專利名稱：一種玻璃減薄設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示器制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種玻璃減薄設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著科技的發(fā)展，顯不器中的玻璃包括堿石灰玻璃和無堿玻璃。堿石灰玻璃是通過將堿金屬離子按需要加到二氧化硅(SiO2)中形成的。堿石灰玻璃物性溫度轉(zhuǎn)變點(diǎn)低，但不貴，因而用于采用低溫工藝的超扭轉(zhuǎn)向列液晶顯示器(STN-LCD)或無源矩陣型有機(jī)發(fā)光二級管(PM 0LED)中。無堿玻璃物性溫度轉(zhuǎn)變點(diǎn)高，其在高溫下幾乎不發(fā)生改變，因而適宜用于形成薄膜晶體管(TFT)陣列的高溫工藝中，并因而用于薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-IXD)或有源矩陣型有機(jī)發(fā)光二級管(AM 0LED)中。近年來，為了滿足顯示設(shè)備工業(yè)的發(fā)展需要和用戶對輕、薄產(chǎn)品的需求，現(xiàn)有技術(shù)中采用浸潰技術(shù)、噴霧技術(shù)和浸潰噴霧技術(shù)通過蝕刻實(shí)現(xiàn)對顯示面板的玻璃基材進(jìn)行減薄處理。如圖I所示，為現(xiàn)有的玻璃減薄設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中包括玻璃減薄設(shè)備1，玻璃減薄設(shè)備I上設(shè)有多個(gè)噴頭11，噴頭11從玻璃基材2上方噴出刻蝕溶液，通過濕法刻蝕玻璃基材2使之減薄。其中蝕刻溶液沿著玻璃基材2的表面從上部豎直向下流到下部以減薄玻璃基材2，由此防止了外部壓力對玻璃基材2的損害，并且在沒有顆粒產(chǎn)生的情況下將玻璃基材2減薄到所希望的厚度。由于工藝制成以及產(chǎn)品運(yùn)輸過程中，經(jīng)常會(huì)導(dǎo)致玻璃表面輕微劃傷，劃傷之處當(dāng)經(jīng)過減薄設(shè)備的濕法刻蝕處理后，將進(jìn)一步導(dǎo)致凹點(diǎn)等不良缺陷的產(chǎn)生或加重，從而使得顯示面板的不良更加嚴(yán)重。
實(shí)用新型內(nèi)容針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本實(shí)用新型提供一種玻璃減薄設(shè)備，提高了工件的減薄良率，并且操作簡單，節(jié)約了不良工件的浪費(fèi)，并降低了制作成本。為了解決上述問題，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種玻璃減薄設(shè)備，包括用于噴射刻蝕溶液到待減薄的玻璃基材上的噴射裝置，還包括檢測裝置，用于獲取所述玻璃基材上的缺陷區(qū)域所在的位置信息；開關(guān)裝置，包括若干個(gè)按矩陣式排列在同一平面上的閥門，且所述開關(guān)裝置與所述玻璃基材平行設(shè)置；噴射器，用于通過閥門，向附著有刻蝕溶液的玻璃基材上的所述缺陷區(qū)域進(jìn)行噴射；處理器，與所述檢測裝置、開關(guān)裝置及噴射器相連接，用于根據(jù)所述檢測裝置獲取的所述缺陷區(qū)域的位置信息，向所述開關(guān)裝置發(fā)送控制信號，開啟與所述缺陷區(qū)域的位置對應(yīng)的閥門，并控制所述噴射器通過開啟的閥門向所述缺陷區(qū)域進(jìn)行噴射，減少所述缺陷區(qū)域附著的刻蝕溶液。[0012]優(yōu)選的，所述閥門所在矩陣平面的面積不小于所述玻璃基材的面積。優(yōu)選的，所述檢測裝置具體為激光掃描定位器；所述激光掃描定位器，用于檢測所述玻璃基材上缺陷區(qū)域的位置坐標(biāo)信息，并將所述位置坐標(biāo)信息發(fā)送給所述處理器。優(yōu)選的，所述檢測裝置的數(shù)量為兩個(gè)，分別設(shè)于所述玻璃基材的兩側(cè)，用于對所述玻璃基材的兩側(cè)表面分別進(jìn)行檢測。優(yōu)選的，所述開關(guān)裝置具體為閥門矩陣開關(guān)或激光矩陣開關(guān)。