專利名稱：一種等離子顯示面板電路可靠性改進(jìn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種驅(qū)動(dòng)電路，特別是涉及一種適用于等離子顯示面板驅(qū)動(dòng)電路的可靠性的改進(jìn)方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示面板(PDP)是一種利用氣體放電產(chǎn)生紫外線，進(jìn)而激發(fā)熒光粉發(fā)出可見光而顯像的一種顯示器，等離子顯示面板是實(shí)現(xiàn)放電發(fā)光的主要結(jié)構(gòu)，其由前后兩個(gè)基板組成，在前基板上設(shè)置由橫向的ITO電極和BUS電極，以及之上的介質(zhì)層和介質(zhì)保護(hù)膜，后基板上設(shè)置有縱向的尋址電極和障壁結(jié)構(gòu)，放電在前后基板及障壁所組成的空間內(nèi)進(jìn)行。等離子顯示面板的工作，靠驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)完成；等離子面板的使用壽命主要取決于驅(qū)動(dòng)電路的使用壽命，等離子顯示面板的驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)波形的合理配合可提高驅(qū)動(dòng)電路的可靠性，是提升離子顯示面板壽命的主要手段之一。當(dāng)前等離子體顯示面板的畫面顯示效果，驅(qū)動(dòng)波形的復(fù)位期起了決定性作用，復(fù)位電壓和時(shí)間配合恰到好處，可減少顯示面板的誤放電。而復(fù)位期的電壓變化非常大，rampup電路的高電壓達(dá)到+310V左右,ramp down電路的低電壓達(dá)到-190V左右，高低電壓歸零都是瞬時(shí)完成的，Λ V/At很大，長時(shí)間工作后，功率器件的溫升很高，易導(dǎo)致器件失效。目前所使用的驅(qū)動(dòng)電路，對(duì)功率器件的保護(hù)不足，導(dǎo)致市場上的等離子體顯示面板的失效率偏高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種等離子顯示面板電路可靠性改進(jìn)方法，該方法通過改變驅(qū)動(dòng)電路中掃描驅(qū)動(dòng)芯片的寄存器設(shè)置，從而改變驅(qū)動(dòng)波形復(fù)位電壓和時(shí)間的配合。解決了目前所使用驅(qū)動(dòng)電路對(duì)功率器件保護(hù)不足的問題，降低等離子顯示面板的失效率。本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下一種等離子顯示面板電路可靠性改進(jìn)方法，其特征在于
步驟一，運(yùn)行邏輯控制單元的ramp up電路；
步驟二，將掃描驅(qū)動(dòng)芯片第一寄存器接口 OCl、第二寄存器接口 0C2設(shè)置為全高； 步驟三，將驅(qū)動(dòng)電壓在復(fù)位期高電壓和負(fù)電壓歸零的時(shí)段維持一段時(shí)間T ；
步驟四，維持一段時(shí)間T后運(yùn)行邏輯控制單元的ramp down電路。作為優(yōu)選，所述步驟三中是將驅(qū)動(dòng)電壓在140V的時(shí)候維持一段時(shí)間T。作為優(yōu)選，所述驅(qū)動(dòng)電壓在140V的時(shí)候所維持的時(shí)間200ns蘭T蘭3 μ S。作為優(yōu)選，所述維持時(shí)間T為400ns。作為優(yōu)選，所述維持時(shí)間T為500ns。作為優(yōu)選，所述維持時(shí)間T為600ns。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是
I.本發(fā)明技術(shù)方案通過改變驅(qū)動(dòng)電路中掃描驅(qū)動(dòng)芯片的寄存器設(shè)置，從而改變驅(qū)動(dòng)波形復(fù)位電壓和時(shí)間的配合，降低等離子顯示面板的失效率；
2.本發(fā)明技術(shù)方案中維持時(shí)間在400ns、500ns和600ns時(shí)，等離子顯示面板的失效率最低。
圖I為現(xiàn)有技術(shù)中等離子顯示驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)波形圖。圖2為本發(fā)明更改后的驅(qū)動(dòng)波形圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。如圖I所示，實(shí)施前，邏輯控制電路在波形上升期間運(yùn)行ramp up電路，等離子顯示器的主復(fù)位期間，ramp up電路運(yùn)行結(jié)束時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓為310V左右,然后運(yùn)行ramp down電路，ramp down電路的起點(diǎn)是O電平，ramp up電路和ramp down電路的切換在瞬間完成，AV=310V，此時(shí)Λ V/At很大，導(dǎo)致流過功率器件的電流大，器件的溫升高容易失效。如圖2所示，為本發(fā)明更改后的驅(qū)動(dòng)波形圖。一種等離子顯示面板電路可靠性改進(jìn)方法為
