一種鍍膜產(chǎn)品的制作方法

專利名稱：一種鍍膜產(chǎn)品的制作方法
一種鍍膜產(chǎn)品
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鍍膜產(chǎn)品，尤其涉及到一種可進(jìn)行高溫?zé)崽幚淼腻兡げＡА?b>背景技術(shù)：
普通的玻璃沒有隔熱功能，隨著人們節(jié)能意識的增強(qiáng)，現(xiàn)在很多建筑物或汽車都已使用低輻射鍍膜玻璃或熱反射鍍膜玻璃，這些鍍膜玻璃可以起到很好的隔熱效果，使建筑物內(nèi)部或車內(nèi)的舒適度增加。中國專利CN201020503119. 8公開了一種單銀低輻射玻璃，該單銀低輻射玻璃采用AgCu層替代傳統(tǒng)的純銀膜層作為功能層，使該產(chǎn)品具有低反射率、低輻射率等特點(diǎn)。該專利公開的采用含銅的銀合金作為紅外反射層具有良好的紅外線反射功能，但是銀合金中含有銅會使膜層在后續(xù)的加工過程產(chǎn)生紅斑缺陷的危險(xiǎn)。對于汽車玻璃前擋風(fēng)玻璃來說， 該專利公開的單銀低輻射玻璃的可見光透過率相對較低，其可見光透過率小于53%?，F(xiàn)在生產(chǎn)離線低輻射鍍膜玻璃，大都是使用純銀作為反射紅外線的功能膜層，由于純金屬銀在空氣中容易與硫化物氣體反應(yīng)使銀的性能退化，在高溫?zé)崽幚磉^程中銀容易被氧化而喪失低輻射功能，因此，目前的低輻射鍍膜玻璃的制作都是使用多層介質(zhì)層來保護(hù)銀層，而且很多低輻射膜系經(jīng)高溫?zé)崽幚砗笮阅馨l(fā)生較大變化。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是為了解決以上低輻射膜的不足，使用銀、鈮兩種金屬的合金材料代替純銀材料作為低輻射膜的功能膜層材料。這種合金材料中的Nb能夠阻止銀與鄰近的氧化物層的相互作用，提高膜系在高溫?zé)崽幚淼姆€(wěn)定性，同時(shí)又可提高銀層的化學(xué)穩(wěn)定性和改善其機(jī)械性能。本發(fā)明針對現(xiàn)有低輻射鍍膜產(chǎn)品中銀膜層的不穩(wěn)定性，用鈮摻雜銀的二元金屬合金替代高純的銀材料作為低輻射膜的功能膜層材料，使得本發(fā)明的低輻射鍍膜產(chǎn)品具有低的輻射率、低的面電阻、高的可見光透過率、良好的機(jī)械耐久性及化學(xué)穩(wěn)定性。本發(fā)明的一種低輻射鍍膜產(chǎn)品的制備按如下步驟進(jìn)行1)在玻璃基板上生長底層電介質(zhì)膜層，底層電介質(zhì)膜層可以是以下的一種或多種材料組合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx, NbOx，其膜層厚度為 20 50nmo2)在底層電介質(zhì)膜層上生長摻雜鈮的Agl_aNba膜層，其中0 < 15wt%，優(yōu)選的為彡10wt%，更優(yōu)選的為a彡7wt%，其膜層厚度為6 20nm。3)在摻雜鈮的Agl_aNba膜層上生長第一犧牲層，第一犧牲層可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCrOx,釙，其膜層厚度為1 5nm。4)在第一犧牲層上生長頂層電介質(zhì)膜層，頂層電介質(zhì)膜層可以是以下的一種或多種材料組合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn、ZrOx、NbOx、SiOx,其膜層厚度為 10 35nm。
