一種AMOLED面板及該面板像素驅(qū)動(dòng)電路的漂移補(bǔ)償方法與流程

本發(fā)明涉及一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體的亮度調(diào)節(jié)技術(shù)。

背景技術(shù)：

AMOLED作為新一代的顯示技術(shù)，其具有低功耗、高色域、高亮度、高分辨率、寬視角和高響應(yīng)速度的優(yōu)點(diǎn)，因此，AMOLED面板備受市場(chǎng)的青睞。

在薄膜晶體管液晶顯示器中，亮度是由電壓控制的，只要將像素電壓的精度控制到幾個(gè)毫伏，就可以限制亮度的不均勻性在所需要的±1％范圍內(nèi)，這是容易達(dá)到的，因?yàn)樵诒∧ぞw管液晶顯示器中，像素薄膜晶體管不需要對(duì)電壓信號(hào)進(jìn)行傳送變換，只需要將電壓信號(hào)直接從數(shù)據(jù)線傳送到像素上的開(kāi)關(guān)即可。而在AMOLED中，亮度是由流過(guò)OLED電流控制的，仍然要求亮度的不均勻性在所需要的±1％范圍內(nèi)，這就意味著要求將AMOLED面板的電流控制在±1％范圍內(nèi)。由于大部分現(xiàn)有的半導(dǎo)體元件產(chǎn)品電路都傳輸電壓信號(hào)，而不是電流信號(hào)，所以必須將AMOLED面板的電壓信號(hào)轉(zhuǎn)化為電流信號(hào)后，將電流信號(hào)儲(chǔ)存在AMOLED面板的一幀像素周期內(nèi)，然而這個(gè)過(guò)程很難完成。由于AMOLED面板的低溫多晶硅薄膜晶體管的閥值電壓和溝道遷移率在空間分布是不均勻的，導(dǎo)致AMOLED面板的非晶硅薄膜晶體管的閥值電壓和溝道遷移率會(huì)隨時(shí)間偏移，這些缺點(diǎn)都會(huì)造成顯示屏亮度的不均勻性和不穩(wěn)定性。

現(xiàn)有的AMOLED面板驅(qū)動(dòng)電路為2T1C AMOLED面板驅(qū)動(dòng)電路，如圖1所示為現(xiàn)有的AMOLED面板驅(qū)動(dòng)電路；第一薄膜晶體管1的柵極與第n行柵極掃描信號(hào)線相連，第一薄膜晶體管1的源極與第n列通訊信號(hào)線相連，第一薄膜晶體管1的漏極同時(shí)與存儲(chǔ)電容3的一端和第二薄膜晶體管2的柵極相連；存儲(chǔ)電容3的另一端接地；第二薄膜晶體管2的源極與OLED驅(qū)動(dòng)線相連，第二薄膜晶體管2的漏極與OLED4的陽(yáng)極相連，OLED4的陰極接地；其中，第一薄膜晶體管1為用于控制存儲(chǔ)電容3充電的開(kāi)關(guān)，第二薄膜晶體管2為驅(qū)動(dòng)晶體管，第二薄膜晶體管2用于驅(qū)動(dòng)OLED4，存儲(chǔ)電容3用于存儲(chǔ)第n列通訊信號(hào)線的信號(hào)灰階電壓進(jìn)而控制第二薄膜晶體管2對(duì)OLED4的驅(qū)動(dòng)電流；2T1CAMOLED面板驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)過(guò)程包括兩個(gè)階段，第一階段為存儲(chǔ)電容3的充電階段，如圖2所示，在第一階段存儲(chǔ)電容3的充電電壓為Vdt；第二階段為OLED4的發(fā)光階段，如圖3所示，在第二階段流過(guò)OLED4的電流為I；所述在第二階段流過(guò)OLED4的電流I＝K*Vdd-Vth/2；其中，K為常數(shù)，K的值取決于第二薄膜晶體管2的溝道尺寸，即取決于第二薄膜晶體管2柵極絕緣層的介電常數(shù)以及半導(dǎo)體遷移率，Vdd為OLED驅(qū)動(dòng)線的電壓值，Vth為第二薄膜晶體管2的閥值電壓；由于第二薄膜晶體管2的閥值電壓Vth存在漂移，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)效果差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环NAMOLED面板及該面板像素驅(qū)動(dòng)電路的漂移補(bǔ)償方法。