優(yōu)選的，所述激光矩陣開關(guān)采用冷激光源，用于降低所述缺陷區(qū)域的刻蝕溶液的刻蝕速率。優(yōu)選的，所述開關(guān)裝置的數(shù)量為兩個(gè)，分別位于所述玻璃基材的兩側(cè)。優(yōu)選的，所述噴射器具體為高壓氣槍或高壓水槍。本實(shí)用新型提供的實(shí)施例與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型實(shí)施例提供的玻璃減薄設(shè)備，包括用于噴射刻蝕溶液到待減薄的玻璃基材上的噴射裝置，還包括檢測裝置、開關(guān)裝置、噴射器及處理器，通過檢測裝置獲取玻璃基材上的缺陷區(qū)域所在的位置信息；并將所述缺陷區(qū)域的位置信息發(fā)送給處理器，所述處理器向所述開關(guān)裝置發(fā)送控制信號，開啟與所述缺陷區(qū)域的位置對應(yīng)的閥門，并控制所述噴射器通過開啟的閥門向所述缺陷區(qū)域進(jìn)行噴射，減少所述缺陷區(qū)域附著的刻蝕溶液，從而提高了減薄工件的良率，并且減少了玻璃基材的浪費(fèi)，節(jié)省了能源提高了生產(chǎn)效率，節(jié)約了生產(chǎn)成本。
圖I為現(xiàn)有技術(shù)中減薄設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例二設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例三設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例一中開關(guān)裝置的側(cè)視圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型提供一種玻璃減薄設(shè)備，提高了工件的減薄良率，并且操作簡單，節(jié)約了不良工件的浪費(fèi)，并降低了制作成本。下面結(jié)合本實(shí)用新型具體實(shí)施例及說明書附圖進(jìn)行詳細(xì)的描述如圖2所示，為本實(shí)用新型實(shí)施例一設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中包括一刻蝕溶液噴射裝置21，其中在玻璃基材23上方噴射裝置21上設(shè)置一個(gè)噴嘴或多個(gè)噴嘴22以提供蝕刻溶液，并且所述一個(gè)噴嘴在玻璃基材23上方，可以將刻蝕溶液噴射到玻璃基材23的兩側(cè)表面上，或者所述多個(gè)噴嘴分別設(shè)置在玻璃基材23的兩側(cè)，使得蝕刻溶液以固定流速或可變流速沿著玻璃基材23的兩個(gè)側(cè)面流下。本實(shí)用新型設(shè)備還包括檢測裝置，所述檢測裝置與處理器25相連接，用于獲取玻璃基材23上的缺陷區(qū)域的位置信息；其中，所述缺陷區(qū)域一般是由輕微劃傷玻璃基材23產(chǎn)生，然后將檢測到的位置信息發(fā)送給處理器25 ;處理器25與開關(guān)裝置26相連接，根據(jù)接收到的位置信息，向開關(guān)裝置發(fā)送控制信號，開啟與所述缺陷區(qū)域的位置對應(yīng)的閥門，并控制噴射器27通過開啟的閥門向所述缺陷區(qū)域進(jìn)行噴射，減少所述缺陷區(qū)域附著的刻蝕溶液。所述開關(guān)裝置26包括若干個(gè)按矩陣式排列在同一平面的閥門，所述閥門所在矩陣平面與所述玻璃基材23所述的平面相平行；所述閥門所在矩陣平面的面積不小于所述玻璃基材23的面積；較佳的情況，將所述閥門所在矩陣平面的面積設(shè)置成與所述玻璃基材23的面積大小相同；如果當(dāng)所述閥門所在矩陣平面的面積小于所述玻璃基材23的面積大小時(shí)，那么需要移動(dòng)開關(guān)裝置到相應(yīng)的缺陷區(qū)域位置。檢測裝置為可以確定出玻璃基材23上缺陷區(qū)域的位置的裝置，類似的包括一些位置傳感器、掃描定位器或者利用光學(xué)儀器檢測定位的裝置，在本實(shí)用新型中的檢測裝置具體為激光掃描定位器。