5)在頂層電介質(zhì)膜層上生長保護(hù)層，保護(hù)層選用以下的一種或多種材料組合 Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x、SiN0x，其膜層厚度為 10 25nm。6)最后將低輻射鍍膜玻璃做成中空或夾層玻璃。本發(fā)明的另一種低輻射鍍膜產(chǎn)品的制備按如下步驟進(jìn)行1)在玻璃基板上生長底層電介質(zhì)膜層，底層電介質(zhì)膜層可以是以下的一種或多種材料組合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx, NbOx，其膜層厚度為 20 50nmo2)在底層電介質(zhì)膜層上生長摻雜鈮的Agl_aNba膜層，其中0<a< 15wt%，優(yōu)選的為彡10wt%，更優(yōu)選的為a彡7wt%，其膜層厚度為6 20nm。3)在摻雜鈮的Agl_aNba膜層上生長第一犧牲層，第一犧牲層可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCrOx,釙，其膜層厚度為1 5nm。4)在第一犧牲層上生長第二電介質(zhì)膜層，第二電介質(zhì)膜層可以是以下的一種或多種材料組合Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x，其膜層厚度為 40 90nmo5)在第二電介質(zhì)膜層上生長摻雜鈮的Agl_aNba膜層，其中0<a< 15wt%，優(yōu)選的為彡10wt%，更優(yōu)選的為a彡7wt%，其膜層厚度為6 20nm。6)在摻雜鈮的Agl_aNba膜層上生長第二犧牲層，第二犧牲層可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCrOx,釙，其膜層厚度為1 5nm。 7)在第二犧牲層上沉積頂層電介質(zhì)膜層，頂層電介質(zhì)膜層可以是以下的一種或多種材料組合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn、ZnxTiyOn、ZrOx、NbOx、SiOx,其膜層厚度為 10 35nm。8)在頂層電介質(zhì)膜層上生長保護(hù)層，保護(hù)層選用以下的一種或多種材料組合: Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x、SiN0x，其膜層厚度為 10 25nm。9)最后將低輻射鍍膜玻璃做成中空或夾層玻璃。本發(fā)明的第三種低輻射鍍膜產(chǎn)品的制備按如下步驟進(jìn)行1)在玻璃基板上生長底層電介質(zhì)膜層，底層電介質(zhì)膜層可以是以下的一種或多種材料組合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx, NbOx，其膜層厚度為 20 50nmo2)在底層電介質(zhì)膜層上生長摻雜鈮的Agl_aNba膜層，其中0 < 15wt%，優(yōu)選的為彡10wt%，更優(yōu)選的為a彡7wt%，其膜層厚度為6 20nm。3)在摻雜鈮的Agl_aNba膜層上生長第一犧牲層，第一犧牲層可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCrOx,釙，其膜層厚度為1 5nm。4)在第一犧牲層上生長第二電介質(zhì)膜層，第二電介質(zhì)膜層可以是以下的一種或多種材料組合Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x，其膜層厚度為 40 90nmo5)在第二電介質(zhì)膜層上生長摻雜鈮的Agl_aNba膜層，其中0 < 15wt%，優(yōu)選的為彡10wt%，更優(yōu)選的為a彡7wt%，其膜層厚度為6 20nm。6)在摻雜鈮的Agl_aNba膜層上生長第二犧牲層，第二犧牲層可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCrOx,釙，其膜層厚度為1 5nm。