本發(fā)明所述的一種AMOLED面板，像素驅(qū)動(dòng)電路；

漂移補(bǔ)償電路，其包括：

OLED電流監(jiān)測(cè)單元，其用于監(jiān)測(cè)流經(jīng)面板內(nèi)部OLED的電流大??；

補(bǔ)償電壓計(jì)算單元，其連接所述OLED電流監(jiān)測(cè)單元，用于根據(jù)所述OLED電流監(jiān)測(cè)單元獲得的OLED的電流大小計(jì)算補(bǔ)償電壓，并將補(bǔ)償電壓提供給所述像素驅(qū)動(dòng)電路中的驅(qū)動(dòng)晶體管，以補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電壓漂移。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述OLED電流監(jiān)測(cè)單元通過(guò)測(cè)量流經(jīng)面板外部dummy OLED的電流大小來(lái)確定面板內(nèi)部OLED的電流大小。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述像素驅(qū)動(dòng)電路中，用于驅(qū)動(dòng)第n行第m列的OLED的驅(qū)動(dòng)單元包括：

開(kāi)關(guān)晶體管，其柵極與第n行柵極掃描信號(hào)線的輸出端相連，其源極與第m列通訊信號(hào)線的輸出端相連；

存儲(chǔ)電容，其一端連接所述開(kāi)關(guān)晶體管的漏極，其另一端電性接地；

驅(qū)動(dòng)晶體管，其柵極連接所述開(kāi)關(guān)晶體管的漏極，其源極與OLED驅(qū)動(dòng)線相連，其漏極連接OLED的陽(yáng)極，所述OLED的陰極電性接地；

補(bǔ)償晶體管，其柵極與第n+1行柵極掃描信號(hào)線的輸出端相連，其源極與所述漂移補(bǔ)償電路的補(bǔ)償電壓計(jì)算單元的輸出端相連，用于接收補(bǔ)償電壓；

耦合電容，其一端連接所述補(bǔ)償晶體管的漏極，其另一端連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述補(bǔ)償電壓計(jì)算單元內(nèi)置以下算式，用以計(jì)算補(bǔ)償電壓：

$\mathrm{\Δ}V={\mathrm{\ΔV}}_{th}\·\frac{C1+C2+Cgd1+Cgd2+Cgs2+Cgd3}{C2}$

其中，ΔV_th是根據(jù)面板內(nèi)部OLED的電流變化算出的所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓漂移量，ΔV是補(bǔ)償電壓的幅度，C1和C2分別是所述存儲(chǔ)電容和耦合電容的大小，Cgd1、Cgd2、Cgd3分別是所述開(kāi)關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管和補(bǔ)償晶體管的寄生電容。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述漂移補(bǔ)償電路的補(bǔ)償電壓計(jì)算單元將補(bǔ)償電壓以脈沖周期信號(hào)的形式提供給所述像素驅(qū)動(dòng)電路中的驅(qū)動(dòng)單元，所述脈沖周期信號(hào)的脈寬等于柵極掃描信號(hào)的寬度。

本發(fā)明所述的一種AMOLED面板像素驅(qū)動(dòng)電路的漂移補(bǔ)償方法，包括以下步驟：

S100、監(jiān)測(cè)流經(jīng)面板內(nèi)部OLED的電流大??；

S200、根據(jù)流經(jīng)面板內(nèi)部OLED的電流大小計(jì)算補(bǔ)償電壓；

S300、將補(bǔ)償電壓提供給像素驅(qū)動(dòng)電路中的驅(qū)動(dòng)晶體管，以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的電壓漂移。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述步驟S100中，通過(guò)測(cè)量流經(jīng)面板外部dummyOLED的電流大小來(lái)確定面板內(nèi)部OLED的電流大小。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述步驟S300中，在第n行第m列的OLED的驅(qū)動(dòng)單元中，當(dāng)補(bǔ)償晶體管在第n+1行掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)的作用下導(dǎo)通時(shí)，補(bǔ)償電壓通過(guò)耦合電容加載到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述步驟S300中，補(bǔ)償電壓為脈沖周期信號(hào)，其脈寬等于柵極掃描信號(hào)的寬度。

本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明所述的漂移補(bǔ)償電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單；漂移補(bǔ)償電路輸出的補(bǔ)償信號(hào)電壓的大小通過(guò)OLED電流監(jiān)控單元流向補(bǔ)償半導(dǎo)體元件的電流大小進(jìn)行調(diào)節(jié)，補(bǔ)償信號(hào)電壓的大小更容易控制；在像素驅(qū)動(dòng)電路中增加了一個(gè)耦合電容和一個(gè)補(bǔ)償薄膜晶體管，減小驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漂移量，使補(bǔ)償信號(hào)的電壓更穩(wěn)定，驅(qū)動(dòng)效果更好。

