專利名稱：彩色濾光片低溫鍍ito透明導電膜的生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種彩色濾光片低溫鍍ITO透明導電膜的生產(chǎn)方法，它屬于濾光片的 鍍膜技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
彩色濾光片，廣泛應(yīng)用于手機、數(shù)碼相機、數(shù)碼攝像機、PDA、MP4、車載顯示屏、工業(yè) 控制面板等。隨著此類消費電子產(chǎn)品的市場需求不斷增長，彩色濾光片擁有廣闊的市場前 景，彩色濾光片的發(fā)展擁有良好的市場空間。彩色濾光片生產(chǎn)技術(shù)，涵蓋光刻技術(shù)、清洗技 術(shù)、膜厚控制技術(shù)、段差控制技術(shù)、線寬控制技術(shù)、總間距控制技術(shù)、圖形對位精度控制、表 面質(zhì)量控制技術(shù)等，而彩色濾光片低溫鍍ITO即氧化銦錫導電膜是彩色濾光片生產(chǎn)的關(guān)鍵 技術(shù)，目前其生產(chǎn)工藝技術(shù)存在如下的問題容易產(chǎn)生顏色異常、針孔超標、打弧、膜層均勻 性差的缺陷，導致彩色濾光片顯示顏色異常、短路、開路等等不良，合格率偏低，嚴重影響彩 色濾光片產(chǎn)品的質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可以保證生產(chǎn)出的彩色濾光片顏色正常，產(chǎn)品合格率 高的彩色濾光片低溫鍍ITO透明導電膜的生產(chǎn)方法。本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的一種彩色濾光片低溫鍍ITO透明導電膜的生產(chǎn)方法，它包括如下的工藝步驟A 先按照常規(guī)技術(shù)進行超聲波清洗基片，再進行平板清洗、熱烘干燥；B:將上述處理的基片上架裝片進行鍍膜，先鍍SiO2，鍍膜采用力合薄膜科技立 式全自動連續(xù)磁控濺射鍍膜機，基片加熱溫度為210°C 250°C，鍍膜室傳動速度頻率為 7. OHz 13. OHz,在4號室使用2個多晶硅靶進行鍍SiO2膜，其工藝條件是02流量為 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa ；C 再鍍ITO膜使用6個ITO靶鍍ITO膜，工藝條件是鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度4. O^lO-1Pa 4. 5*10^^之間。所述的彩色濾光片低溫鍍ITO透明導電膜的生產(chǎn)方法，它包括如下的具體工藝步 驟A 先按照常規(guī)技術(shù)進行超聲波清洗基片，再進行平板清洗、熱烘干燥；B 將上述處理的基片上架裝片進行鍍膜，先鍍SiO2,鍍膜采用力合薄膜科技立式 全自動連續(xù)磁控濺射鍍膜機，基片加熱溫度為250°C，鍍膜室傳動速度頻率為11.0Hz，在4 號室使用2個多晶硅靶進行鍍SiO2膜，其工藝條件是02流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa ；C 再鍍ITO膜使用6個ITO靶鍍ITO膜，工藝條件是鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度4. O^lO-1Pa 4. 5*10^^之間。
所述的彩色濾光片低溫鍍ITO透明導電膜的生產(chǎn)方法，其特征在于它包括如下的 具體工藝步驟A 先按照常規(guī)技術(shù)進行超聲波清洗基片，再進行平板清洗、熱烘干燥；B 將上述處理的基片上架裝片進行鍍膜，先鍍SiO2,鍍膜采用力合薄膜科技立式 全自動連續(xù)磁控濺射鍍膜機，基片加熱溫度為230°C，鍍膜室傳動速度頻率為9. 0Hz，在4 號室使用2個多晶硅靶進行鍍SiO2膜，其工藝條件是02流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa ；C 再鍍ITO膜使用6個ITO靶鍍ITO膜，工藝條件是鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度4. O^lO-1Pa 4. 5*10^^之間。