本發(fā)明涉及可加熱容器，具體地說是一種可電磁加熱容器及其制造方法。
背景技術(shù)：
陶瓷、玻璃等材料隨著耐高溫問題的解決，越來越多地被應(yīng)用到加熱容器上，但由于陶瓷、玻璃等材料為非導(dǎo)磁材料，無法在電磁爐上使用。
中國專利200810143808.X公開了一種用于電磁爐本體導(dǎo)磁的導(dǎo)磁膜，它包括一置于電磁爐本體上的導(dǎo)磁介質(zhì)膜，該導(dǎo)磁介質(zhì)膜由導(dǎo)磁基膜、覆蓋于導(dǎo)磁基膜的導(dǎo)磁介質(zhì)層、顏料層和封面油層組成。該導(dǎo)磁介質(zhì)膜克服了現(xiàn)有電磁爐因無導(dǎo)磁介質(zhì)膜或無導(dǎo)磁介質(zhì)層而無法使用非導(dǎo)磁金屬器具的缺陷，此導(dǎo)磁基膜的厚度一般為0.3-0.5mm，應(yīng)力大，使用時(shí)導(dǎo)磁基膜容易開裂、破碎，也有可能與電磁爐本體脫開，且此方法通常用于加工平面的非導(dǎo)磁體，難以在底面為曲面或底面有凹槽及凸筋的非導(dǎo)磁體上加工。另外，導(dǎo)磁膜的成本仍較高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種可電磁加熱的容器，其利用非晶態(tài)合金層作為導(dǎo)電層，再在非導(dǎo)磁材料容器的外側(cè)電鑄一層導(dǎo)磁率高且應(yīng)力小的純鐵層。
為此，本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案：一種可電磁加熱容器，包括非導(dǎo)磁基體，所述非導(dǎo)磁基體的外表面上電鑄一層用于導(dǎo)磁的純鐵層，非導(dǎo)磁基體與純鐵層之間設(shè)有非晶態(tài)合金層，所述的非晶態(tài)合金層為金屬鎳、鈷、鎢、鉬元素和非金屬硼、磷、氮元素共同形成的二元以上合金層。
本發(fā)明利用非晶態(tài)合金層使非導(dǎo)磁材料的底部電鑄一層可以導(dǎo)磁的純鐵層，使純鐵層與非導(dǎo)磁基體的結(jié)合牢固且應(yīng)力小。非晶態(tài)合金層作為導(dǎo)電層，從而可以采用電鑄的方法在非導(dǎo)磁基體的底部覆上一層純鐵層，純鐵的導(dǎo)磁率高、應(yīng)力小。
作為對(duì)上述技術(shù)方案的進(jìn)一步完善和補(bǔ)充，本發(fā)明采取以下技術(shù)措施：
所述純鐵層的厚度為0.1-1.0mm，優(yōu)選0.2-0.5mm，其覆在非導(dǎo)磁基體的整個(gè)或局部外表面上，純鐵層外覆有一耐腐蝕、耐磨保護(hù)層，用于保護(hù)純鐵層。
所述的非晶態(tài)合金層優(yōu)選為鈷硼合金層，其厚度為2-10um，優(yōu)選4-6um。
所述的非導(dǎo)磁基體為陶瓷或玻璃。
上述可電磁加熱容器的制造方法，其步驟如下：
1)清理非導(dǎo)磁基體外表面，去除外表面的污漬；
2)對(duì)非導(dǎo)磁基體外表面進(jìn)行前處理；
3)再利用化學(xué)沉積方法形成貴金屬電子層和非晶態(tài)合金層，使非導(dǎo)磁基體的外表面上形成具有導(dǎo)電性能的非晶態(tài)合金層；
4)將具有非晶態(tài)合金層的基體作為陰極模，電鑄一層純鐵層；
5)在純鐵層外覆一耐腐蝕、耐磨保護(hù)層。
進(jìn)一步地，非導(dǎo)磁基體為陶瓷或玻璃時(shí)，表面處理的方法為：對(duì)非導(dǎo)磁基體外表面依次進(jìn)行粗化、水洗、敏化、水洗、成核、水洗、還原；粗化用于提高非導(dǎo)磁基體外表面的結(jié)合力；敏化使非導(dǎo)磁基體外表面沉積一層催化劑膜，為后續(xù)成核處理提供基礎(chǔ)；成核使非導(dǎo)磁基體表面形成納米級(jí)貴金屬電子層；還原用于進(jìn)一步提高成核的效果。
進(jìn)一步地，粗化時(shí)，將非導(dǎo)磁基體浸入以下溶液中處理：在水中加入HF和NH4F攪拌形成溶液；HF的添加量為80-120ml/L，NH4F的添加量為30-50g/L，上述處理在室溫下進(jìn)行2-5分鐘。
進(jìn)一步地，敏化時(shí)，將經(jīng)粗化處理后的非導(dǎo)磁基體浸入以下溶液中處理：在水中加入SnCl2·2H2O和質(zhì)量濃度為30-40%的HCl攪拌形成溶液；SnCl2·2H2O的添加量為8-12g/L，HCl的添加量為30-50ml/L，上述處理在20-40℃下進(jìn)行3-5分鐘。