上述技術(shù)特征可以各種適合的方式組合或由等效的技術(shù)特征來(lái)替代，只要能夠達(dá)到本發(fā)明的目的。

附圖說(shuō)明

在下文中將基于實(shí)施例并參考附圖來(lái)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述。其中：

圖1顯示了背景技術(shù)中現(xiàn)有的AMOLED面板像素驅(qū)動(dòng)電路；

圖2顯示了背景技術(shù)中現(xiàn)有的AMOLED面板像素驅(qū)動(dòng)過(guò)程中第一階段的驅(qū)動(dòng)電路；

圖3顯示了背景技術(shù)中現(xiàn)有的AMOLED面板像素驅(qū)動(dòng)過(guò)程中第二階段的驅(qū)動(dòng)電路；

圖4顯示了具體實(shí)施方式一所述的一種AMOLED面板像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5顯示了具體實(shí)施方式一中AMOLED面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6顯示了具體實(shí)施方式一中補(bǔ)償信號(hào)的電壓幅度的時(shí)序圖。

在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標(biāo)記。附圖并未按照實(shí)際的比例。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。

具體實(shí)施方式一：結(jié)合圖4至圖6說(shuō)明本實(shí)施方式，本實(shí)施方式所述的一種AMOLED面板包括像素驅(qū)動(dòng)電路和漂移補(bǔ)償電路7；

所述像素驅(qū)動(dòng)電路用于驅(qū)動(dòng)第n行第m列的OLED4；所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括開(kāi)關(guān)晶體管1、驅(qū)動(dòng)晶體管2、存儲(chǔ)電容3、補(bǔ)償晶體管5和耦合電容6；

所述漂移補(bǔ)償電路電路7包括OLED電流監(jiān)測(cè)單元15和補(bǔ)償電壓計(jì)算單元14；OLED電流監(jiān)測(cè)單元15用于監(jiān)測(cè)流經(jīng)面板內(nèi)部OLED的電流大?。谎a(bǔ)償電壓計(jì)算單元14與所述OLED電流監(jiān)測(cè)單元15相連；補(bǔ)償電壓計(jì)算單元14用于根據(jù)所述OLED電流監(jiān)測(cè)單元15獲得的OLED4的電流大小計(jì)算補(bǔ)償電壓，并將補(bǔ)償電壓提供給所述像素驅(qū)動(dòng)電路中的驅(qū)動(dòng)晶體管2，以補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)晶體管的電壓漂移。

所述開(kāi)關(guān)晶體管1的柵極與第n行柵極掃描信號(hào)線的輸出端相連，開(kāi)關(guān)晶體管1的源極與第m列通訊信號(hào)線的輸出端相連，開(kāi)關(guān)晶體管1的漏極同時(shí)與存儲(chǔ)電容3的一端和第二薄膜晶體管2的柵極相連；

所述存儲(chǔ)電容3的另一端電性接地；

所述驅(qū)動(dòng)晶體管2的源極與OLED驅(qū)動(dòng)線相連，第二薄膜晶體管2的漏極與OLED4的陽(yáng)極相連；

所述OLED4的陰極接地；

所述補(bǔ)償晶體管5的柵極與第n+1行柵極掃描信號(hào)線的輸出端相連，補(bǔ)償晶體管5的漏極與耦合電容6的一端相連；補(bǔ)償晶體管5的源極與補(bǔ)償電壓計(jì)算單元14的輸出端相連；

所述耦合電容6的另一端與驅(qū)動(dòng)晶體管2的柵極相連；

多個(gè)本實(shí)施方式中所述的一種AMOLED面板像素驅(qū)動(dòng)電路組成AMOLED面板，AMOLED面板還包括包括電源模塊13、信號(hào)接口8、時(shí)序控制器9、源集成電路10、灰度模塊11和門集成電路12；

所述信號(hào)接口8與外部接入信號(hào)相連，外部接入信號(hào)包括電源信號(hào)和低壓差分信號(hào)，低壓差分信號(hào)為顯示信號(hào)；

所述信號(hào)接口8的電源信號(hào)輸出端與電源模塊13的電源信號(hào)輸入端相連；信號(hào)接口8將外部信號(hào)的電源信號(hào)分配給電源模塊13；

所述信號(hào)接口8的低壓差分信號(hào)輸出端與時(shí)序控制器9的低壓差分信號(hào)輸入端相連；信號(hào)接口8將外部信號(hào)的低壓差分信號(hào)分配給時(shí)序控制器9；

