專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及一種半導(dǎo)體器件，更特別地，涉及一種具有電源布線以經(jīng)由半導(dǎo)體芯片的電源線向半導(dǎo)體芯片的電路部分供應(yīng)電力的的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
通常，在使用引線(wire)接合法來(lái)安裝半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體器件中，在襯底上承載的半導(dǎo)體芯片外圍部分處的電極與在襯底上的接合導(dǎo)線(lead)通過(guò)引線等電連接在一起。
在工作時(shí)，從半導(dǎo)體芯片外圍部分的電極、經(jīng)由電源線向半導(dǎo)體芯片中心處的電路部分供應(yīng)電源電流。
圖1示出常規(guī)半導(dǎo)體器件10的組成。半導(dǎo)體芯片1比如LSI被承載在插入件(interposer)上，該插入件用作由圖1中的虛線所示的襯底。半導(dǎo)體芯片1包括形成電路部分的核心部分5，位于核心部分5外圍部分處的多個(gè)電極焊盤(pán)2，以及電源線4。
通過(guò)半導(dǎo)體芯片1的電路部分和電源線4，連接多個(gè)電極焊盤(pán)2中為電源設(shè)置的電極焊盤(pán)2。通過(guò)半導(dǎo)體芯片1的電路部分和電源線4，連接多個(gè)電極焊盤(pán)2中為接地設(shè)置的電極焊盤(pán)2。
來(lái)自電源(圖中未示)的電源電流在工作時(shí)經(jīng)由電源線4從半導(dǎo)體芯片1的外圍被供應(yīng)至半導(dǎo)體芯片1中心處的核心部分5的電路。
在半導(dǎo)體器件1的襯底上，在圍繞半導(dǎo)體芯片1的區(qū)域中，設(shè)置多條接合導(dǎo)線7。在多條接合導(dǎo)線7中用于電源的接合導(dǎo)線7被連接至電源(未示出)，并且在多條接合導(dǎo)線7中用于接地的接合導(dǎo)線7被接地。在襯底上設(shè)置的所有接合導(dǎo)線7都通過(guò)引線8與半導(dǎo)體芯片1外圍的電極焊盤(pán)2電接合。
作為公知的關(guān)于半導(dǎo)體器件電源布線的方法，日本公開(kāi)專利申請(qǐng)?zhí)?3-008360公開(kāi)了在具有多個(gè)布線層的半導(dǎo)體器件中設(shè)置的電源布線。該半導(dǎo)體器件具有這樣的布線結(jié)構(gòu)，其中多個(gè)半導(dǎo)體芯片和電源布線經(jīng)由通孔連接。
而且，日本公開(kāi)專利申請(qǐng)?zhí)?4-089447公開(kāi)了具有多層互連結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體集成電路器件。為了避免受到集成電路外部的電場(chǎng)和磁場(chǎng)的影響，半導(dǎo)體電路器件被構(gòu)造為具有這樣的布線結(jié)構(gòu)，其中在多個(gè)導(dǎo)體層中至少有一個(gè)導(dǎo)體層被連接至電源或接地以便整體覆蓋襯底上元件(晶體管)的外圍。
在圖1的常規(guī)半導(dǎo)體器件10中，電源電流在工作時(shí)經(jīng)由電源線4被供應(yīng)至半導(dǎo)體芯片1的核心部分5。然而，會(huì)存在這樣的趨勢(shì)，即在核心部分5中心處的供應(yīng)電壓會(huì)變得低于核心部分5外圍部分處的供應(yīng)電壓。
特別地，在高速工作時(shí)，電源電流通過(guò)無(wú)源元件部分比如電阻器和電感被消耗，并且在核心部分5中心處的供應(yīng)電壓將會(huì)低于在核心部分5外圍部分處的供應(yīng)電壓。將會(huì)出現(xiàn)由于供應(yīng)電壓下降而導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片1的電路部分不能執(zhí)行預(yù)定操作的問(wèn)題。因此，在常規(guī)半導(dǎo)體器件10的情況下，供應(yīng)電壓下降成為半導(dǎo)體芯片1操作故障的原因。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的是提供一種能消除上述問(wèn)題的改進(jìn)的半導(dǎo)體器件。
