專(zhuān)利名稱(chēng)：制造玻璃材料的方法和制造光纖的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種含鉍玻璃體的制造方法，該含鉍玻璃體適用于 光纖預(yù)制件，本發(fā)明還涉及一種包括玻璃體制造方法在內(nèi)的光纖制造 方法。
背景技術(shù)：
摻鉍石英玻璃具有例如峰值波長(zhǎng)為1250nm并且半值寬度為大 約300nm的較寬熒光光譜，這已為人們所熟知。人們期望將這樣的 玻璃應(yīng)用在用于1300nm波帶的放大光纖中。作為摻鉍玻璃的制造方法，已知的有利用溶膠-凝膠工藝的方法 (例如Y. Fujimoto and M. Nakatsuka: Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 40 (2001) pp. L279-L281和未經(jīng)審査的日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No.l 1-29334) 以及熔融淬火工藝(即通過(guò)混合粉末材料、在坩鍋中熔化該材料并快 速冷卻該材料以得到玻璃的方法(例如未經(jīng)審査的日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi) No.2002-252397))。然而，當(dāng)通過(guò)溶膠-凝膠工藝或熔融淬火工藝 制造玻璃時(shí)，在對(duì)玻璃摻鉍的過(guò)程中雜質(zhì)將混入玻璃中。因此，難于 制造出適用于光纖預(yù)制件的玻璃體。如果由這樣的玻璃體制成光纖， 則由于該光纖的高背景損耗使該光纖無(wú)法用作放大光纖。已知改進(jìn)的化學(xué)汽相沉積(MCVD)法是用于制造具有低背景 損耗的光纖的方法。當(dāng)應(yīng)用MCVD法時(shí)，如下所述制造摻金屬元素 光纖。首先，在玻璃管的內(nèi)壁上形成Si02微粒粉末層(玻璃微粒層)， 利用含有金屬元素的溶液浸漬Si02微粒粉末層，并燒結(jié)(固結(jié))Si02 微粒粉末層以形成玻璃層。然后，對(duì)包括玻璃層的玻璃管縮減直徑并 進(jìn)行塌縮以形成光纖預(yù)制件，拉伸該光纖預(yù)制件從而形成摻金屬元素 光纖。非專(zhuān)禾U文獻(xiàn)1: Y. Fujimoto and M. Nakatsuka: Jpn. J. Appl. Phys. Vol.40 (2001) pp. L279-L281專(zhuān)利文獻(xiàn)1:未經(jīng)審查的日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No.l 1-29334 專(zhuān)利文獻(xiàn)2:未經(jīng)審查的日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No.2002-252397發(fā)明內(nèi)容要解決的技術(shù)問(wèn)題本發(fā)明的目的在于提供一種含鉍玻璃體的制造方法，所述含鉍 玻璃體適用于制造具有低背景損耗的光纖，并且提供一種包括玻璃體 制造方法在內(nèi)的光纖制造方法。技術(shù)方案為了解決上述問(wèn)題，提供了一種用于制造玻璃體的方法，該方法包括下述步驟(1)沉積步驟，在玻璃管的內(nèi)壁上沉積玻璃微粒 層；(2)燒結(jié)步驟，燒結(jié)所述玻璃微粒層以形成玻璃層；(3)直徑 縮減步驟，縮減在其內(nèi)壁上具有所述玻璃層的所述玻璃管的直徑；以 及(4)塌縮步驟，使直徑已經(jīng)在所述直徑縮減步驟中被縮減的所述 玻璃管塌縮以形成所述玻璃體。