7)在第二犧牲層上沉積第三電介質(zhì)膜層，第三電介質(zhì)膜層可以是以下的一種或多種材料組合Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x，其膜層厚度為 40 90nmo8)在第三電介質(zhì)膜層上生長摻雜鈮的Agl_aNba膜層，其中0 < 15wt%，優(yōu)選的為彡10wt%，更優(yōu)選的為a彡7wt%，其膜層厚度為6 20nm。9)在摻雜鈮的Agl_aNba膜層上生長第三犧牲層，第三犧牲層可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCrOx,釙，其膜層厚度為1 5nm。10)在第三犧牲層上沉積頂層電介質(zhì)膜層，頂層電介質(zhì)膜層可以是以下的一種或多種材料組合Sn0x、TiOx、ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx、NbOx、SiOx,其膜層厚度為 10 35nm。11)在頂層電介質(zhì)膜層上生長保護(hù)層，保護(hù)層選用以下的一種或多種材料組合 Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x、SiN0x，其膜層厚度為 10 25nm。12)最后將低輻射鍍膜玻璃做成中空或夾層玻璃。在上述膜系結(jié)構(gòu)中，可在沉積摻雜鈮的Agl_aNba膜層之前先沉積一層犧牲層。與現(xiàn)有技術(shù)相比本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)采用在純銀中摻雜鈮元素形成的銀鈮合金作為靶材沉積膜層，由于鈮的存在可以減輕膜層暴露在大氣中或者進(jìn)行熱處理時(shí)受有害氣體的腐蝕，同時(shí)金屬鈮也具有反射紅外線的功能。采用銀鈮二元合金材料比純銀材料便宜，對于大規(guī)模生產(chǎn)降低成本有積極作用。將鈮摻入到銀中可以提高銀合金的整體耐高溫性能，使膜層的力學(xué)性能得到很大改善；同時(shí)鈮具有良好的耐腐蝕性能，它與銀組成合金后可以提高銀合金的化學(xué)穩(wěn)定性。銀在熱力學(xué)上不穩(wěn)定，當(dāng)有氧氣存在時(shí)，易被大氣中的氧氣氧化，生成氧化銀。對鍍膜玻璃進(jìn)行高溫?zé)崽幚?，?dāng)有氧擴(kuò)散進(jìn)入摻雜鈮的Agl_aNba膜層時(shí)，鈮會先與氧進(jìn)行反應(yīng)，從而避免銀被氧化使膜層的功能惡化。由于鈮的原子半徑為1. 45埃，銀的原子半徑為1. 44埃，鈮和銀的原子半徑相差無幾，用鈮摻雜的銀可以使其在膜層沉積時(shí)具有較少的晶格缺陷。
具體實(shí)施方式

在此先定義l)“A&_aNba”表示在純Ag中摻雜Nb元素，其中a表示元素Nb的重量百分比含量，在整個說明書中都用“wt%”表示。2) “烘彎加熱”是指鍍膜玻璃經(jīng)受620°C以上的高溫?zé)崽幚?，并在此高溫下停留至? 5min。3) SnOx, TiOx, ZrOx和SiOx中χ的取值為0 < χ彡2 ；ZnOx中χ的取值為0 < χ彡1 ；SiNx中χ的取值為0 < χ彡4/3 ；ZnxSnyOn 和SixTiyOn中η的取值為0 < η < x+2y，其中χ和y取任意正值；NbOx中χ的取值為0 < χ彡5/2 ；SiNOx中χ的取值為0 < χ彡1/2 ；NiCrOx中χ的取值為0 < χ彡3. 5。在這一整篇發(fā)明當(dāng)中都用以上的表示方法。下面結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。以下涉及實(shí)施例及對比例，均是在干凈的、厚度為2. Omm的透明浮法玻璃原片(標(biāo)記為玻璃基板2. 0C)的空氣面上依次鍍上各膜層。單片玻璃基板鍍膜烘彎后，鍍膜玻璃基板的最外鍍膜層為最外保護(hù)層，最外保護(hù)層向外依次和厚度為0. 76mm的PVB、另外一片沒有鍍膜的厚度為2. Omm的透明浮法玻璃基板層壓在一起，形成低輻射鍍膜夾層玻璃。而形成的低輻射鍍膜夾層玻璃需要通過敲擊實(shí)驗(yàn)——最重要的物理性能測試之一，該實(shí)驗(yàn)是衡量膜層與PVB、玻璃之間粘結(jié)性能的檢測方法。Solutia Europe s. a.公司將夾層玻璃敲擊標(biāo)準(zhǔn)分為9級。根據(jù)敲擊后碎玻璃粘在PVB 上的量從少到多，規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)等級為第1級至第9級。