專利名稱：半導(dǎo)體芯片分割方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是與將形成于半導(dǎo)體晶圓(wafer)上的芯片(Chip)分離的方法，特別是關(guān)于一種以非物理方式將晶圓(wafer)分割成多個(gè)芯片(Chip)的方法。
背景技術(shù)：
對(duì)于將晶圓(wafer)分割成多個(gè)芯片(Chip)的技術(shù)上，目前均是以物理方式居多，更詳細(xì)的說，所謂的物理方式就是以刀具鋸切或以激光方式切割，例如在美國(guó)專利第 6，121，118號(hào)，第6，924，210號(hào)以及第7，550，367號(hào)所揭露的，此等切割方式事實(shí)上有不少缺點(diǎn)，就以刀具鋸切來說，其最大的缺失就是分割后的芯片周緣會(huì)受到破壞或受到鋸切后的粉末或粒屑所污染，而以激光分割方式而言，其最大缺點(diǎn)就是分割后的芯片會(huì)受到高溫切割進(jìn)行時(shí)所生灰燼的污染。再者，此二種切割方式在切割速率上并不理想。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的即是在提供一種一種以非物理方式將晶圓(wafer)分割成多個(gè)芯片(Chip)的方法，其不會(huì)有前述各物理切割方式所生的缺點(diǎn)。為達(dá)成前述的目的，本發(fā)明的將晶圓(wafer)分割成多個(gè)芯片(Chip)的方法，包含有取用一待切割晶圓以及一支撐用的基板，然后將一以可溶性材質(zhì)制成的分隔層夾置于該待切割晶圓以及一基板之間，形成一三明治狀物。再之，以蝕刻方式將該待切割晶圓形成多個(gè)附著于該分隔層上的芯片；繼之則是取用一設(shè)備，該設(shè)備具有一內(nèi)部空間以及一承載面；然后將該三明治狀物以該待切割晶圓朝該承載面的方式固置于該設(shè)備的內(nèi)部空間內(nèi)； 最后再將一溶解液灌填于該設(shè)備的內(nèi)部空間內(nèi)用以溶解該分隔層，并使由該待切割晶圓切割而成的各該多個(gè)芯片，分別地被承放于該設(shè)備的承載面上而完成分割。由前述可知，本發(fā)明所提供的切割方法，并不會(huì)有切割后的屑?；蛘呋覡a，而且是各芯片是被同時(shí)分割，因此已知分割方法的缺點(diǎn)即可有效的予以解決。
以下列舉一較佳實(shí)施例并配合附圖，對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)說明，其中圖1是本發(fā)明方法的實(shí)施步驟中，將一以可溶性材質(zhì)制成的分隔層夾置于該待切割晶圓以及一基板之間，形成一三明治狀物的示意圖；圖2是本發(fā)明方法的實(shí)施步驟中，以蝕刻方式將該待切割晶圓形成多個(gè)附著于該分隔層上的芯片的示意圖；圖3是本發(fā)明方法的實(shí)施步驟中，將圖2所示的三明治狀物以該已被切割的晶圓朝下的方式固置于一治具的內(nèi)部空間內(nèi)的示意圖；圖4是本發(fā)明方法的實(shí)施步驟中，將圖3所示治具以及其內(nèi)部的三明治狀物浸泡于一含有溶解液的槽體內(nèi)用以溶解該分隔層的示意圖；以及圖5是本發(fā)明方法的實(shí)施步驟中，各該切割后的芯片分別地被承放于該設(shè)備的承
3載面上的示意圖。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱各附圖，本發(fā)明所揭示的方法，實(shí)際上可依以下步驟進(jìn)行，惟必須了解的是此等步驟僅是該方法的一實(shí)施例而已。首先，取用一待切割晶圓10，以及一支撐用基板20，本實(shí)施例是取用一與待切割晶圓10相同大小的晶圓充當(dāng)。然后將一分隔層30夾置于待切割晶圓10與基板20之間形成一三明治狀物40(如圖1所示)。在此必須一提的是，分隔層30是以可被適當(dāng)化學(xué)藥劑溶解的材質(zhì)制成，例如塑料聚合物(Polymer)。接著，是以蝕刻Etching)方式將待切割晶圓10分離成多個(gè)的芯片12，此處所提的以蝕刻Etching)方式是眾所周知的技術(shù)，因此不與詳述，但是必須一提的是分離后的各芯片12仍是貼附于分隔層30上(如圖2所示)。