在這種方法中，在所述沉積步驟中， 在將有機(jī)鉍化合物供應(yīng)至所述玻璃管內(nèi)的同時(shí)形成所述玻璃微粒層， 并且在所述燒結(jié)步驟中，在將有機(jī)鉍化合物供應(yīng)至所述玻璃管內(nèi)的同 時(shí)燒結(jié)所述玻璃層。在所述沉積步驟中，可在90(TC到130(TC之間的溫度范圍內(nèi)加 熱所述玻璃管，而在所述燒結(jié)步驟中，可在125(TC到150(TC之間的 溫度范圍內(nèi)加熱所述玻璃管(在本說(shuō)明書(shū)中，除非另作說(shuō)明，否則"玻 璃管的溫度"是指在玻璃管的外表面測(cè)量的溫度)。在所述直徑縮減 步驟中，可在將有機(jī)鉍化合物供應(yīng)至所述玻璃管內(nèi)的同時(shí)進(jìn)行直徑縮 減。作為所述有機(jī)鉍化合物，可使用三叔戊氧基鉍(Bi(0tAm)3，其 也可表示為Bi(0-t-C5H )3)?？梢蕴峁┕饫w預(yù)制件或所述光纖預(yù)制 件的中間體作為所述玻璃體，所述光纖預(yù)制件和所述中間體均使用石 英玻璃作為基質(zhì)材料。根據(jù)另一方面，提供了一種用于制造光纖的方法，該方法包括拉伸步驟，即拉伸根據(jù)本發(fā)明的玻璃體制造方法制造出的玻璃體。有益效果根據(jù)本發(fā)明的玻璃體制造方法，可以制造出含鉍并可用于制造 具有低背景損耗的光纖的玻璃體。同樣，根據(jù)本發(fā)明的光纖制造方法， 由于可降低背景損耗并可攙雜所需量的鉍，所以可以得到可用作在1300mn波帶中工作的放大光纖的光纖。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于制造玻璃體的方法的流程圖。圖2是示出圖1所示流程圖的各個(gè)步驟的示意性視圖。 圖3是示出從玻璃體形成光纖的拉伸步驟的示意性視圖。 圖4是光纖的折射率分布圖。圖5是示出在沉積步驟中玻璃體中的含鉍量與玻璃管的溫度之 間關(guān)系的曲線圖。圖6是示出在燒結(jié)步驟中玻璃體中的含鉍量與玻璃管的溫度之 間關(guān)系的曲線圖。圖7是示出在實(shí)例2中所制造的光纖的背景損耗的波長(zhǎng)相關(guān)性 的曲線圖。附圖標(biāo)記的說(shuō)明 10:玻璃管， 10b:外表面，31:玻璃微粒層， 33:玻璃體，10a:內(nèi)壁，20-氫氧燃燒器:32:玻璃層， 34:光纖具體實(shí)施方式
下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。附圖旨在說(shuō)明實(shí) 施例而不限制本發(fā)明的范圍。在各圖中，相同的附圖標(biāo)記將用于表示相同的部件以避免重復(fù)的說(shuō)明。各圖中所示的部件并非必須按照比例 繪制。在以下說(shuō)明中，將制造出包括石英玻璃作為基質(zhì)材料的光纖預(yù) 制件作為玻璃體。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于制造玻璃體的方法的流程圖。在該方法中，應(yīng)用MCVD法來(lái)制造玻璃體，并且該方法包括沉 積步驟S1、燒結(jié)步驟S2、直徑縮減步驟S3以及塌縮步驟S4。在該 方法中，沉積步驟Sl與燒結(jié)步驟S2中的每一個(gè)步驟分別重復(fù)兩次， 然后按此順序進(jìn)行直徑縮減步驟S3與塌縮步驟S4從而形成玻璃體。 下面將說(shuō)明每個(gè)步驟。圖2 (a)至2 (d)是示出圖1所示流程圖的各個(gè)步驟的簡(jiǎn)圖， 其中各圖分別示出了在各個(gè)步驟中沿玻璃管中心軸線截取的玻璃管 的橫截面視圖。在圖2(a)所示的沉積步驟Sl中，在將包括四氯化硅(SiCU)、 氯化鋁(A1C13)、三叔戊氧基鉍(Bi(OtAm)3)、氧氣(02)、氦氣 (He)等的混合氣體供應(yīng)至玻璃管10內(nèi)作為原料氣體的同時(shí)，利用 作為加熱源的氫氧燃燒器20加熱玻璃管10。