滿足國標(biāo)GB9656-2003要求的汽車夾層玻璃需要符合的敲擊等級為第3級<敲擊等級<第6級。敲擊實(shí)驗(yàn)步驟為a.從整個低輻射鍍膜夾層玻璃上切下兩塊100 X 300mm的試驗(yàn)片；b.將兩試樣放置在_18°C 士2°C下保存至少2小時(shí)；c.將試樣從上述低溫處取出放置在常溫下1-2分鐘， 便放在試樣箱上用鐵錘敲擊；d.敲擊后試樣允許恢復(fù)到室溫再與標(biāo)準(zhǔn)樣片對照，但要等到冷凝水揮發(fā)后；e.將試樣認(rèn)真與標(biāo)準(zhǔn)樣片比較，就可以判斷出敲擊實(shí)驗(yàn)的等級。實(shí)施例1在玻璃基板2. OC上依次鍍上厚度為42nm的SiSr^2膜層；厚度為12nm的A&_aNba 膜層，其中a = 15wt%;厚度為3nm的Ti膜層；厚度為22nm的SiSnO2膜層；厚度為ISnm的 Si3N4膜層作為保護(hù)層，得到可熱處理低輻射鍍膜玻璃。光學(xué)性能測試在熱處理之前，單片低輻射鍍膜玻璃的輻射率為0. 055，可見光透過率80. 6% ；烘彎加熱后檢測，單片低輻射鍍膜玻璃的輻射率為0. 037，可見光透過率為82. 7%，面電阻為 11. 2 Ω/square ；然后洗滌、合片等工序后獲得的低輻射鍍膜夾層玻璃，經(jīng)檢測，其可見光透過率為76.3%，太陽能直接透過率48.7%。物理性能按照GB9656-2003，沖擊實(shí)驗(yàn)、耐輻照實(shí)驗(yàn)、濕熱循環(huán)實(shí)驗(yàn)等均能滿足要求。經(jīng)檢測，敲擊實(shí)驗(yàn)等級為3級，說明膜層與玻璃和PVB的附著力都很好。實(shí)施例2在玻璃基板2. OC上依次鍍上厚度為37nm的ZnSnOu膜層；厚度為IOnm的A&_aNba 膜層，其中a = 2. 5wt%;厚度為2nm的Ti膜層；厚度為76nm的SiSnC^膜層；厚度為12nm 的Agl_aNba膜層，其中a = 2. 5wt% ；厚度為3nm的Ti膜層；厚度為^nm的SiSnC^膜層； 厚度為IOnm的TW2膜層作為保護(hù)層，得到可熱處理低輻射鍍膜玻璃。光學(xué)性能測試在熱處理之前，單片低輻射鍍膜玻璃的輻射率為0. 041，可見光透過率78. 8% ；烘彎加熱后檢測，單片低輻射鍍膜玻璃的輻射率為0. 032，可見光透過率為80. 4%，面電阻為 4.1 Ω/square ；然后洗滌、合片等工序后獲得的低輻射鍍膜夾層玻璃，經(jīng)檢測，其可見光透過率為75. 1%，太陽能直接透過率41.6%。物理性能按照GB9656-2003，沖擊實(shí)驗(yàn)、耐輻照實(shí)驗(yàn)、濕熱循環(huán)實(shí)驗(yàn)等均能滿足要求。經(jīng)檢測，敲擊實(shí)驗(yàn)等級為3級，說明膜層與玻璃和PVB的附著力都很好。實(shí)施例3在玻璃基板2. OC上依次鍍上厚度為34nm的SiSnO2.3膜層；厚度為12nm的A&_aNba 膜層，其中a = 0. 05wt % ；厚度為2nm的Ti膜層；厚度為72nm的aiSn02.3膜層；厚度為 IOnm的Agl_aNba膜層，其中a = 0. 05wt% ；厚度為3nm的Ti膜層；厚度為68nm的SiSnO2.3膜層；厚度為9nm的Agl_aNbJ莫層，其中a = 0. 05wt%;厚度為3nm的Ti膜層；厚度為22nm 的aiSn02.3膜層；厚度為12nm的^O2膜層作為保護(hù)層，得到可熱處理低輻射鍍膜玻璃。光學(xué)性能測試在熱處理之前，單片低輻射鍍膜玻璃的輻射率為0. 022，可見光透過率76. 1 % ；烘彎加熱后檢測，單片低輻射鍍膜玻璃的輻射率為0. 016，可見光透過率為78. 5%，面電阻為 2.1 Ω/square ；然后洗滌、合片等工序后獲得的低輻射鍍膜夾層玻璃，經(jīng)檢測，其可見光透過率為70.5%，太陽能直接透過率36.8%。物理性能按照GB9656-2003，沖擊實(shí)驗(yàn)、耐輻照實(shí)驗(yàn)、濕熱循環(huán)實(shí)驗(yàn)等均能滿足要求。