所述電源模塊13的電壓信號(hào)的輸出端同時(shí)與時(shí)序控制器9、源集成電路10、灰度模塊11和門集成電路12的電壓信號(hào)輸入端相連；所述電源模塊13根據(jù)電源信號(hào)分別向時(shí)序控制器9、源集成電路10、灰度模塊11和門集成電路12提供不同的電壓信號(hào)。

所述時(shí)序控制器9的源集成電路控制信號(hào)輸出端與源集成電路10的源集成電路控制信號(hào)輸入端相連；時(shí)序控制器9的門集成電路控制信號(hào)輸出端與門集成電路12的門集成電路控制信號(hào)輸入端相連；時(shí)序控制器9根據(jù)低壓差分信號(hào)產(chǎn)生源集成電路10和門集成電路12能夠識(shí)別的控制信號(hào)。

所述灰度模塊11的基準(zhǔn)電壓信號(hào)輸出端與源集成電路10的基準(zhǔn)電壓信號(hào)輸入端相連；灰度模塊11為源集成電路10提供基準(zhǔn)電壓。

所述源集成電路10的輸出端為通訊信號(hào)的輸出端；通訊信號(hào)以多列通訊信號(hào)線的形式進(jìn)行輸出。

所述門集成電路12的輸出端為柵極掃描信號(hào)的輸出端；柵極掃描信號(hào)以多行柵極掃描信號(hào)線的方式輸出。

所述漂移補(bǔ)償電路的補(bǔ)償電壓計(jì)算單元將補(bǔ)償電壓以脈沖周期信號(hào)的形式提供給所述像素驅(qū)動(dòng)電路中的驅(qū)動(dòng)單元，所述脈沖周期信號(hào)的脈寬等于柵極掃描信號(hào)的寬度。

所述OLED電流監(jiān)測(cè)單元15通過(guò)測(cè)量流經(jīng)面板外部dummy OLED的電流大小來(lái)確定面板內(nèi)部OLED4的電流大小

在本實(shí)施方式中，所述補(bǔ)償電壓計(jì)算單元內(nèi)置以下算式，用以計(jì)算補(bǔ)償電壓：

$\mathrm{\Δ}V={\mathrm{\ΔV}}_{th}\·\frac{C1+C2+Cgd1+Cgd2+Cgs2+Cgd3}{C2}$

其中，ΔV_th是根據(jù)面板內(nèi)部OLED的電流變化算出的所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓漂移量，ΔV是補(bǔ)償電壓的幅度，C1和C2分別是所述存儲(chǔ)電容和耦合電容的大小，Cgd1、Cgd2、Cgd3分別是所述開(kāi)關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管和補(bǔ)償晶體管的寄生電容。

補(bǔ)償信號(hào)的電壓幅度的時(shí)序圖如圖6所示，在圖6中，ΔV為補(bǔ)償信號(hào)的電壓幅度，T為補(bǔ)償信號(hào)的脈沖周期。

具體實(shí)施方式二：本實(shí)施方式是基于具體實(shí)施方式一所述的AMOLED面板像素驅(qū)動(dòng)電路的漂移補(bǔ)償方法，在本實(shí)施方式中，包括以下步驟：

S100、監(jiān)測(cè)流經(jīng)面板內(nèi)部OLED的電流大??；通過(guò)測(cè)量流經(jīng)面板外部dummyOLED的電流大小來(lái)確定面板內(nèi)部OLED的電流大小。

S200、根據(jù)流經(jīng)面板內(nèi)部OLED的電流大小計(jì)算補(bǔ)償電壓；

S300、將補(bǔ)償電壓提供給像素驅(qū)動(dòng)電路中的驅(qū)動(dòng)晶體管，以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的電壓漂移；在第n行第m列的OLED的驅(qū)動(dòng)單元中，當(dāng)補(bǔ)償晶體管在第n+1行掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)的作用下導(dǎo)通時(shí)，補(bǔ)償電壓通過(guò)耦合電容加載到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極。補(bǔ)償電壓為脈沖周期信號(hào)，其脈寬等于柵極掃描信號(hào)的寬度。

雖然在本文中參照了特定的實(shí)施方式來(lái)描述本發(fā)明，但是應(yīng)該理解的是，這些實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的原理和應(yīng)用的示例。因此應(yīng)該理解的是，可以對(duì)示例性的實(shí)施例進(jìn)行許多修改，并且可以設(shè)計(jì)出其他的布置，只要不偏離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍。應(yīng)該理解的是，可以通過(guò)不同于原始權(quán)利要求所描述的方式來(lái)結(jié)合不同的從屬權(quán)利要求和本文中所述的特征。還可以理解的是，結(jié)合單獨(dú)實(shí)施例所描述的特征可以使用在其他所述實(shí)施例中。