在這些條件下，石英玻 璃微粒沉積在玻璃管10的內(nèi)壁10a上并且形成包括鉍 (100wppm~lw%)和鋁(lw%~15w%)的玻璃微粒層31。玻璃管 10是包層區(qū)域(或包層區(qū)域的一部分)并由摻氟石英玻璃或不含氟 的純石英玻璃構(gòu)成。玻璃微粒層31是芯層區(qū)域。氫氧燃燒器20的沿 著玻璃管10的縱向的移動(dòng)速度(橫動(dòng)速度)例如為60mm/min。氫 氧燃燒器20加熱玻璃管10從而使玻璃管10的外表面10b的溫度保 持在大約1100°C。在圖2 (b)所示的燒結(jié)步驟S2中，在將包括Bi(OtAm)3、氧氣 和氦氣的混合氣體供應(yīng)至玻璃管10內(nèi)的同時(shí)，利用氫氧燃燒器20 加熱玻璃管IO。在這些條件下，將玻璃微粒層31燒結(jié)成玻璃層32。 氫氧燃燒器20的沿著玻璃管10的縱向的移動(dòng)速度例如為大約 60mm/min。氫氧燃燒器20加熱玻璃管10從而使玻璃管10的溫度例 如從600。C逐步地上升至大約1400'C的最大值。在再一次進(jìn)行沉積步驟Sl和燒結(jié)步驟S2中的每一個(gè)步驟之后，進(jìn)行直徑縮減步驟S3。在圖2 (c)所示的直徑縮減步驟S3中，在 將氧氣供應(yīng)至玻璃管10內(nèi)的同時(shí)，通過(guò)利用氫氧燃燒器20進(jìn)行加熱 使具有玻璃層32的玻璃管10的直徑縮減。氫氧燃燒器20的沿著玻 璃管10的縱向的移動(dòng)速度例如為大約20mm/min。在直徑縮減步驟 S3中，優(yōu)選的是，在將包括Bi(0tAm)3、氧氣和氦氣的混合氣體供應(yīng) 至玻璃管10內(nèi)的同時(shí)對(duì)玻璃管IO進(jìn)行加熱。在這些條件下，玻璃管 10中鉍的蒸汽壓力可以保持在高的水平，從而可以抑制玻璃層32中 的鉍發(fā)生蒸發(fā)。在圖2 (d)所示的塌縮步驟S4中，在將氧氣供應(yīng)至直徑已被縮 減的玻璃管IO內(nèi)的同時(shí)，利用氫氧燃燒器20加熱玻璃管10，從而 使玻璃管10塌縮成為玻璃體33。氫氧燃燒器20的沿著玻璃管10的 縱向的移動(dòng)速度例如為5mm/min。玻璃體33用作光纖預(yù)制件。圖3是示出從玻璃體形成光纖的拉伸步驟的示意性視圖。通過(guò) 拉伸設(shè)置在拉絲爐40中的作為光纖預(yù)制件的玻璃體33得到光纖34。圖4是光纖34的折射率分布圖。由于在沉積步驟Sl中形成的 玻璃微粒層31構(gòu)成光纖34的芯層區(qū)域34a，所以芯層區(qū)域34a含有 氧化鉍(Bi203)和氧化鋁(A1203)。芯層區(qū)域34a的折射率高于包 層區(qū)域34b的折射率從而在芯層區(qū)域34a內(nèi)傳播光線。此外，由于含 鉍的石英玻璃具有擴(kuò)展至長(zhǎng)波長(zhǎng)一側(cè)的峰值波長(zhǎng)為1250nm的較寬熒 光光譜，所以光纖34可以在波分復(fù)用傳輸中適當(dāng)?shù)赜米麽槍?duì)1300nm 波帶的放大光纖。根據(jù)現(xiàn)有的用于制造摻金屬元素光纖的方法，如果金屬元素是 具有高揮發(fā)性的鉍，則當(dāng)對(duì)含鉍的玻璃微粒層進(jìn)行燒結(jié)時(shí)鉍將蒸發(fā)。 結(jié)果，難以制造出具有所需量的鉍的光纖預(yù)制件或光纖。相反，根據(jù)本實(shí)施例的用于制造玻璃體的方法，由于在沉積步 驟S1中在將氣態(tài)有機(jī)鉍化合物Bi(0tAm)3供應(yīng)至玻璃管IO內(nèi)的同時(shí) 形成玻璃微粒層31，所以所形成的玻璃微粒層31包含鉍。