專利名稱：液晶面板的驅(qū)動電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶面板的驅(qū)動電路。
背景技術(shù)：
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展以及人們生活質(zhì)量的提高，液晶顯示器在生活中已經(jīng)隨處可見，并且人們對液晶顯示器的要求越來越高，開始追求大的顯示畫面、快的響應(yīng)速度。但是隨著液晶顯示面板的增大布線的復(fù)雜度提高，而且隨著TFT (Thin Film Transistor、薄膜場效應(yīng)晶體管)基板驅(qū)動像素電極數(shù)量的增加線路延時以及因為TFT寄生電容的存在所帶來的反饋電壓對每個像素電極的影響使得精確控制像素電極的難度也跟著增加。圖I為基本的TFT陣列基板的電路驅(qū)動結(jié)構(gòu)示意圖，圖中在整個TFT基板上分布 著像素電極，每一個像素電極至少與一個薄膜晶體管的漏極D相連，每個薄膜晶體管的源極S至少連接一條數(shù)據(jù)線，數(shù)條數(shù)據(jù)線共同構(gòu)成了數(shù)據(jù)總線結(jié)構(gòu)；每一個薄膜晶體管的柵極G至少連接一條選通線，數(shù)條選通線共同構(gòu)成了選通總線結(jié)構(gòu)；數(shù)據(jù)總線和選通總線通過薄膜晶體管共同控制這些像素電極的數(shù)據(jù)寫入，如圖所示的基板上的第i列、第j行的像素電極P(i，j)共同受到選通線G(j)和數(shù)據(jù)線S(i)的控制，當(dāng)對該像素電極進行寫操作時，選通線G(j)處于高電平，保證薄膜晶體管T(i，j)處于導(dǎo)通狀態(tài)，此時通過數(shù)據(jù)線S(i)上所加的驅(qū)動電壓的大小使與像素電極P(i，j)相對的附近的液晶分子按照預(yù)定的偏轉(zhuǎn)方向偏轉(zhuǎn)，從而實現(xiàn)圖像的顯示。這樣的寫操作同時也是按行進行的，當(dāng)選通線G(j)處于高電平時將對第j行的所有像素電極進行寫操作。然而隨著矩陣分布的TFT基板中像素電極的行和列數(shù)量的增加，增長的選通線和數(shù)據(jù)線的會帶來驅(qū)動線路的延時；另一方面薄膜晶體管中的柵極G和漏極D之間寄生電容Cgd的存在將直接影響柵極電壓Vg對薄膜晶體管的導(dǎo)通和截止的控制，特別是在離選通總線電路較遠的末端的像素電極P(n，j)附近，由于選通信號在之前所經(jīng)過的η-l個薄膜晶體管的寄生電容Cgd帶來的的負反饋電壓的影響以及線路延時影響，此處不但響應(yīng)時間較長，同時也存在選通電壓因負反饋帶來的衰減，有可能使得薄膜晶體管T(n，j)不能導(dǎo)通，或者在施加使液晶分子偏轉(zhuǎn)的源極驅(qū)動電壓Vs(n，j)的固定時間內(nèi)不能導(dǎo)通或者不能全部導(dǎo)通，這將會使得該像素電極上的液晶分子不偏轉(zhuǎn)或者不能按照預(yù)定的方向偏轉(zhuǎn)，因此會帶來該區(qū)域附近的透射率的改變和對比度的變化，影響顯示質(zhì)量。圖2是每一個像素電極的驅(qū)動線路連接示意圖，其中第i條數(shù)據(jù)線S(i)與第i列第j行的薄膜晶體管T(i，j)的源極S相連，第j條選通線G(j)與第i列第j行的薄膜晶體管T(i，j)的柵極G相連，第i列第j行的薄膜晶體管T(i，j)的漏極D與第i列第j行的像素電極P(i，j)相連。Cgd是柵極G和漏極D之間的寄生電容，該寄生電容Cgd是在薄膜晶體管結(jié)構(gòu)特性所固有的。其中Clc;是處在TFT基板和CF基板之間的液晶電容，Cs是處在TFT基板和Vcom端之間的一個補償電容，該補償電容的存在是為了通過放電保證Cle上電壓降低時的補償，以適當(dāng)增大Clc;區(qū)域中的液晶分子的偏轉(zhuǎn)方向保持時間。