本發(fā)明的另一目的是提供一種簡(jiǎn)單和低成本的半導(dǎo)體器件，其中電源線的結(jié)構(gòu)被改進(jìn)并且可以有效穩(wěn)定半導(dǎo)體芯片的操作。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，其中在半導(dǎo)體芯片的電路部分中心處的電源線上和在半導(dǎo)體芯片的電路部分外圍部分處的電源線上分別形成開(kāi)口。并且電路部分中心的開(kāi)口上的電源線和電路部分外圍部分的開(kāi)口上的電源線通過(guò)由銀膏等形成的導(dǎo)體層而被相互連接。能夠在工作期間使得電路部分中心處提供的電源電流增大。因此，本發(fā)明能夠防止在電路部分中心處的供應(yīng)電壓在工作期間下降，并且能夠有效穩(wěn)定半導(dǎo)體芯片的工作。
當(dāng)接合附圖閱讀下述具體描述時(shí)，本發(fā)明的其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見(jiàn)。
圖1是示出常規(guī)半導(dǎo)體器件組成的圖；圖2A是用于說(shuō)明在本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中的半導(dǎo)體芯片的電路部分的電源線上形成的導(dǎo)體層的圖；圖2B是用于說(shuō)明在本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中的半導(dǎo)體芯片的電路部分的電源線上形成的導(dǎo)體層的圖；圖3是示出在圖2B的半導(dǎo)體芯片中電源線與導(dǎo)體層之間連接的橫截面視圖；圖4是示出在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件組成的圖；圖5是示出在本發(fā)明另一實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件組成的圖；圖6是示出在圖5的半導(dǎo)體器件中襯底、半導(dǎo)體芯片與導(dǎo)體層之間連接的橫截面視圖；圖7是示出本發(fā)明另一實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件組成的圖；圖8是示出在圖7的半導(dǎo)體器件中TAB帶、半導(dǎo)體芯片與導(dǎo)體層之間連接的橫截面視圖；圖9是示出圖2B的半導(dǎo)體芯片的橫截面結(jié)構(gòu)的橫截面視圖；以及圖10是示出在圖4的半導(dǎo)體器件中布線板、半導(dǎo)體芯片與導(dǎo)體層之間連接的側(cè)視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參照附圖給出本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的描述。
圖4示出本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件的組成。圖10示出在圖4的半導(dǎo)體器件中布線板、半導(dǎo)體芯片與導(dǎo)體層之間的連接。
圖4的半導(dǎo)體器件20包括在布線板21上承載的半導(dǎo)體芯片11，比如LSI。布線板21例如被用作插入件。半導(dǎo)體芯片11包含在中心處形成的電路部分(核心部分)，在電路部分的外圍部分處設(shè)置的多個(gè)電極焊盤(pán)12，以及電源線14。
如圖10所示，半導(dǎo)體芯片11經(jīng)由壓模(die)材料21a安裝于布線板21上，其中其電路部分形成在向上放置的前表面上和在向下放置的后表面上。在多個(gè)電極焊盤(pán)12中為電源設(shè)置的電極焊盤(pán)12與半導(dǎo)體芯片11的電路部分和電源線14連接。
在多個(gè)電極焊盤(pán)12中為接地設(shè)置的電極焊盤(pán)12與半導(dǎo)體芯片11的電路部分和電源線14連接。來(lái)自電源(未示出)的電源電流在工作時(shí)從半導(dǎo)體芯片11的外圍部分經(jīng)由電源線14被供應(yīng)至半導(dǎo)體芯片中心處的電路部分。