因此，當(dāng) 在燒結(jié)步驟S2中以高于沉積步驟Sl的溫度加熱玻璃管10時(shí)，包含 在玻璃微粒層31中的鉍不易蒸發(fā)。此外，在燒結(jié)步驟S2中，通過(guò) 將Bi(OtAm)3氣體供應(yīng)至玻璃管IO從而使玻璃管10中鉍的蒸汽壓力保持在高的水平。因此，可以抑制玻璃微粒層31 (或玻璃層32)中 鉍的蒸發(fā)，從而形成含有所需量的鉍的玻璃體33和光纖34。此外， 在本實(shí)施例的用于制造玻璃體的方法中，由于根據(jù)MCVD法形成玻 璃體，所以可抑制引起光纖背景損耗的雜質(zhì)的混入。結(jié)果，該玻璃體 可以適用于制造低背景損耗的光纖。通過(guò)使用本實(shí)施例的用于制造玻璃體的方法，可以制造出含鉍 的玻璃體33。可參照?qǐng)D5和圖6對(duì)此進(jìn)行更具體的說(shuō)明。圖5是示 出在沉積步驟S1中玻璃體33中的含鉍量與玻璃管IO的溫度之間關(guān) 系實(shí)例的曲線圖。更具體而言，圖5用符號(hào)" "表示鉍在相應(yīng)溫度 下的含量，其中鉍包含在以下述方式制造出的各個(gè)玻璃體33中玻 璃管10的溫度在800°C到1500。C之間的范圍內(nèi)以100°C或50。C變化。 橫坐標(biāo)是玻璃管10的溫度，縱坐標(biāo)是鉍的添加量。在玻璃體33的制 造過(guò)程中的燒結(jié)步驟S2中，玻璃管10的最高溫度為大約1400°C。在直徑縮減步驟S3中沒(méi)有供應(yīng)鉍的情況下，當(dāng)以大約900°C至 1400°C特別是1100°C的溫度加熱玻璃管10時(shí)可以含有鉍。一般來(lái)說(shuō)， 當(dāng)溫度較低(例如圖5中的90(TC或更低)時(shí)不易形成玻璃微粒層31， 而當(dāng)溫度較高時(shí)不易添加鉍。因此，在沉積步驟Sl中的上述溫度范 圍內(nèi)，玻璃管10的溫度可優(yōu)選為大約950°C至1300°C，更優(yōu)選的是 大約1100°C。此外，在圖5所示的曲線圖上用符號(hào)"□"標(biāo)示以下述方式制 造出的玻璃體33中的含鉍量在直徑縮減步驟S3中將鉍供應(yīng)至玻 璃管10中。由于在直徑縮減步驟S3中供應(yīng)鉍，所以玻璃體33中的 含鉍量進(jìn)一步增加。圖6是示出在燒結(jié)步驟S2中玻璃體33中的含鉍量與玻璃管10 的溫度之間關(guān)系實(shí)例的曲線圖。更具體而言，圖6用符號(hào)"令"表示 鉍在相應(yīng)溫度下的含量，其中鉍包含在以下述方式制造出的各個(gè)玻璃 體33中玻璃管10的溫度在800。C到1600。C之間的范圍內(nèi)以100°C或500°C變化。橫坐標(biāo)是玻璃管10的溫度，縱坐標(biāo)是鉍的添加量。如 上所述，在燒結(jié)步驟S2中玻璃管10的溫度逐步升高。應(yīng)當(dāng)注意到， 在燒結(jié)步驟S2中玻璃管10的溫度是指溫度逐步升高的溫度分布圖中的最高溫度。在用于制造玻璃體33的沉積步驟Sl中，玻璃管10 的溫度為大約IIO(TC。在直徑縮減步驟S3中沒(méi)有供應(yīng)鉍的情況下，當(dāng)溫度大約為1200 'C至大約1500。C特別是大約140(TC時(shí)可以可靠地含有鉍。如果溫度 低于1250°C，則會(huì)不充分地進(jìn)行燒結(jié)。如果溫度較高，則鉍蒸發(fā)的 可能性較高。在燒結(jié)步驟S2中，玻璃管10的溫度優(yōu)選為大約1250 "C至大約140(TC，更優(yōu)選的是大約1400°C。在上述方法中，在沉積 步驟中將玻璃管的溫度設(shè)定在從90(TC或更高至1300'C或更低，并且 在燒結(jié)步驟中將玻璃管的溫度設(shè)定在從125(TC或更高至1500'C或更 低，從而更可靠地形成含鉍的玻璃層。