圖3是圖I薄膜晶體管結(jié)構(gòu)情況下驅(qū)動電壓波形，VG(J)為由選通總線在第j行輸出理想波形，Vg(N, j)的波形是經(jīng)過前邊N-I個薄膜晶體管的寄生電容Cgd以及線路延時的波形，Vgh和Vgl分別是Vg(N，j)的高電壓和低電壓，當(dāng)電壓大于薄膜晶體管的導(dǎo)通閾值電壓VT時薄膜晶體管導(dǎo)通，同時數(shù)據(jù)線S(N)上的驅(qū)動電壓Vs(N，j)對該像素電極寫操作，驅(qū)動該像素電極附近的液晶分子偏轉(zhuǎn)。當(dāng)柵極電壓Vg(N，j)大于薄膜晶體管的導(dǎo)通電壓時，分別經(jīng)過Vg (N，j)上升沿對Clc;，Cs, Cgd充電，充電飽和，以及Vg (N，j)下降沿Cs，Cgd的反向放電形成線性壓降；特別是在Vg(N，j)下降沿Cs，Cgd的反向放電過程中，會帶來延時，從曲線上可以看出處于大于VT電壓的時間加長，也就是說本該截止的薄膜晶體管在寄生電容的影響下導(dǎo)通了。這樣的影響在漏極D—端就表現(xiàn)為Vd(N，j)的電壓漂移，加大了液晶分子處于偏轉(zhuǎn)狀態(tài)的時間，表現(xiàn)為本該不偏轉(zhuǎn)的液晶分子偏轉(zhuǎn)了，帶來對比度顯示的異常。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種液晶面板的驅(qū)動電路，能夠減小寄生電容帶來的延時影響，提高大尺寸液晶顯示器的質(zhì)量。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種液晶面板的驅(qū)動電路，包括柵極驅(qū)動器、源極驅(qū)動器、多條選通線及多條數(shù)據(jù)線，該多條選通線和數(shù)據(jù)線界定多個像素單元，每一像素單元包括一薄膜晶體管、一公共電極、一與薄膜晶體管電性連接的像素電極、及一修正電容，所述薄膜晶體管通過選通線及數(shù)據(jù)線分別與柵極驅(qū)動器及源極驅(qū)動器電性連接，所述公共電極與像素電極形成一液晶電容，所述薄膜晶體管包括一柵極及一漏極，所述修正電容電性連接于柵極與漏極之間，對柵極與漏極因結(jié)構(gòu)特性形成的寄生電容進行修正。所述薄膜晶體管還包括一源極，該源極通過數(shù)據(jù)線電性連接至源極驅(qū)動器。所述薄膜晶體管的柵極通過選通線電性連接至柵極驅(qū)動源，所述薄膜晶體管的漏 極與像素電極電性連接。所述修正電容一端連接至薄膜晶體管的柵極，另一端連接至像素電極。所述修正電容為一穩(wěn)壓電容，其容值小于柵極與漏極因結(jié)構(gòu)特性產(chǎn)生的寄生電容的容值。所述修正電容的額定電壓小于所述柵極與漏極因結(jié)構(gòu)特性產(chǎn)生的寄生電容的額定電壓。所述修正電容耐壓能力強。還包括一存儲電容，所述存儲電容與所述液晶電容并聯(lián)連接。本發(fā)明的有益效果本發(fā)明液晶面板的驅(qū)動電路通過在薄膜晶體管的柵極與漏極之間并聯(lián)一修正電容，對柵極與漏極產(chǎn)生的寄生電容的電壓進行限制，從而減少寄生電容因放電帶來的延長薄膜晶體管導(dǎo)通的時間，進而減小薄膜晶體管非導(dǎo)通狀態(tài)下的異常導(dǎo)通的可能性，進一步提高薄膜晶體管控制的精度，避免了液晶分子異常偏轉(zhuǎn)帶來的透射率的改變和對比度異常的現(xiàn)象，提高大尺寸使用該電路的液晶顯示器的質(zhì)量。為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式
詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。附圖中，圖I為現(xiàn)有TFT陣列基板的電路驅(qū)動結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有TFT陣列基板中像素電極的驅(qū)動線路連接示意圖；圖3為圖I中TFT陣列基板的薄膜晶體管導(dǎo)通延時時柵極驅(qū)動電壓波形示意圖；圖4為本發(fā)明中TFT陣列基板的電路驅(qū)動結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明液晶面板的驅(qū)動電路中像素單元的電路連接示意圖；圖6為本發(fā)明液晶面板的驅(qū)動電路薄膜晶體管柵極驅(qū)動電壓波形示意圖。
