vth通過求取驅(qū)動薄膜晶體管的柵極和漏極之間的電位差得到，即：

vth＝vg-vs(5)。

由式(5)可知，為保證驅(qū)動薄膜晶體管管的漏極會充電至vdata-vth，驅(qū)動薄膜晶體管t22需打開，使得第一驅(qū)動電壓對驅(qū)動薄膜晶體管管的漏極充電，需滿足vdata-vcm＞vth；但不需要點亮有機(jī)發(fā)光二極管oled，需滿足vtholed＞vdata-vcm＞vth，vtholed表示有機(jī)發(fā)光二極管oled的閾值電壓。

接著，獲得驅(qū)動薄膜晶體管t22的實際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)k。具體的，參見圖5b，先向開關(guān)薄膜晶體管t21的柵極施加掃描信號scan、源極施加第二數(shù)據(jù)信號data2，以使得驅(qū)動薄膜晶體管t22的柵極處達(dá)到第二預(yù)置初始電位vdata+vth。同時分別向控制薄膜晶體管t23的柵極施加控制信號sen、源極施加使能信號vcm_en，以使得驅(qū)動薄膜晶體管t22的漏極達(dá)到預(yù)定初始電位vcm。其中，第二預(yù)置初始電位等于第一預(yù)置初始電位與驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓的和。該過程對應(yīng)圖5b中的t41時間段。

然后，同時停止向開關(guān)薄膜晶體管t21的柵極施加掃描信號和向控制薄膜晶體管t22的源極施加使能信號，第一驅(qū)動電壓ovdd對驅(qū)動薄膜晶體管t22的漏極進(jìn)行充電。同時斷開驅(qū)動薄膜晶體管t22的柵極和控制薄膜晶體管t23的源極的電源供應(yīng)后，驅(qū)動薄膜晶體管t22的柵極和漏極之間的壓差vgs恒定并且大于其實際閾值電壓vth，則驅(qū)動薄膜晶體管t22打開，有一固定電流ids對驅(qū)動薄膜晶體管t22的漏極充電。此時，ids已經(jīng)消除驅(qū)動薄膜晶體管t22的實際閾值電壓的影響，該固定電流ids表示為：

ids＝k(vgs-vth)²＝k(vdata-vcm)²(6)

其中，k表示當(dāng)前像素的驅(qū)動薄膜晶體管t22的實際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)。

然后，對該驅(qū)動薄膜晶體管的漏極充電預(yù)定時間后，采集驅(qū)動薄膜晶體管22的漏極的電位值。具體的，對驅(qū)動薄膜晶體管22的漏極充電預(yù)定時間t42(例如可選取斷開驅(qū)動薄膜晶體管22的柵極和漏極的電源供應(yīng)后漏極點電位值變化過程中的某一段時間，否則漏極點位穩(wěn)定后電路中無電流流動，無法監(jiān)測電流的流量)后，再對驅(qū)動薄膜晶體管22的漏極進(jìn)行采樣，此時，漏極的電位為vcm+ids*t42/c,c表示存儲電容c的電容值，并且vcm+ids*t41/c＜vtholed，則：

ids＝(vs-vcm)*c/t41(7)

最后，根據(jù)驅(qū)動薄膜晶體管t22的預(yù)定目標(biāo)電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)及對應(yīng)的漏極電位值，以及獲得的驅(qū)動薄膜晶體管t22的漏極的電位值和預(yù)定初始電位計算驅(qū)動薄膜晶體管t22的實際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)。具體的，選取驅(qū)動薄膜晶體管t22的預(yù)定目標(biāo)電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)及對應(yīng)的漏極的電位值，根據(jù)驅(qū)動薄膜晶體管t22的漏極的電位值和使能信號(可以得到預(yù)定初始電位vcm)計算驅(qū)動薄膜晶體管t22的實際電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)。具體的，選取一預(yù)定目標(biāo)驅(qū)動薄膜晶體管的電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)k0，并且該k0對應(yīng)的驅(qū)動薄膜晶體管的漏極的電位vs01已知(可通過統(tǒng)計方法求取驅(qū)動薄膜晶體管的多個電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)的平均值得到k0，對應(yīng)的漏極電位值的平均值得到vs01)，則通過下式可計算得到k：

k0/k＝(vs01-vcm)/(vs-vcm)(8)

或者，由式(6)可推知：

k＝ids/(vdata-vcm)²(9)