所述的彩色濾光片低溫鍍ITO透明導電膜的生產(chǎn)方法，它包括如下的具體工藝步 驟A 先按照常規(guī)技術(shù)進行超聲波清洗基片，再進行平板清洗、熱烘干燥；B 將上述處理的基片上架裝片進行鍍膜，先鍍SiO2,鍍膜采用力合薄膜科技立式 全自動連續(xù)磁控濺射鍍膜機，基片加熱溫度為210°C，鍍膜室傳動速度頻率為7. 0Hz，在4 號室使用2個多晶硅靶進行鍍SiO2膜，其工藝條件是02流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa ；C 再鍍ITO膜使用6個ITO靶鍍ITO膜，工藝條件是鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度4. O^lO-1Pa 4. 5*10^^之間。所述的彩色濾光片低溫鍍ITO透明導電膜的生產(chǎn)方法，它包括如下的具體工藝步 驟A 先按照常規(guī)技術(shù)進行超聲波清洗基片，再進行平板清洗、熱烘干燥；B 將上述處理的基片上架裝片進行鍍膜，先鍍SiO2,鍍膜采用力合薄膜科技立式 全自動連續(xù)磁控濺射鍍膜機，基片加熱溫度為240°C，鍍膜室傳動速度頻率為12. 0Hz，在4 號室使用2個多晶硅靶進行鍍SiO2膜，其工藝條件是02流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. OX ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa ；C 再鍍ITO膜使用6個ITO靶鍍ITO膜，工藝條件是鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度4. O^lO-1Pa 4. 5*10^^之間。本發(fā)明采用低溫、多靶位濺射方法在彩色濾光片基板上鍍制的低方阻ITO透導電 膜，由于電阻低電，可以起到節(jié)能降耗的作用，由于采用低溫、多靶位濺射方法鍍膜，有效彩 色濾光片基板的破碎和鍍膜后彩色濾光片基板老化，提高了產(chǎn)品的合格率。
具體實施例方式實施例1先按照常規(guī)技術(shù)進行超聲波清洗基片，再進行平板清洗、熱烘干燥；將上述處理 的基片上架裝片進行鍍膜，先鍍SiO2,鍍膜采用力合薄膜科技立式全自動連續(xù)磁控濺射 鍍膜機，基片加熱溫度為250°c，鍍膜室傳動速度頻率為11. 0Hz，在4號室使用2個多晶 硅靶進行鍍SiO2膜，其工藝條件是02流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、真空度 3. OXliT1Pa 4. SXliT1Pa之間，總氣壓為0. 40 0. 45Pa ；再鍍ITO膜使用6個ITO 靶鍍ITO膜，工藝條件是鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度4. O^lO^Pa 4. 5*10^^ 之間。測試結(jié)果基層的SiO2膜厚為200 A、SiO2透過率為90. 5% ；ITO膜厚2300 A 2500 A, ITO膜面電阻為8 Ω / □ 10 Ω / □，透過率(550nm波長)為彡81. 0 %，顏色均勻， 產(chǎn)品最終檢驗合格。實施例2先按照常規(guī)技術(shù)進行超聲波清洗基片，再進行平板清洗、熱烘干燥；將上述處理 的基片上架裝片進行鍍膜，先鍍SiO2，鍍膜采用力合薄膜科技立式全自動連續(xù)磁控濺射鍍 膜機，基片加熱溫度為230°c，鍍膜室傳動速度頻率為9. 0Hz，在4號室鍍SiO2, O2流量為 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa,使用2個多晶硅靶進行鍍SiO2膜，6個ITO靶鍍ITO膜，鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度4. O^liTPa 4. 5*10_中￡1之間。測試結(jié)果基層的SiO2膜厚為150 A 200 A、SiO2透過率為90. 5% ；ITO膜厚2500入 2800 A, ITO膜面電阻為7Ω / □ 8 Ω/□，透過率(550nm波長)為彡82. 0%，顏色均勻，產(chǎn)品最終檢驗合格。實施例3先按照常規(guī)技術(shù)進行超聲波清洗基片，再進行平板清洗、熱烘干燥；將上述處理 的基片上架裝片進行鍍膜，先鍍SiO2，鍍膜采用力合薄膜科技立式全自動連續(xù)磁控濺射鍍 膜機，基片加熱溫度為210°c，鍍膜室傳動速度頻率為7. 