再之，取用一設(shè)備，本實(shí)施例是以如圖3所示的治具50來進(jìn)行，治具50具有一上蓋52，一底座M以及一位于二者間的容納空間56。三明治狀物40是以待切割晶圓10朝下，也就是說朝向底座M座面542的方式，懸置于上蓋52內(nèi)側(cè)頂面522。另外，于本實(shí)施例底座M座面542設(shè)有多個(gè)的貫孔M4，其作用將于后面說明。繼之，如圖4所示，是取用一槽體60，其內(nèi)部盛裝有可溶解分隔層30但不會(huì)溶解待切割晶圓10與用基板20的液體化學(xué)藥劑62，然后將圖2所示的三明治狀物40浸入槽體60 內(nèi)，此時(shí)液體化學(xué)藥劑62將經(jīng)由底座M座面542的多個(gè)貫孔544進(jìn)入治具50的容納空間 56，對(duì)分隔層30進(jìn)行溶解，當(dāng)分隔層30被完全融解時(shí)，分離后的各芯片12將被承載于底座 M座面542上(如圖4所示)。另外，必須一提的是液體化學(xué)藥劑62是視分隔層30的材質(zhì)而定，由于這方面也是已知技術(shù)，本處并不予詳述。最后，如圖5所示，將治具50自槽體60取出，然后將上蓋52打開，即可取出分離后的各芯片12供后續(xù)加工用。由前述所知，本發(fā)明的方法在實(shí)施上均未以鋸切或激光方式對(duì)待切割晶圓進(jìn)行加工，因此即不會(huì)產(chǎn)生該二已知方法所產(chǎn)生的缺點(diǎn)。
權(quán)利要求
1.一種將半導(dǎo)體晶圓分割成多個(gè)芯片的方法，包含有如下的步驟取用一待切割晶圓以及一基板；將一以可溶性材質(zhì)制成的分隔層夾置于該待切割晶圓以及一基板之間，形成一三明治狀物；蝕刻該待切割晶圓形成多個(gè)附著于該分隔層上的芯片；取用一設(shè)備，該設(shè)備具有一內(nèi)部空間以及一承載面；將該三明治狀物以該待切割晶圓朝該承載面的方式固置于該設(shè)備的內(nèi)部空間內(nèi)；將一溶解液灌填于該設(shè)備的內(nèi)部空間內(nèi)用以溶解該分隔層，并使各該多個(gè)芯片被承放于該設(shè)備的承載面上而完成分割。
2.如權(quán)利要求1所述的將半導(dǎo)體晶圓分割成多個(gè)芯片的方法，其中該分隔層包含有一塑料聚合物層。
3.如權(quán)利要求1所述的將半導(dǎo)體晶圓分割成多個(gè)芯片的方法，其中該設(shè)備包含有一治具，該治具具有一上蓋，一底座，該上蓋與該底座結(jié)合后是形成一容納空間，該底座的座面形成該承載面；該三明治狀物是以該待切割晶圓朝該朝該底座的座面的方式固置于該上蓋內(nèi)側(cè)頂面。
4.如權(quán)利要求3所述的將半導(dǎo)體晶圓分割成多個(gè)芯片的方法，其中該治具的底座設(shè)有若干貫孔供該溶解液的灌入與流出。
5.如權(quán)利要求4所述的將半導(dǎo)體晶圓分割成多個(gè)芯片的方法，其中是將該容置有三明治狀物的治具浸入一含有該溶解液的槽體內(nèi)，使該溶解液可進(jìn)入該容納空間對(duì)該分隔層進(jìn)行溶解。
全文摘要
一種將半導(dǎo)體晶圓(wafer)分割成多個(gè)芯片(Chip)的方法，包含有取用一待切割晶圓以及一支撐用的基板，然后將一以可溶性材質(zhì)制成的分隔層夾置于該待切割晶圓以及一基板之間，形成一三明治狀物。再之，以蝕刻方式將該待切割晶圓形成多個(gè)附著于該分隔層上的芯片；繼之則是取用一設(shè)備，該設(shè)備具有一內(nèi)部空間以及一承載面；然后將該三明治狀物以該待切割晶圓朝該承載面的方式固置于該設(shè)備的內(nèi)部空間內(nèi)；最后再將一溶解液灌填于該設(shè)備的內(nèi)部空間內(nèi)用以溶解該分隔層，并使由該待切割晶圓切割而成的各該多個(gè)芯片，分別地被承放于該設(shè)備的承載面上而完成分割。
文檔編號(hào)B28D5/00GK102237308SQ20101017403
公開日2011年11月9日 申請(qǐng)日期2010年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月6日
發(fā)明者吳名清 申請(qǐng)人:利順精密科技股份有限公司