在半導(dǎo)體器件20的布線板21上，在圍繞半導(dǎo)體芯片11的區(qū)域中設(shè)置多條接合導(dǎo)線17。在多條接合導(dǎo)線17中，用于電源的接合導(dǎo)線17與電源(未示出)連接，并且在多條接合導(dǎo)線17中用于接地的接合導(dǎo)線17被接地。
在半導(dǎo)體芯片11外圍的每個(gè)電極焊盤(pán)12通過(guò)引線18分別電連接至多條導(dǎo)線17的其中之一。
為了解決在上述常規(guī)半導(dǎo)體器件工作時(shí)，在半導(dǎo)體芯片的電路部分中心處提供的供應(yīng)電壓下降的問(wèn)題，圖4的半導(dǎo)體器件20如下述構(gòu)造。在半導(dǎo)體芯片11的電路部分的中心和外圍部分處，在每條電源線14上分別形成開(kāi)口13。在這些開(kāi)口13上形成導(dǎo)體層16以覆蓋半導(dǎo)體芯片11的電路部分的整個(gè)表面，并且在電路部分中心的開(kāi)口13上的電源線14和在電路部分外圍部分的開(kāi)口13上的電源線14通過(guò)導(dǎo)體層16相互連接。
該導(dǎo)體層16能夠通過(guò)向半導(dǎo)體芯片11涂覆導(dǎo)電材料比如銀膏來(lái)形成。在半導(dǎo)體器件20的布線板21上的多條接合導(dǎo)線17中用于導(dǎo)體層的接合導(dǎo)線17通過(guò)引線18電連接至導(dǎo)體層16。這些用于導(dǎo)體層的接合導(dǎo)線17(在圖4的實(shí)例中，有8條)包括連接到電源(未示出)的接合導(dǎo)線，和連接到地極的接合導(dǎo)線。
因此，在工作時(shí)，來(lái)自電源(未示出)的電源電流經(jīng)由用于導(dǎo)體層的接合導(dǎo)線17和引線18被直接供應(yīng)至導(dǎo)體層16。通過(guò)在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中形成該導(dǎo)體層16，能夠增加在工作時(shí)供應(yīng)至半導(dǎo)體芯片11中心處的電路部分的電源電流量。
因此，在工作時(shí)，能夠防止半導(dǎo)體芯片11的電路部分中心處的供應(yīng)電壓的下降，并且有效穩(wěn)定半導(dǎo)體芯片11的工作。
圖2A和圖2B是用于說(shuō)明圖4的半導(dǎo)體芯片11的電路部分的電源線14上形成的導(dǎo)體層16的圖。
在形成導(dǎo)體層16之前，在半導(dǎo)體芯片11的電源線14上形成多個(gè)開(kāi)口13，如圖2A所示。對(duì)于半導(dǎo)體芯片11的電路部分外圍部分附近的電源線14上的位置、和易于出現(xiàn)電壓下降的半導(dǎo)體芯片11的電路部分中心附近的電源線14上的位置，均等分布形成多個(gè)開(kāi)口13的位置。
在多個(gè)開(kāi)口13的每一個(gè)中，開(kāi)口都是這樣形成的使得其它布線層、絕緣層等不閉合半導(dǎo)體芯片11的電源線14的一部分。在半導(dǎo)體芯片11的制造過(guò)程中可附加地形成這些開(kāi)口13?？蛇x地，可在半導(dǎo)體芯片11的制造之后形成這些開(kāi)口13。
如圖2B所示，在形成多個(gè)開(kāi)口13之后，在其上形成導(dǎo)體層16。通過(guò)涂覆或印刷導(dǎo)電物質(zhì)比如銀膏，形成導(dǎo)體層16以覆蓋半導(dǎo)體芯片11上的所有多個(gè)開(kāi)口13，并且導(dǎo)體層16和電源線14在每個(gè)開(kāi)口13處連接在一起。
圖9示出圖2B的半導(dǎo)體芯片11的橫截面結(jié)構(gòu)。
如圖9所示，半導(dǎo)體芯片11包括襯底19比如硅，在襯底19上形成的布線層15，在布線層15上形成的導(dǎo)體層16，以及電極焊盤(pán)12。布線層15包括絕緣層15a，電源線14和其它布線層。
通過(guò)去除布線層15的絕緣層15a來(lái)形成開(kāi)口13，從而露出電源線14。通過(guò)涂覆或印刷銀膏等形成導(dǎo)體層16，從而通過(guò)導(dǎo)體層16覆蓋半導(dǎo)體芯片11上的所有開(kāi)口13。