0Hz，在4號室鍍SiO2, O2流量為 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa,使用2個多晶硅靶進行鍍SiO2膜，6個ITO靶鍍ITO膜，鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度4. O^liTPa 4. 5*10_中￡1之間。測試結(jié)果基層的SiO2膜厚為150 A 200 A、SiO2透過率為90. 5% ；ITO膜厚2800 A 3500 A, ITO膜面電阻為5Ω / □ 7 Ω/□，透過率(550nm波長)為彡83. 0%，顏色均勻，產(chǎn)品最終檢驗合格。實施例4先按照常規(guī)技術(shù)進行超聲波清洗基片，再進行平板清洗、熱烘干燥；將上述處理 的基片上架裝片進行鍍膜，先鍍SiO2，鍍膜采用力合薄膜科技立式全自動連續(xù)磁控濺射鍍 膜機，基片加熱溫度為240°c，鍍膜室傳動速度頻率為12. 0Hz，在4號室鍍Si02，O2流量為 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa,使用2個SiO2靶進行鍍SiO2膜，6個ITO靶鍍ITO膜，鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度4. O^liTPa 4. 5*10_中￡1之間。測試結(jié)果基層的SiO2膜厚為150 A 200入、Si02透過率為90. 5% ；ITO膜厚2000 A 2300 A, ITO膜面電阻為10 Ω/ □ 12Ω/□，透過率(550nm波長)為彡81. 0%，顏色均勻，產(chǎn)品最終檢驗合格。實施例5先按照常規(guī)技術(shù)進行超聲波清洗基片，再進行平板清洗、熱烘干燥；將上述處理 的基片上架裝片進行鍍膜，先鍍SiO2，鍍膜采用力合薄膜科技立式全自動連續(xù)磁控濺射鍍 膜機，基片加熱溫度為240°c，鍍膜室傳動速度頻率為13. 0Hz，在4號室鍍Si02，O2流量為 35Sccm、Ar 流量 200 220Sccm、真空度 3. 0 X ICT1Pa 4. 5 X ICT1Pa 之間，總氣壓為 0. 40 0. 45Pa,使用2個多晶硅靶進行鍍SiO2膜，使用2個ITO靶進行鍍ITO膜，6個ITO靶鍍ITO 膜，鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度4. O^liTPa 4. 5*10_中￡1之間。測試結(jié) 果基層的SiO2膜厚為150 A 200 A、SiO2透過率為90. 5%;ΙΤ0膜厚1800 A 2000 Α,ITO膜面電阻為12Ω/□ 15 Ω / □，透過率(550nm波長)為彡83. 0%，顏色均勻，產(chǎn)品最
終檢驗合格。
權(quán)利要求
一種彩色濾光片低溫鍍ITO透明導電膜的生產(chǎn)方法，它包括如下的工藝步驟A先按照常規(guī)技術(shù)進行超聲波清洗基片，再進行平板清洗、熱烘干燥；B將上述處理的基片上架裝片進行鍍膜，先鍍SiO2，鍍膜采用力合薄膜科技立式全自動連續(xù)磁控濺射鍍膜機，基片加熱溫度為210℃～250℃，鍍膜室傳動速度頻率為7.0Hz～13.0Hz，在4號室使用2個多晶硅靶進行鍍SiO2膜，其工藝條件是O2流量為35Sccm、Ar流量200～220Sccm、真空度3.0×10-1Pa～4.5×10-1Pa之間，總氣壓為0.40～0.45Pa；C再鍍ITO膜使用6個ITO靶鍍ITO膜，工藝條件是鍍膜室Ar流量為200～220Sccm、鍍膜室真空度4.0*10-1Pa～4.5*10-1Pa之間。
2.如權(quán)利要求1中所述的彩色濾光片低溫鍍ITO透明導電膜的生產(chǎn)方法，其特征在于 它包括如下的具體工藝步驟A 先按照常規(guī)技術(shù)進行超聲波清洗基片，再進行平板清洗、熱烘干燥； B 將上述處理的基片上架裝片進行鍍膜，先鍍SiO2，鍍膜采用力合薄膜科技立式全自 動連續(xù)磁控濺射鍍膜機，基片加熱溫度為250°C，鍍膜室傳動速度頻率為11. 0Hz，在4號室 使用2個多晶硅靶進行鍍SiO2膜，其工藝條件是02流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、 真空度3. OXliT1Pa 4. 5 X ICT1Pa之間，總氣壓為0. 40 0. 45Pa ；C 再鍍ITO膜使用6個ITO靶鍍ITO膜，工藝條件是鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度4. O^lO-1Pa 4. 5*10^^之間。