具體實施例方式為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。請參閱圖4至6，本發(fā)明提供一種液晶面板的驅(qū)動電路，包括柵極驅(qū)動器2、源極驅(qū)動器4、多條選通線G (j)及多條數(shù)據(jù)線S (i)，該多條選通線G (j)和數(shù)據(jù)線S (i)界定多個像素單元，每一像素單元包括一薄膜晶體管T(i,j)、一公共電極8、一與薄膜晶體管T(i,j)電性連接的像素電極6、及一修正電容Ctl，所述薄膜晶體管T(i，j)通過選通線G(j)及數(shù)據(jù)線S(i)分別與柵極驅(qū)動器2及源極驅(qū)動器4電性連接，所述公共電極8與像素電極6形成一液晶電容Clc;，所述存儲電容Cs與該液晶電容Clc;并聯(lián)連接，所述薄膜晶體管T (i，j)包括一柵極G及一漏極D，所述修正電容Ctl電性連接于柵極G與漏極D之間，對柵極G與漏極D因結(jié)構(gòu)特性形成的寄生電容Cgd進行修正。所述多條數(shù)據(jù)線S(l)，S(2)……S(i)構(gòu)成一數(shù)據(jù)總線結(jié)構(gòu)S，所述多條選通線G(1),G (2)……G (j)構(gòu)成一選通總線結(jié)構(gòu)G，所述數(shù)據(jù)總線結(jié)構(gòu)S與所述選通總線結(jié)構(gòu)G共同驅(qū)動所述像素電極6。其中，每條數(shù)據(jù)線S(i)通過與一個所述薄膜晶體管T(i，j)的源極S連接進而與每一個所述像素電極6連接；每條選通線G(j)通過與一個所述薄膜晶體管T(i，j)的柵極G連接進而與每一個所述像素電極6連接。所述薄膜晶體管T(i，j)還包括一源極S，該源極S通過數(shù)據(jù)線S(i)電性連接至源極驅(qū)動器4。本發(fā)明液晶面板的驅(qū)動電路還包括一存儲電容Cs，該一存儲電容Cs連接于液晶電容Ck的兩端，對液晶電容Clc;進行電壓補償。所述薄膜晶體管T(i，j)的柵極G通過選通線G(j)電性連接至柵極驅(qū)動源2，所述薄膜晶體管T(i，j)的漏極D與像素電極6電性連接。所述修正電容Ctl 一端連接至薄膜晶體管T(i，j)的柵極G，另一端連接至像素電極6。所述修正電容Ctl為一種穩(wěn)壓電容，其容值及額定電壓小于柵極G與漏極D因結(jié)構(gòu)特性產(chǎn)生的寄生電容Cgd的容值及額定電壓，且所述修正電容Ctl耐壓能力強。由于所述修正電容Ctl為一種穩(wěn)壓電容，且其電容值小于所述薄膜晶體管T(i，j)的柵極G與漏極D之間的寄生電容Cgd，所以當(dāng)柵極電壓Vg(i，j)大于薄膜晶體管T(i，j)導(dǎo)通電壓VT時，分別經(jīng)過柵極電壓Vg(i，j)上升沿對修正電容Ctl、液晶電容C1。、存儲電容Cs及寄生電容Cgd充電，充電飽和，以及柵極電壓Vg(i，j)下降沿存儲電容Cs、寄生電容Cgd的反向放電形成線性壓降，在對存儲電容Cs、寄生電容Cgd充電過程中修正電容Ctl先于寄生電容Cgd飽和，且其上的電壓值為\0，Vco小于使寄生電容Cgd飽和時的電壓Vegd,同時由于寄生電容Cgd與修正電容Ctl是并聯(lián)結(jié)構(gòu)，所以寄生電容Cgd上的實際電壓V’ Cgd等于修正電容C。上的電壓Vai;在柵極電壓vg α，j)下降沿存儲電容cs、寄生電容cgd的反向放電過程中，與正向情況相同，放電時間減小，反向放電的反饋電壓幅值較小，帶來的延時時間較短，即AT’ J< ATj，從圖5中柵極驅(qū)動電壓波形可以看出處于大于柵極G的閾值電壓VT值時的柵極電壓V’ g(j)單位時間變化量比起沒有添加此修正電容Ctl時的柵極電壓Vg(j)的單位時間內(nèi)下降變化量要少，也就是說本該截止的薄膜晶體T(i，j)管在寄生電容Cgd的影響下導(dǎo)通的可能性減小了。