在該實(shí)施例中，使用的銀膏的銀(Ag)含量為60％或以上，銀膏被加熱和硬化，并且硬化材料的銀含量為99％或以上。理所當(dāng)然地，可使用除了銀(Ag)之外的金屬比如金(Au)或銅(Cu)及其他導(dǎo)電物質(zhì)來(lái)作為用于形成導(dǎo)體層16的材料。
圖3示出在圖2B的半導(dǎo)體芯片11的開(kāi)口13中，電源線14與導(dǎo)體層16之間的連接。
利用鋁(Al)或銅(Cu)形成圖2B的半導(dǎo)體芯片11的布線，并且電源線14的布線寬度相對(duì)較小(約10微米)。為此，在涂覆銀膏之前，進(jìn)行非電解電鍍，從而在開(kāi)口13位置處的電源線14上形成鎳(Ni)和金(Au)的鍍層，以避免在硬化銀膏時(shí)熱應(yīng)力引起布線的斷開(kāi)。
如圖3所示，在位于半導(dǎo)體芯片11的電路部分中的開(kāi)口13中，在電源線14上形成鎳鍍層17a和Au鍍層17b，并且進(jìn)一步通過(guò)涂覆和硬化銀膏在鍍層17a和17b上形成導(dǎo)體層16，從而導(dǎo)體層16幾乎覆蓋半導(dǎo)體芯片11的電路部分(含有其中心和外圍部分)的整個(gè)表面。
在具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件20中，位于半導(dǎo)體芯片的電路部分中心處的開(kāi)口13和位于半導(dǎo)體芯片11的電路部分外圍部分處的開(kāi)口13通過(guò)導(dǎo)體層16相互連接，并且導(dǎo)體層16在每個(gè)這些開(kāi)口13處與電源線14電連接。
如上所述，在圖4的半導(dǎo)體器件20中，通過(guò)在半導(dǎo)體芯片11的電路部分中形成開(kāi)口13和導(dǎo)體層16，能夠在工作時(shí)增加供應(yīng)至半導(dǎo)體芯片11中心處的電路部分的電源電流。因此，能夠防止在工作時(shí)半導(dǎo)體芯片11的電路部分中心處的供應(yīng)電壓的下降，并且能夠有效穩(wěn)定半導(dǎo)體芯片11的工作。
此外，通過(guò)利用公知的布線方法，能夠在半導(dǎo)體芯片11上容易地形成該實(shí)施例中的開(kāi)口13和導(dǎo)體層16，并且本發(fā)明能夠提供簡(jiǎn)單和低成本的半導(dǎo)體器件。
接下來(lái)，將參照?qǐng)D5和圖6說(shuō)明本發(fā)明另一實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件。
關(guān)于安裝IC或LSI芯片的芯片安裝技術(shù)，公知的有引線接合法、倒裝接合法、TAB(卷帶式自動(dòng)接合)法等。并且依據(jù)所涉及的器件或產(chǎn)品領(lǐng)域，正適當(dāng)采用這些方法。
圖4的上述半導(dǎo)體器件20是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中通過(guò)使用引線接合法來(lái)進(jìn)行半導(dǎo)體芯片的安裝。
與此相對(duì)照，圖5和圖6所示的半導(dǎo)體器件30是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中通過(guò)使用倒裝接合法來(lái)進(jìn)行半導(dǎo)體芯片的安裝。
圖5示出在該實(shí)施例中的半導(dǎo)體芯片11a的電路形成表面(后表面)的組成。圖6示出該實(shí)施例的半導(dǎo)體器件30中襯底22、半導(dǎo)體芯片11a與導(dǎo)體層16之間的連接。
該實(shí)施例的半導(dǎo)體器件30包括在襯底22上承載的半導(dǎo)體芯片11a比如LSI。與圖2B中的設(shè)置有多個(gè)電極焊盤(pán)12的半導(dǎo)體芯片11不同，在該實(shí)施例中的半導(dǎo)體芯片11a的外圍部分處設(shè)置多個(gè)突起12a，取代多個(gè)電極焊盤(pán)12，如圖5所示。