則根據(jù)式(7)計算得到的ids，通過式(9)計算得到驅(qū)動薄膜晶體管的電流電壓轉(zhuǎn)換系數(shù)k。式(8)可通過式(7)和式(9)推導(dǎo)得出，可避免引入存儲電容c的電容值和時間t41。

接下來，獲得有機(jī)發(fā)光二極管oled的實際發(fā)光效率η。具體的，先分別向開關(guān)薄膜晶體管t21的柵極施加掃描信號scan、源極施加第三數(shù)據(jù)信號data3，以使得驅(qū)動薄膜晶體管t23的柵極達(dá)到第三預(yù)置初始電位：

其中，δvth表示當(dāng)前像素的驅(qū)動薄膜晶體管t23的實際閾值電壓與預(yù)定目標(biāo)閾值電壓的差異值。第三預(yù)置初始電位根據(jù)第一預(yù)置初始電位vdata和閾值電壓vth、預(yù)定目標(biāo)閾值電壓、第一預(yù)定初始電位vcm計算得到，向控制薄膜晶體管的柵極施加控制信號、源極施加使能信號vcm_en，以使得驅(qū)動薄膜晶體管的漏極達(dá)到預(yù)定初始電位vcm。

然后，同時停止向開關(guān)薄膜晶體管t21的柵極施加掃描信號和向控制薄膜晶體管t23的源極施加使能信號vcm_en，使得第一驅(qū)動電壓經(jīng)由驅(qū)動薄膜晶體管流過有機(jī)發(fā)光二極管的電流恒定。同時斷開驅(qū)動薄膜晶體管的柵極和漏極的電源供應(yīng)后，兩者之間壓差vgs恒定，且能保證流過有機(jī)發(fā)光二極管oled的電流恒定，此時：

ids＝k(vg″-vcm)²＝k0(vdata-vcm)²(11)

然后，對有機(jī)發(fā)光二極管oled充電至其兩端跨壓穩(wěn)定后，采集驅(qū)動薄膜晶體管t23的漏極的電位值。如圖5c所示，有機(jī)發(fā)光二極管oled充電一段時間后，其陽極和陰極跨壓達(dá)到穩(wěn)定后，數(shù)據(jù)采集電路adc讀取驅(qū)動薄膜晶體管t23的漏極處的電壓，可以獲得有機(jī)發(fā)光二極管oled在相同電流驅(qū)動下的不同跨壓。

最后，基于有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光效率與跨壓的反比例關(guān)系，根據(jù)有機(jī)發(fā)光二極管的預(yù)定目標(biāo)發(fā)光效率及對應(yīng)的驅(qū)動薄膜晶體管的漏極的電位值、第二驅(qū)動電壓ovss計算有機(jī)發(fā)光二極管oled的發(fā)光效率。相同電流下，有機(jī)發(fā)光二極管oled發(fā)光效率η與跨壓成反比，選取一目標(biāo)發(fā)光效率η0對該像素的oled的發(fā)光效率η進(jìn)行補(bǔ)償。有機(jī)發(fā)光二極管oled的實際發(fā)光效率η與目標(biāo)發(fā)光效率η0的關(guān)系表示為：

η0/η＝(vs-ovss)/(vs02-ovss)(12)

其中，vs02表示有機(jī)發(fā)光二極管oled為目標(biāo)發(fā)光效率η0時的vs電壓((可通過統(tǒng)計方法求取多個有機(jī)發(fā)光二極管oled發(fā)光效率的平均值得到η0，對應(yīng)的漏極電位值的平均值得到vs02)。

接下來，在步驟s120中，在顯示時，先進(jìn)行η、k補(bǔ)償，向開關(guān)薄膜晶體管t21的源極施加第四數(shù)據(jù)信號，該第四數(shù)據(jù)信號使得驅(qū)動薄膜晶體管的柵極的電位為：

然后補(bǔ)償驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓，補(bǔ)償后使得柵極的電位為：

vg″＝vg'+δvth(14)

經(jīng)過補(bǔ)償后的有機(jī)發(fā)光二極管oled的發(fā)光亮度計算公式為：

l＝η0*k0(vg-vs-vth0)²(15)

其中，vth0表示驅(qū)動薄膜晶體管的預(yù)定閾值電壓，δvth為驅(qū)動薄膜晶體管的預(yù)定閾值電壓與偵測得到的實際閾值電壓的差值。

由式(15)可以看出，本發(fā)明提供的方法可以補(bǔ)償amoled顯示面板驅(qū)動薄膜晶體管的vth、k，及有機(jī)發(fā)光二極管oled的η。

雖然本發(fā)明所公開的實施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。