綜上所述，本發(fā)明提供一種液晶面板的驅(qū)動電路，通過在薄膜晶體管的柵極與漏極之間并聯(lián)一修正電容，對柵極與漏極產(chǎn)生·的寄生電容的電壓進行限制，從而減少寄生電容因放電帶來的延長薄膜晶體管導(dǎo)通的時間，進而減小薄膜晶體管非導(dǎo)通狀態(tài)下的異常導(dǎo)通的可能性，進一步提高薄膜晶體管控制的精度，避免了液晶分子異常偏轉(zhuǎn)帶來的透射率的改變和對比度異常的現(xiàn)象，提高大尺寸使用該電路的液晶顯示器的質(zhì)量。以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種液晶面板的驅(qū)動電路，其特征在于，包括柵極驅(qū)動器、源極驅(qū)動器、多條選通線及多條數(shù)據(jù)線，該多條選通線和數(shù)據(jù)線界定多個像素單元，每一像素單元包括一薄膜晶體管、一公共電極、一與薄膜晶體管電性連接的像素電極、及一修正電容，所述薄膜晶體管通過選通線及數(shù)據(jù)線分別與柵極驅(qū)動器及源極驅(qū)動器電性連接，所述公共電極與像素電極形成一液晶電容，所述薄膜晶體管包括一柵極及一漏極，所述修正電容電性連接于柵極與漏極之間，對柵極與漏極因結(jié)構(gòu)特性形成的寄生電容進行修正。
2.如權(quán)利要求I所述的液晶面板的驅(qū)動電路，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括一源極，該源極通過數(shù)據(jù)線電性連接至源極驅(qū)動器。
3.如權(quán)利要求2所述的液晶面板的驅(qū)動電路，其特征在于，所述薄膜晶體管的柵極通過選通線電性連接至柵極驅(qū)動源，所述薄膜晶體管的漏極與像素電極電性連接。
4.如權(quán)利要求3所述的液晶面板的驅(qū)動電路，其特征在于，所述修正電容一端連接至薄膜晶體管的柵極，另一端連接至像素電極。
5.如權(quán)利要求4所述的液晶面板的驅(qū)動電路，其特征在于，所述修正電容為一穩(wěn)壓電容，其容值小于柵極與漏極因結(jié)構(gòu)特性產(chǎn)生的寄生電容的容值。
6.如權(quán)利要求5所述的液晶面板的驅(qū)動電路，其特征在于，所述修正電容的額定電壓小于所述柵極與漏極因結(jié)構(gòu)特性產(chǎn)生的寄生電容的額定電壓。
7.如權(quán)利要求6所述的液晶面板的驅(qū)動電路，其特征在于，所述修正電容耐壓能力強。
8.如權(quán)利要求I所述的液晶面板的驅(qū)動電路，其特征在于，還包括一存儲電容，所述存儲電容并聯(lián)連接于所述液晶電容。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶面板的驅(qū)動電路，包括柵極驅(qū)動器、源極驅(qū)動器、多條選通線及多條數(shù)據(jù)線，該多條選通線和數(shù)據(jù)線界定多個像素單元，每一像素單元包括薄膜晶體管、公共電極、像素電極及修正電容，該薄膜晶體管通過選通線及數(shù)據(jù)線分別與柵極驅(qū)動器及源極驅(qū)動器電性連接，該公共電極與像素電極形成一液晶電容，該薄膜晶體管包括一柵極及一漏極，該修正電容電性連接于柵極與漏極之間，對柵極與漏極因結(jié)構(gòu)特性形成的寄生電容進行修正。通過設(shè)置修正電容來減少寄生電容對薄膜晶體管的影響，提高薄膜晶體管控制的精度，避免了液晶分子異常偏轉(zhuǎn)帶來的透射率的改變和對比度異常的現(xiàn)象。
文檔編號G09G3/36GK102879967SQ20121040485
公開日2013年1月16日 申請日期2012年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月22日
發(fā)明者陳胤宏, 田夏, 賈沛 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司