如圖5所示，半導(dǎo)體芯片11a包括在中心處形成的電路部分(核心部分)，設(shè)置在電路部分的外圍部分的多個(gè)突起12a，電源線14，多個(gè)開(kāi)口13，以及導(dǎo)體層16。在多個(gè)突起12a中為電源設(shè)置的突起12a與半導(dǎo)體芯片11a的電路部分和電源線14連接。在多個(gè)突起12a中為接地設(shè)置的突起12a與半導(dǎo)體芯片11a的電路部分和電源線14連接。
來(lái)自電源(未示出)的電源電流在工作時(shí)從半導(dǎo)體芯片11a的外圍部分經(jīng)由電源線14被供應(yīng)至半導(dǎo)體芯片11a中心處的電路部分。
在位于半導(dǎo)體芯片11a的電路部分中心處的電源線14上和位于半導(dǎo)體芯片11a的電路部分外圍部分處的電源線14上，分別形成開(kāi)口13。在這些開(kāi)口13上形成導(dǎo)體層16以覆蓋半導(dǎo)體芯片11a的電路部分的整個(gè)表面，并且在電路部分中心的開(kāi)口13上的電源線14和在電路部分外圍部分的開(kāi)口13上的電源線14通過(guò)導(dǎo)體層16相互連接。
與上述參照?qǐng)D2B所述的形成方法類似，可通過(guò)向半導(dǎo)體芯片11a涂覆并硬化導(dǎo)電材料比如銀膏，來(lái)形成導(dǎo)體層16。在下述中，將省略重復(fù)的說(shuō)明。
如圖6所示，在半導(dǎo)體器件30的襯底22上，在面向半導(dǎo)體芯片11a的電路部分的區(qū)域中設(shè)置端子24，并且在襯底22上在面向半導(dǎo)體芯片11a的多個(gè)突起12a的區(qū)域中設(shè)置多個(gè)端子23。
在多個(gè)端子23中，用于電源的端子23與電源(未示出)連接，并且在多個(gè)端子23中用于接地的端子23被接地。
在圖6的半導(dǎo)體器件30中，在半導(dǎo)體芯片11a外圍的多個(gè)突起12a的每一個(gè)分別電連接至位于襯底22上的多個(gè)端子23其中之一。在半導(dǎo)體芯片11a的中心處的導(dǎo)體層16也電連接至位于襯底22上的端子24。
與前面圖4的實(shí)施例類似，在該實(shí)施例的半導(dǎo)體器件30中，通過(guò)在半導(dǎo)體芯片11a的電路部分中形成開(kāi)口13和導(dǎo)體層16，能夠增大在工作時(shí)供應(yīng)至半導(dǎo)體芯片11a中心處的電路部分的電源電流。因此，能夠防止在工作時(shí)在半導(dǎo)體芯片11a的電路部分中心處的供應(yīng)電壓下降，并且能夠有效穩(wěn)定半導(dǎo)體芯片11a的工作。
由于通過(guò)利用公知的布線方法，能夠在半導(dǎo)體芯片11a上容易地形成該實(shí)施例中的開(kāi)口13和導(dǎo)體層16，則本發(fā)明能夠提供簡(jiǎn)單和低成本的半導(dǎo)體器件。
接下來(lái)，將參照?qǐng)D7和圖8說(shuō)明本發(fā)明另一實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件。
如上所述，圖4的半導(dǎo)體器件20是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中通過(guò)使用引線接合法來(lái)進(jìn)行半導(dǎo)體芯片的安裝。與此相對(duì)照，圖7和圖8所示的半導(dǎo)體器件40是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其中通過(guò)使用TAB法來(lái)進(jìn)行半導(dǎo)體芯片的安裝。
圖7示出在該實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片11b的電路形成表面(前表面)和TAB帶28的組成。圖8示出該實(shí)施例的半導(dǎo)體器件40中TAB帶28、半導(dǎo)體芯片11b與導(dǎo)體層16之間的連接。
該實(shí)施例的半導(dǎo)體器件40包括在TAB帶28上承載的半導(dǎo)體芯片11b。與圖2B中的實(shí)例不同，在如圖7所示的半導(dǎo)體芯片11b的外圍部分處設(shè)置多個(gè)突起12b，取代多個(gè)電極焊盤(pán)12。