經(jīng)檢測，敲擊實(shí)驗(yàn)等級為3級，說明膜層與玻璃和PVB的附著力都很好。實(shí)施例4 (與例2做對比)在玻璃基板2. OC上依次鍍上厚度為37nm的SiSnOu膜層；厚度為IOnm的Ag膜層；厚度為2nm的Ti膜層；厚度為76nm的SiSnOu膜層；厚度為12nm的Ag膜層；厚度為 3nm的Ti膜層；厚度為^nm的SiSnOu膜層；厚度為IOnm的TW2膜層作為保護(hù)層，得到可熱處理低輻射鍍膜玻璃。光學(xué)性能測試在熱處理之前，單片低輻射鍍膜玻璃的輻射率為0. 044，可見光透過率78. 4% ；烘彎加熱后檢測，單片低輻射鍍膜玻璃的輻射率為0. 031，可見光透過率為80%，面電阻為 4. 5 Ω/square ；然后洗滌、合片等工序后獲得的低輻射鍍膜夾層玻璃，經(jīng)檢測，其可見光透過率為75. 1%，太陽能直接透過率42.8%。物理性能按照GB9656-2003，沖擊實(shí)驗(yàn)、耐輻照實(shí)驗(yàn)、濕熱循環(huán)實(shí)驗(yàn)等均能滿足要求。經(jīng)檢測，敲擊實(shí)驗(yàn)等級為3級，說明膜層與玻璃和PVB的附著力都很好。實(shí)施例5將實(shí)施例2制得的鍍膜玻璃進(jìn)行高溫?zé)崽幚?，使其?20°C的烘彎爐內(nèi)停留 12min，然后測試單片低輻射鍍膜玻璃的輻射率為0. 044，面電阻為5. 1 Ω/square.將該單片低輻射鍍膜玻璃通過合片等工序后獲得的低輻射鍍膜夾層玻璃按照 GB9656-2003，沖擊實(shí)驗(yàn)、耐輻照實(shí)驗(yàn)、濕熱循環(huán)實(shí)驗(yàn)等均能滿足要求。經(jīng)檢測，敲擊實(shí)驗(yàn)等級為3級，說明膜層與玻璃和PVB的附著力都很好。實(shí)施例6將實(shí)施例4制得的鍍膜玻璃進(jìn)行高溫?zé)崽幚恚蛊湓?20°C的烘彎爐內(nèi)停留 12min，然后測試單片低輻射鍍膜玻璃的輻射率為0. 14，面電阻為22. 8 Ω/square。將該單片低輻射鍍膜玻璃通過合片等工序后獲得的低輻射鍍膜夾層玻璃按照 GB9656-2003，沖擊實(shí)驗(yàn)、耐輻照實(shí)驗(yàn)、濕熱循環(huán)實(shí)驗(yàn)等均不能滿足要求。經(jīng)檢測，敲擊實(shí)驗(yàn)等級為2級，說明膜層與玻璃和PVB的附著力變差。實(shí)施例5與實(shí)施例6的比較可以看出實(shí)施例5的面電阻與實(shí)施例2的面電阻相差不大，而實(shí)施例6的面電阻比實(shí)施例4的面電阻增大了一倍多，說明經(jīng)過實(shí)施例6的熱處理后其銀膜層受到一定程度的氧化等破壞；從另一方面講，采用Agl_aNba膜層替代純Ag膜層可以提高整個膜層的耐高溫性能、耐機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性。
權(quán)利要求
1.一種鍍膜產(chǎn)品，其特征在于該鍍膜產(chǎn)品膜系結(jié)構(gòu)中含有至少一層AghNbJj能層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜產(chǎn)品，其特征在于該鍍膜產(chǎn)品膜系結(jié)構(gòu)中含有一層 Ag1-Jba功能層，從玻璃基板表面往外依次為底層電介質(zhì)層、Agl_aNba膜層、第一犧牲層、頂層電介質(zhì)層、保護(hù)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜產(chǎn)品，其特征在于該鍍膜產(chǎn)品膜系結(jié)構(gòu)中含有兩層 Ag1-Jba功能層，從玻璃基板表面往外依次為底層電介質(zhì)層、Agl_aNba膜層、第一犧牲層、第二電介質(zhì)層、Agl_aNba膜層、第二犧牲層、頂層電介質(zhì)層、保護(hù)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜產(chǎn)品，其特征在于該鍍膜產(chǎn)品膜系結(jié)構(gòu)中含有三層 