進(jìn)一步地，成核時(shí)，將經(jīng)敏化處理后的非導(dǎo)磁基體浸入以下溶液中處理：在水中加入PdCl2和質(zhì)量濃度為30-40%的HCl攪拌形成溶液；PdCl2的添加量為0.1-0.5g/L，HCl的添加量為2-5ml/L，上述處理在20-40℃下進(jìn)行0.5-1分鐘；還原時(shí)，將經(jīng)成核處理后的非導(dǎo)磁基體浸入以下溶液中處理：在水中加入NaH2PO4·H2O攪拌形成溶液；NaH2PO4·H2O的添加量為15-25g/L，上述處理在常溫下進(jìn)行10-30秒。
進(jìn)一步，將經(jīng)還原處理后的非導(dǎo)磁基體浸入以下溶液中處理形成非晶態(tài)合金層：在水中加入CoSO4·6H2O、NaBH4、乙二胺和NaOH攪拌形成溶液；CoSO4·6H2O的添加量為15-25g/L，NaBH4的添加量為0.5-1g/L，乙二胺的添加量為20-40g/L，NaOH的添加量為15-25g/L，上述處理在90-100℃下進(jìn)行10-60分鐘。
本發(fā)明具有以下的有益效果：采用非晶態(tài)合金層作為導(dǎo)電層，在非導(dǎo)磁基體的底部電鑄一層純鐵層，純鐵的導(dǎo)磁率高、應(yīng)力小，電磁感應(yīng)效果好，而且可以使純鐵層較厚，耐用；可以在底面為曲面或底面有凹槽及凸筋的非導(dǎo)磁體上加工純鐵層，加工成本低，適應(yīng)范圍廣；非晶態(tài)合金層使純鐵層與非導(dǎo)磁基體的結(jié)合牢固，避免了純鐵層發(fā)生脫落、開裂等現(xiàn)象的發(fā)生。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。
一種可電磁加熱容器，其非導(dǎo)磁基體的外表面上電鑄一層用于導(dǎo)磁的純鐵層，非導(dǎo)磁基體與純鐵層之間設(shè)有非晶態(tài)合金層，所述的非晶態(tài)合金層為金屬鈷元素和非金屬硼元素共同形成的二元合金層，純鐵層外覆有一耐磨保護(hù)層。非晶態(tài)合金層的厚度為4-6um，純鐵層的厚度為0.05-0.5mm。非導(dǎo)磁基體為陶瓷或玻璃。
上述可電磁加熱容器的制造方法，其步驟如下：
1)清理非導(dǎo)磁基體外表面，去除外表面的污漬；
2)對(duì)非導(dǎo)磁基體外表面依次進(jìn)行粗化、水洗、敏化、水洗、成核、水洗、還原；粗化用于提高非導(dǎo)磁基體外表面的結(jié)合力；敏化使非導(dǎo)磁基體外表面沉積一層催化劑膜，為后續(xù)成核處理提供基礎(chǔ)；成核使非導(dǎo)磁基體表面形成納米級(jí)貴金屬電子層；還原用于進(jìn)一步提高成核的效果；
3)再進(jìn)行非晶態(tài)處理，利用貴金屬電子層，在非導(dǎo)磁基體的外表面上形成非晶態(tài)合金層；
4)經(jīng)非晶態(tài)處理后的基體作為陰極模，電鑄一層純鐵層；
5)在純鐵層外覆一耐磨保護(hù)層。
粗化時(shí)，將非導(dǎo)磁基體浸入以下溶液中處理：在水中加入HF和NH4F攪拌形成溶液；HF的添加量為80-120ml/L，NH4F的添加量為30-50g/L，上述處理在室溫下進(jìn)行2-5分鐘。
敏化時(shí)，將經(jīng)粗化處理后的非導(dǎo)磁基體浸入以下溶液中處理：在水中加入SnCl2·2H2O和質(zhì)量濃度為30-40%的HCl攪拌形成溶液；SnCl2·2H2O的添加量為8-12g/L，HCl的添加量為30-50ml/L，上述處理在20-40℃下進(jìn)行3-5分鐘。
成核時(shí)，將經(jīng)敏化處理后的非導(dǎo)磁基體浸入以下溶液中處理：在水中加入PdCl2和質(zhì)量濃度為30-40%的HCl攪拌形成溶液；PdCl2的添加量為0.1-0.5g/L，HCl的添加量為2-5ml/L，上述處理在20-40℃下進(jìn)行0.5-1分鐘。
還原時(shí)，將經(jīng)成核處理后的非導(dǎo)磁基體浸入以下溶液中處理：在水中加入NaH2PO4·H2O攪拌形成溶液；NaH2PO4·H2O的添加量為15-25g/L，上述處理在常溫下進(jìn)行10-30秒。
非晶態(tài)處理時(shí)，將經(jīng)還原處理后的非導(dǎo)磁基體浸入以下溶液中處理：在水中加入CoSO4·6H2O、NaBH4、乙二胺和NaOH攪拌形成溶液；CoSO4·6H2O的添加量為15-25g/L，NaBH4的添加量為0.5-1g/L，乙二胺的添加量為20-40g/L，NaOH的添加量為15-25g/L，上述處理在90-100℃下進(jìn)行10-60分鐘。
電鑄時(shí)，陰極的電流密度為3-10A/dm2，溫度控制在95-102℃。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)作任何形式上的限制。凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。