如圖7所示，半導(dǎo)體芯片11b包括在中心處形成的電路部分(核心部分)，設(shè)置在電路部分的外圍部分的多個(gè)突起12b，電源線14，多個(gè)開(kāi)口13，以及導(dǎo)體層16。
在多個(gè)突起12b中為電源設(shè)置的突起12b與半導(dǎo)體芯片11b的電路部分和電源線14連接。在多個(gè)突起12b中為接地設(shè)置的突起12b與半導(dǎo)體芯片11b的電路部分和電源線14連接。
來(lái)自電源(未示出)的電源電流在工作時(shí)從半導(dǎo)體芯片11b的外圍部分經(jīng)由電源線14被供應(yīng)至中心電路部分。
在位于半導(dǎo)體芯片11b的電路部分中心處的電源線14上和位于半導(dǎo)體芯片11b的電路部分外圍部分處的電源線上，分別形成開(kāi)口13。在這些開(kāi)口13上形成導(dǎo)體層16以覆蓋半導(dǎo)體芯片11b的電路部分的整個(gè)表面，并且在電路部分中心的開(kāi)口13上的電源線14和在電路部分外圍部分的開(kāi)口13上的電源線14通過(guò)導(dǎo)體層16相互連接。
與上述參照?qǐng)D2所述的形成方法類似，可通過(guò)向半導(dǎo)體芯片11b涂覆并硬化導(dǎo)電材料比如銀膏，來(lái)形成導(dǎo)體層16。在下述中，將省略重復(fù)的說(shuō)明。
在TAB帶28中，分別在面向半導(dǎo)體芯片11b的多個(gè)突起12b的位置處設(shè)置多條導(dǎo)線27。在多條導(dǎo)線27中用于電源的導(dǎo)線27與電源(未示出)連接，并且在多條導(dǎo)線27中用于接地的導(dǎo)線27被接地。而且，設(shè)置成X狀形式的用于電源的一對(duì)導(dǎo)線29設(shè)置于在面向半導(dǎo)體芯片11b的電路部分的位置處的TAB帶28的開(kāi)口中。
如圖8所示，在該實(shí)施例的半導(dǎo)體器件40中，在半導(dǎo)體芯片11b外圍的多個(gè)突起12b的每一個(gè)分別電連接至位于TAB帶28上的多條導(dǎo)線27其中之一。并且，在半導(dǎo)體芯片11b中心處的導(dǎo)體層16也電連接至在TAB帶28上形成的用于電源的導(dǎo)線29。
與前面的圖4的實(shí)施例類似，在該實(shí)施例的半導(dǎo)體器件40中，通過(guò)在半導(dǎo)體芯片11b的電路部分中形成開(kāi)口13和導(dǎo)體層16，能夠增大在工作時(shí)供應(yīng)至半導(dǎo)體芯片11b的電路部分中心處的電源電流。因此，能夠防止在工作期間在半導(dǎo)體芯片11b的電路部分中心處的供應(yīng)電壓的下降，并且能夠有效穩(wěn)定半導(dǎo)體芯片11b的工作。由于通過(guò)利用公知的布線方法，也能夠在半導(dǎo)體芯片11b上容易地形成該實(shí)施例中的開(kāi)口13和導(dǎo)體層16，則本發(fā)明能夠提供簡(jiǎn)單和低成本的半導(dǎo)體器件。
本發(fā)明不限于上述的實(shí)施例，并且在不脫離本發(fā)明范圍的條件下可進(jìn)行各種變化和改型。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體芯片，其中在該半導(dǎo)體芯片中心處設(shè)置的電路部分與電源線和電源電極連接，以從外部電源向該電路部分供電；襯底，設(shè)置為用于在其上承載該半導(dǎo)體芯片，并且設(shè)置為使得在圍繞該半導(dǎo)體芯片的區(qū)域中設(shè)置的第一端子電連接至所述電源電極；第一開(kāi)口，形成在該電路部分中心處的電源線上；第二開(kāi)口，形成在該電路部分外圍部分處的電源線上；以及導(dǎo)體層，電連接至在該襯底上圍繞該半導(dǎo)體芯片的區(qū)域中設(shè)置的第二端子，并且設(shè)置為使得該第一開(kāi)口中的電源線與該第二開(kāi)口中的電源線通過(guò)該導(dǎo)體層相互連接。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中該導(dǎo)體層使用銀、金和銅中的任意導(dǎo)電物質(zhì)來(lái)形成。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中該第一開(kāi)口中的電源線和該第二開(kāi)口中的電源線經(jīng)由金屬鍍層與該導(dǎo)體層連接。