Ag1-Jba功能層，從玻璃基板表面往外依次為底層電介質(zhì)層、Agl_aNba膜層、第一犧牲層、第二電介質(zhì)層、Agl_aNba膜層、第二犧牲層、第三電介質(zhì)層、Agl_aNba膜層、第三犧牲層、頂層電介質(zhì)層、保護(hù)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4所述的鍍膜產(chǎn)品，其特征在于層中，Nb的含量為0 < a彡15wt%，該膜層厚度為6 20nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求2、3或4所述的鍍膜產(chǎn)品，其特征在于底層電介質(zhì)層選用以下的一種或多種材料組合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx, NbOx，底層電介質(zhì)層厚度為20 50nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求2、3或4所述的鍍膜產(chǎn)品，其特征在于第一犧牲層、第二犧牲層和第三犧牲層選用以下的至少一種材料NiCr、Ti、Nb、NiCrOx、Sb，犧牲層厚度為1 5nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的鍍膜產(chǎn)品，其特征在于第二電介質(zhì)層和第三電介質(zhì)層選用以下的一種或多種材料組合Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x， 第二電介質(zhì)層和第三電介質(zhì)層厚度為40 90nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求2、3或4所述的鍍膜產(chǎn)品，其特征在于頂層電介質(zhì)層選用以下的一種或多種材料組合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx, NbOx, SiOx,頂層電介質(zhì)層厚度為10 35nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求2、3或4所述的鍍膜產(chǎn)品，其特征在于保護(hù)層選用以下的一種或多種材料組合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx, NbOx, SiNOx，保護(hù)層厚度為5 25nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4所述的鍍膜產(chǎn)品，其特征在于該鍍膜產(chǎn)品可以制作成夾層玻璃。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種鍍膜產(chǎn)品，尤其涉及到一種可進(jìn)行高溫?zé)崽幚淼腻兡げＡ?。該鍍膜產(chǎn)品的反射紅外線膜層的材料由傳統(tǒng)的純銀材料改變?yōu)殂y和鈮兩種金屬的合金材料，使用銀和鈮兩種金屬的合金材料沉積的Ag1-aNba膜層替代純銀膜層作為鍍膜產(chǎn)品的功能層，可以提高膜系在高溫?zé)崽幚淼姆€(wěn)定性，同時(shí)又可提高銀層的化學(xué)穩(wěn)定性和改善其機(jī)械性能。本發(fā)明中的鍍膜產(chǎn)品具有高的可見光透過率，良好的抗機(jī)械性和化學(xué)穩(wěn)定性。本發(fā)明的鍍膜產(chǎn)品主要應(yīng)用于汽車擋風(fēng)玻璃。
文檔編號B32B9/04GK102555354SQ20111043789
公開日2012年7月11日 申請日期2011年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月23日
發(fā)明者尚貴才, 李藝明 申請人:福建省萬達(dá)汽車玻璃工業(yè)有限公司, 福耀玻璃工業(yè)集團(tuán)股份有限公司