激光掃描定位器24通過激光掃描待減薄的玻璃基材23，檢測出玻璃基材23上的缺陷區(qū)域的位置參數(shù)，具體為該缺陷區(qū)域的位置坐標(biāo)信息，將檢測到的位置坐標(biāo)信息發(fā)送給處理器25，處理器25根據(jù)接收到的位置坐標(biāo)信息，向開關(guān)裝置26發(fā)送控制信號，開啟對應(yīng)附著有刻蝕溶液的玻璃基材23的所述缺陷區(qū)域坐標(biāo)位置的閥門，并控制噴射器27通過開啟的閥門向附著有刻蝕溶液的玻璃基材23上的所述缺陷區(qū)域進(jìn)行噴射，減 少所述缺陷區(qū)域附著的刻蝕溶液。其中，檢測裝置的數(shù)量為兩個(gè)，分別設(shè)于玻璃基材23的兩側(cè)，用于對玻璃基材23的兩側(cè)表面分別進(jìn)行檢測；并且開關(guān)裝置26具體的數(shù)量為兩個(gè)，分別位于玻璃基材23的兩側(cè)，且所述開關(guān)裝置26上閥門所在的矩陣平面與所述玻璃基材23所在平面平行。噴射器27可以是高壓氣槍或高壓水槍，本實(shí)施例中以高壓氣槍為例，具體的，高壓氣槍將噴射的高壓氣體通過開啟的閥門，形成微細(xì)的“氣刀”，將附著在所述缺陷區(qū)域的刻蝕液吹散到四周，從而使得該缺陷區(qū)域的刻蝕液減少，從而不會(huì)與整個(gè)玻璃基材表面同時(shí)進(jìn)行相同程度的減薄處理，減少所述缺陷區(qū)域的不良。如圖3所示，為本實(shí)用新型實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖，其中開關(guān)裝置具體為以矩陣排列的在同一平面的細(xì)小閥門的開關(guān)裝置，并且該開關(guān)裝置與處理器25相連接，本實(shí)施例中采用閥門矩陣開關(guān)31，閥門矩陣開關(guān)31可根據(jù)處理器25發(fā)送的控制信號開啟對應(yīng)所述缺陷區(qū)域位置的閥門，利用高壓氣槍32噴射的高壓氣體被所述閥門分割成類似“氣刀”對刻蝕溶液進(jìn)行處理。采用高壓氣體時(shí)可以將缺陷區(qū)域的刻蝕溶液吹到缺陷區(qū)域的四周，不再進(jìn)一步刻蝕玻璃基材23上的缺陷區(qū)域，從而提高減薄工件的良率。如圖4所示，為本實(shí)用新型實(shí)施例三的結(jié)構(gòu)示意圖，其中噴射器采用高壓水槍，其他部件如上所述，在此不再重復(fù)；高壓水槍41噴射出高壓水流通過開啟的閥門，形成高壓且細(xì)小的水束，噴射到玻璃基材23的缺陷區(qū)域，使得此處的刻蝕溶液的濃度降低，從而減小對此不良位置的刻蝕效果，使得顯示面板的不良率降低。如圖5所示，為本實(shí)用新型實(shí)施例一中開關(guān)裝置的側(cè)視圖，由于本實(shí)用新型實(shí)施例采用的開關(guān)裝置26為閥門矩陣開關(guān)，由多個(gè)閥門51組成，閥門51 —般為毫米級設(shè)置，并且都由處理器控制，當(dāng)接收到處理器的控制信號時(shí)，即可打開處理器要求的對應(yīng)閥門，即將對應(yīng)缺陷區(qū)域的閥門打開，從而進(jìn)一步執(zhí)行操作。另外本實(shí)用新型實(shí)施例中的開關(guān)裝置26還可以采用激光矩陣開關(guān)，一般采用冷激光，通過冷激光照射缺陷區(qū)域，可以降低反應(yīng)溫度，從而進(jìn)一步的降低所述缺陷區(qū)域的刻蝕溶液的刻蝕速率。[0037]經(jīng)過本實(shí)用新型提供的設(shè)備進(jìn)行減薄處理后，使得原本因表面劃傷而導(dǎo)致的濕法刻蝕處理后的凹陷部分轉(zhuǎn)換成凸起，再經(jīng)過拋光打磨，實(shí)現(xiàn)玻璃基材的表面平滑。本實(shí)用新型提供的實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型實(shí)施例提供的玻璃減薄設(shè)備，包括用于噴射刻蝕溶液到待減薄的玻璃基材上的噴射裝置，還包括檢測裝置、開關(guān)裝置、噴射器及處理器，通過檢測裝置獲取玻璃基材上的缺陷區(qū)域所在的位置信息；并將所述缺陷區(qū)域的位置信息發(fā)送給處理器，所述處理器向所述開關(guān)裝置發(fā)送控制信號，開啟與所述缺陷區(qū)域的位置對應(yīng)的閥門，并控制所述噴射器通過開啟的閥門向所述缺陷區(qū)域進(jìn)行噴射，減少所述缺陷區(qū)域附著的刻蝕溶液，從而提高了減薄工件的良率，并且減少了玻璃基材的浪費(fèi)，節(jié)省了能源提高了生產(chǎn)效率，節(jié)約了生產(chǎn)成本。