4.一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體芯片，其中在該半導(dǎo)體芯片中心處設(shè)置的電路部分與電源線和電源突起連接，以從外部電源向該電路部分供電；襯底，設(shè)置為用于在其上承載該半導(dǎo)體芯片，并且設(shè)置為使得在面向該半導(dǎo)體芯片上的電源突起的區(qū)域中設(shè)置的第一端子電連接至所述電源突起；第一開(kāi)口，形成在該電路部分中心處的電源線上；第二開(kāi)口，形成在該電路部分外圍部分處的電源線上；以及導(dǎo)體層，電連接至在該襯底上面向該電路部分的區(qū)域中設(shè)置的第二端子，并且設(shè)置為使得該第一開(kāi)口中的電源線與該第二開(kāi)口中的電源線通過(guò)該導(dǎo)體層相互連接。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中該導(dǎo)體層使用銀、金和銅中的任意導(dǎo)電物質(zhì)來(lái)形成。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中該第一開(kāi)口中的電源線和該第二開(kāi)口中的電源線經(jīng)由金屬鍍層與該導(dǎo)體層連接。
7.一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體芯片，其中在該半導(dǎo)體芯片的中心處設(shè)置的電路部分與電源突起和電源線連接，以從外部電源向該電路部分供電；TAB帶，設(shè)置為用于在其上承載該半導(dǎo)體芯片，并且設(shè)置為使得在圍繞該半導(dǎo)體芯片的區(qū)域中設(shè)置的第一導(dǎo)線電連接至所述電源突起；第一開(kāi)口，形成在該電路部分中心處的電源線上；第二開(kāi)口，形成在該電路部分外圍部分處的電源線上；以及導(dǎo)體層，電連接至在該TAB帶上面向該半導(dǎo)體芯片的區(qū)域中設(shè)置的第二導(dǎo)線，并且設(shè)置為使得該第一開(kāi)口中的電源線與該第二開(kāi)口中的電源線通過(guò)該導(dǎo)體層相互連接。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中該導(dǎo)體層使用銀、金和銅中的任意導(dǎo)電物質(zhì)來(lái)形成。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中該第一開(kāi)口中的電源線和該第二開(kāi)口中的電源線經(jīng)由金屬鍍層與該導(dǎo)體層連接。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件，包括一半導(dǎo)體芯片，其中在該半導(dǎo)體芯片中心處設(shè)置的電路部分與電源線和電源電極連接，以從外部電源向該電路部分供電。襯底被設(shè)置為用于在其上承載該半導(dǎo)體芯片，并且被設(shè)置為使得在圍繞該半導(dǎo)體芯片的區(qū)域中設(shè)置的第一端子電連接至電源電極。在電路部分中心處的電源線上形成第一開(kāi)口。在電路部分外圍部分的電源線上形成第二開(kāi)口。導(dǎo)體層電連接至設(shè)置于該襯底上圍繞半導(dǎo)體芯片區(qū)域中的第二端子，并且被設(shè)置為使得該第一開(kāi)口中的電源線與該第二開(kāi)口中的電源線連接在一起。
文檔編號(hào)H01L27/04GK1705099SQ20051007431
公開(kāi)日2005年12月7日 申請(qǐng)日期2005年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月2日
發(fā)明者細(xì)山田澄和, 十和人, 久保田義浩 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社