步驟一，在驅(qū)動(dòng)波形的復(fù)位期，運(yùn)行邏輯控制單元的ramp up電路；
步驟二，將掃描驅(qū)動(dòng)芯片第一寄存器接口 OCl、第二寄存器接口 0C2設(shè)置為全高； 步驟三，將驅(qū)動(dòng)電壓在復(fù)位期高電壓和負(fù)電壓歸零的時(shí)段維持一段時(shí)間T ；
步驟四，在驅(qū)動(dòng)波形的復(fù)位期，維持一段時(shí)間T后運(yùn)行邏輯控制單元的ramp down電路。所述步驟三中是將驅(qū)動(dòng)電壓在140V的時(shí)候維持一段時(shí)間T。所述驅(qū)動(dòng)電壓在140V的時(shí)候所維持的時(shí)間200ns ^ T ^ 3μ So所述維持時(shí)間T為400ns。所述維持時(shí)間T為500ns。所述維持時(shí)間T為600ns。本發(fā)明方案是在運(yùn)行邏輯控制單元的ramp up電路后，通過設(shè)置掃描驅(qū)動(dòng)芯片(如AN16538)的第一寄存器接口 0C1、第二寄存器接口 0C2為全高，然后再運(yùn)行邏輯控制單元的ramp down電路,使得驅(qū)動(dòng)波形中復(fù)位期驅(qū)動(dòng)電壓在310V瞬間下降歸零時(shí)段，140V時(shí)維持一段時(shí)間T，有一個(gè)臺(tái)階電壓。這樣，AV1=310-140=170V，Λ V2 = 140V，這樣大大減少了AV/Δ t，流過功率器件的電流變小，溫升不高，器件失效率降低。所維持的一段時(shí)間T的范圍為200ns ^ T ^ 3 μ s，在本方案中取400ns、500ns或600ns，去這三個(gè)維持時(shí)間T值時(shí)，既可以保證維持時(shí)間足夠長，又可以避免因維持時(shí)間過長所造成的時(shí)間浪費(fèi)，并且此三個(gè)時(shí)間維持T值可以使等離子顯示面板的失效率達(dá)到最低。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示面板電路可靠性改進(jìn)方法，其特征在于步驟一，運(yùn)行邏輯控制單元的ramp up電路；步驟二，將掃描驅(qū)動(dòng)芯片第一寄存器接口 OCl、第二寄存器接口 0C2設(shè)置為全高；步驟三，將驅(qū)動(dòng)電壓在復(fù)位期高電壓和負(fù)電壓歸零的時(shí)段維持一段時(shí)間T ；步驟四，維持一段時(shí)間T后運(yùn)行邏輯控制單元的ramp down電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的可靠性改進(jìn)方法，其特征在于所述步驟三中是將驅(qū)動(dòng)電壓在140V的時(shí)候維持一段時(shí)間T。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可靠性改進(jìn)方法，其特征在于所述驅(qū)動(dòng)電壓在140V的時(shí)候所維持的時(shí)間200ns ^ T ^ 3u So
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可靠性改進(jìn)方法，其特征在于所述維持時(shí)間T為400ns。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可靠性改進(jìn)方法，其特征在于所述維持時(shí)間T為500ns。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可靠性改進(jìn)方法，其特征在于所述維持時(shí)間T為600ns。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種等離子顯示面板電路可靠性改進(jìn)方法，涉及驅(qū)動(dòng)電路領(lǐng)域，該方法通過改變驅(qū)動(dòng)電路中掃描驅(qū)動(dòng)芯片的寄存器設(shè)置，從而改變驅(qū)動(dòng)波形復(fù)位期復(fù)位電壓和時(shí)間的配合。解決了目前所使用驅(qū)動(dòng)電路對(duì)功率器件保護(hù)不足的問題，降低了等離子顯示面板的失效率。
文檔編號(hào)G09G3/28GK102760399SQ201210227910
公開日2012年10月31日 申請(qǐng)日期2012年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月4日
發(fā)明者周業(yè)密 申請(qǐng)人:四川虹歐顯示器件有限公司