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及 其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種玻璃減薄設(shè)備，包括用于噴射刻蝕溶液到待減薄的玻璃基材上的噴射裝置，其特征在于，還包括 檢測裝置，用于獲取所述玻璃基材上的缺陷區(qū)域所在的位置信息； 開關(guān)裝置，包括若干個(gè)按矩陣式排列在同一平面上的閥門，且所述開關(guān)裝置與所述玻璃基材平行設(shè)置；噴射器，用于通過閥門，向附著有刻蝕溶液的玻璃基材上的所述缺陷區(qū)域進(jìn)行噴射；處理器，與所述檢測裝置、開關(guān)裝置及噴射器相連接，用于根據(jù)所述檢測裝置獲取的所述缺陷區(qū)域的位置信息，向所述開關(guān)裝置發(fā)送控制信號，開啟與所述缺陷區(qū)域的位置對應(yīng)的閥門，并控制所述噴射器通過開啟的閥門向所述缺陷區(qū)域進(jìn)行噴射，減少所述缺陷區(qū)域附著的刻蝕溶液。
2.如權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其特征在于，所述閥門所在矩陣平面的面積不小于所述玻璃基材的面積。
3.如權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其特征在于，所述檢測裝置具體為激光掃描定位器； 所述激光掃描定位器，用于檢測所述玻璃基材上缺陷區(qū)域的位置坐標(biāo)信息，并將所述位置坐標(biāo)信息發(fā)送給所述處理器。
4.如權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其特征在于，所述檢測裝置的數(shù)量為兩個(gè)，分別設(shè)于所述玻璃基材的兩側(cè)，用于對所述玻璃基材的兩側(cè)表面分別進(jìn)行檢測。
5.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述開關(guān)裝置具體為閥門矩陣開關(guān)或激光矩陣開關(guān)。
6.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于，所述激光矩陣開關(guān)采用冷激光源，用于降低所述缺陷區(qū)域的刻蝕溶液的刻蝕速率。
7.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于，所述開關(guān)裝置的數(shù)量為兩個(gè)，分別位于所述玻璃基材的兩側(cè)。
8.如權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其特征在于，所述噴射器具體為高壓氣槍或高壓水槍。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種玻璃減薄設(shè)備，包括用于噴射刻蝕溶液的噴射裝置，還包括檢測裝置，用于獲取玻璃基材上的缺陷區(qū)域所在的位置信息；開關(guān)裝置，包括若干個(gè)按矩陣式排列在同一平面上的閥門，且開關(guān)裝置與玻璃基材平行設(shè)置；噴射器，用于通過閥門，向附著有刻蝕溶液的玻璃基材上的缺陷區(qū)域進(jìn)行噴射；處理器，與檢測裝置、開關(guān)裝置及噴射器相連接，用于根據(jù)檢測裝置獲取的缺陷區(qū)域的位置信息，向開關(guān)裝置發(fā)送控制信號，開啟與缺陷區(qū)域的位置對應(yīng)的閥門，并控制噴射器通過開啟的閥門向缺陷區(qū)域進(jìn)行噴射，減少缺陷區(qū)域附著的刻蝕溶液。本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，提高了減薄工件的良率，并且減少了玻璃基材的浪費(fèi)，節(jié)約了生產(chǎn)成本。
文檔編號C03C15/00GK202519159SQ20122012673
公開日2012年11月7日 申請日期2012年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月29日
發(fā)明者史文森 申請人:北京京東方光電科技有限公司