此外，測(cè)量玻璃體33中的含鉍量并用符號(hào)"□"在圖6所示的 曲線圖上標(biāo)示出該測(cè)量值，在直徑縮減步驟S3中在將鉍供應(yīng)至玻璃 管10內(nèi)的同時(shí)制造出玻璃體33。由于在直徑縮減步驟S3中供應(yīng)鉍， 所以玻璃體33中的含鉍量進(jìn)一步增加。根據(jù)圖5和圖6，可以理解，使用本實(shí)施例的用于制造玻璃體的 方法可以可靠地制造出含鉍的玻璃體33。通過(guò)在直徑縮減步驟S3中 對(duì)玻璃管加熱會(huì)使玻璃層中所含的鉍蒸發(fā)。然而，由于在進(jìn)行直徑縮 減的同時(shí)供應(yīng)鉍，所以可抑制鉍從玻璃層中蒸發(fā)并且可以制造出具有 較大量鉍的玻璃體33。已經(jīng)對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不受上述 實(shí)施例的限制。在本實(shí)施例中，雖然在玻璃管10的內(nèi)壁10a上形成 作為芯層區(qū)域的玻璃微粒層31，但也可在內(nèi)壁10a上形成作為包層 區(qū)域的玻璃微粒層之后形成作為芯層區(qū)域的玻璃微粒層。在這種情況 下，玻璃管10用作包層區(qū)域或套層的一部分。玻璃體33用作光纖預(yù) 制件，然而玻璃體33也可用作中間體光纖預(yù)制件。在上述實(shí)施例中，氧化鋁(A1203)用作添加到玻璃微粒層31 (芯層區(qū)域34a)中的折射率調(diào)節(jié)劑的實(shí)例。折射率調(diào)節(jié)劑的實(shí)例可 包括氧化鍺、氧化磷、氯以及氟。此外，在上述實(shí)施例中，盡管沉積 步驟Sl和燒結(jié)步驟S2重復(fù)兩次，但每個(gè)步驟也可進(jìn)行一次或者也 可進(jìn)行三次或更多次。實(shí)例參照實(shí)例1、實(shí)例2以及比較例更具體地說(shuō)明本發(fā)明的玻璃體制 造方法和光纖制造方法。應(yīng)當(dāng)注意到，本發(fā)明并不局限于實(shí)例1和實(shí) 例2。如下所述對(duì)實(shí)例1進(jìn)行說(shuō)明。在沉積步驟S1中，在將包括AlCl3、 Bi(OtAm)3、氧氣以及氦氣的混合氣體供應(yīng)至玻璃管10內(nèi)的同時(shí)，利 用氫氧燃燒器20加熱玻璃管10以形成玻璃微粒層31。玻璃管10的 外徑為25mm，玻璃管10的內(nèi)徑為16mm。在沉積步驟Sl中Bi(OtAm)3 的供給率為0.018標(biāo)準(zhǔn)立方厘米(sccm)，氦載體氣體的供給率為 45 sccm。利用氫氧燃燒器20使玻璃管10的溫度保持在大約1100°C。 氫氧燃燒器20的移動(dòng)速度為大約60mm/min。在燒結(jié)步驟S2中，在將包括Bi(OtAm)3、氦氣和氧氣的混合氣 體供應(yīng)至玻璃管10內(nèi)的同時(shí)，通過(guò)利用氫氧燃燒器20將玻璃管10 加熱至60(TC至140(TC的溫度來(lái)將玻璃微粒層31燒結(jié)成玻璃層32， 其中，溫度是逐步升高的。Bi(OtAm)3氣體的供給率為0.018 sccm， 氦載體氣體的供給率為45 sccm。氫氧燃燒器20的移動(dòng)速度為大約 60mm/min。再一次進(jìn)行沉積步驟Sl和燒結(jié)步驟S2，然后在直徑縮減步驟 S3中縮減玻璃管10的直徑。在此步驟中，將氧氣供應(yīng)至玻璃管10 中。在直徑縮減步驟S3中，氫氧燃燒器20的移動(dòng)速度為大約 20mm/min，并且玻璃管10的溫度為從160(TC至180CTC。在塌縮步驟S4中，在將氧氣供應(yīng)至直徑已被縮減的玻璃管10 內(nèi)的同時(shí)，利用氫氧燃燒器20將玻璃管IO加熱至170(TC來(lái)塌縮玻 璃管10。