3.如權(quán)利要求1中所述的彩色濾光片低溫鍍ITO透明導電膜的生產(chǎn)方法，其特征在于 它包括如下的具體工藝步驟A 先按照常規(guī)技術(shù)進行超聲波清洗基片，再進行平板清洗、熱烘干燥； B 將上述處理的基片上架裝片進行鍍膜，先鍍SiO2，鍍膜采用力合薄膜科技立式全自 動連續(xù)磁控濺射鍍膜機，基片加熱溫度為230°C，鍍膜室傳動速度頻率為9. 0Hz，在4號室使 用2個多晶硅靶進行鍍SiO2膜，其工藝條件是02流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、 真空度3. OXliT1Pa 4. 5 X ICT1Pa之間，總氣壓為0. 40 0. 45Pa ；C 再鍍ITO膜使用6個ITO靶鍍ITO膜，工藝條件是鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度4. O^lO-1Pa 4. 5*10^^之間。
4.如權(quán)利要求1中所述的彩色濾光片低溫鍍ITO透明導電膜的生產(chǎn)方法，其特征在于 它包括如下的具體工藝步驟A 先按照常規(guī)技術(shù)進行超聲波清洗基片，再進行平板清洗、熱烘干燥； B 將上述處理的基片上架裝片進行鍍膜，先鍍SiO2,鍍膜采用力合薄膜科技立式全自 動連續(xù)磁控濺射鍍膜機，基片加熱溫度為210°C，鍍膜室傳動速度頻率為7. 0Hz，在4號室使 用2個多晶硅靶進行鍍SiO2膜，其工藝條件是02流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、 真空度3. OXliT1Pa 4. 5 X ICT1Pa之間，總氣壓為0. 40 0. 45Pa ；C 再鍍ITO膜使用6個ITO靶鍍ITO膜，工藝條件是鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度4. O^lO-1Pa 4. 5*10^^之間。
5.如權(quán)利要求1中所述的彩色濾光片低溫鍍ITO透明導電膜的生產(chǎn)方法，其特征在于 它包括如下的具體工藝步驟A 先按照常規(guī)技術(shù)進行超聲波清洗基片，再進行平板清洗、熱烘干燥； B 將上述處理的基片上架裝片進行鍍膜，先鍍SiO2,鍍膜采用力合薄膜科技立式全自2動連續(xù)磁控濺射鍍膜機，基片加熱溫度為240°C，鍍膜室傳動速度頻率為12. 0Hz，在4號室 使用2個多晶硅靶進行鍍SiO2膜，其工藝條件是02流量為35Sccm、Ar流量200 220Sccm、 真空度3. OXliT1Pa 4. 5 X ICT1Pa之間，總氣壓為0. 40 0. 45Pa ；C 再鍍ITO膜使用6個ITO靶鍍ITO膜，工藝條件是鍍膜室Ar流量為200 220Sccm、鍍膜室真空度4. O^lO-1Pa 4. 5*10^^之間。
全文摘要
一種彩色濾光片低溫鍍ITO透明導電膜的生產(chǎn)方法，它屬于濾光片的鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，它包括如下的工藝步驟A清洗基片，再進行平板清洗、熱烘干燥；B將基片上架裝片進行鍍膜，先鍍SiO2，基片加熱溫度為210℃～250℃，鍍膜室傳動速度頻率為7.0Hz～13.0Hz，使用2個多晶硅靶進行鍍SiO2膜，其工藝條件是O2流量為35Sccm、Ar流量200～220Sccm、真空度3.0×10-1Pa～4.5×10-1Pa之間，總氣壓為0.40～0.45Pa；C鍍ITO膜使用6個ITO靶鍍ITO膜，工藝條件是鍍膜室Ar流量為200～220Sccm、鍍膜室真空度4.0×10-1Pa～4.5×10-1Pa之間。本發(fā)明工藝簡單，產(chǎn)品合格率高。
文檔編號C03C17/23GK101880131SQ20101019605
公開日2010年11月10日 申請日期2010年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月9日
發(fā)明者吳勇, 吳永光, 溫景成, 胡安春, 董堅 申請人:深圳市力合薄膜科技有限公司