氫氧燃燒器20的移動(dòng)速度為5mm/min。通過(guò)塌縮得到的玻 璃體(光纖預(yù)制件)33中包含的鋁的濃度為大約3.8wt%，鉍的濃度 大約為100wt'ppm。這意味著在玻璃體33中可靠地含有鉍。如下所述對(duì)實(shí)例2進(jìn)行說(shuō)明。在實(shí)例2中，除了在直徑縮減步 驟S3中在將Bi(OtAm)3氣體供應(yīng)至玻璃管10中的同時(shí)縮減玻璃管 IO的直徑以外，以與實(shí)例1相同的方式制造玻璃體33。在直徑縮減步驟S3中，Bi(OtAm)3氣體的供給率為0.018 sccm，并且氦載體氣體 的供給率為45 sccm。得到的玻璃體33中包含的鋁的濃度為大約 4.2wt%，并且鉍的濃度大約為370wt'ppm。此外，在實(shí)例2中，通過(guò)利用拉絲爐40拉伸作為光纖預(yù)制件的 玻璃體33來(lái)形成光纖34。在此步驟中，拉伸速度為50m/min并且拉 絲爐中的溫度為175(TC。利用回切法(cutback method)測(cè)量光纖34 的背景損耗。圖7是示出光纖34的背景損耗的波長(zhǎng)相關(guān)性的曲線圖。如圖7 所示，背景損耗在1300nm的波長(zhǎng)附近為大約48.4dB/km，并且在 1550nm的波長(zhǎng)附近為大約34.6dB/km。也就是說(shuō)，利用圖1所示的 制造玻璃體的方法可以制造出具有低背景損耗并可令人滿意地用作 放大光纖的光纖。如下所述對(duì)比較例進(jìn)行說(shuō)明。也就是說(shuō)，除了在燒結(jié)步驟S2中 不供應(yīng)Bi(0tAm)3氣體并且在燒結(jié)步驟S2中玻璃管10的溫度為大約 155CTC以外，以與實(shí)例1相同的方式制造玻璃體。盡管以此方式制造 出的玻璃體的芯層區(qū)域中包含的鋁的濃度為大約4.5wt%，但鉍幾乎 不包含在該區(qū)域中。實(shí)例1與比較例之間的比較表明通過(guò)在燒結(jié)步驟S2中在供應(yīng) Bi(OtAm)3氣體的同時(shí)對(duì)玻璃微粒層31進(jìn)行脫水和燒結(jié)，可以更可 靠地含有鉍。實(shí)例1與實(shí)例2之間的比較表明通過(guò)在將Bi(OtAm)3 氣體供應(yīng)至玻璃管10中的同時(shí)對(duì)玻璃管IO進(jìn)行直徑縮減，可以含有 更大量的鉍。本申請(qǐng)要求2005年9月1日提交的日本專(zhuān)利申請(qǐng) No.2005-253893的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容以引用的方式并入本 文。工業(yè)實(shí)用性根據(jù)本發(fā)明的制造玻璃體的方法和制造光纖的方法，可以得到 可用作應(yīng)用于1300nm波帶的放大光纖的光纖。
權(quán)利要求
1.一種制造玻璃體的方法，包括下述步驟沉積步驟，在玻璃管的內(nèi)壁上沉積玻璃微粒層；燒結(jié)步驟，燒結(jié)所述玻璃微粒層以形成玻璃層；直徑縮減步驟，縮減在其內(nèi)壁上具有所述玻璃層的所述玻璃管的直徑；以及塌縮步驟，使直徑已經(jīng)在所述直徑縮減步驟中被縮減的所述玻璃管塌縮以形成所述玻璃體，其中，在所述沉積步驟中，在將有機(jī)鉍化合物供應(yīng)至所述玻璃管內(nèi)的同時(shí)形成所述玻璃微粒層，并且在所述燒結(jié)步驟中，在將有機(jī)鉍化合物供應(yīng)至所述玻璃管內(nèi)的同時(shí)燒結(jié)所述玻璃層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造玻璃體的方法，其中， 在所述沉積步驟中，在90(TC到130(TC之間的溫度范圍內(nèi)加熱所述玻璃管，而在所述燒結(jié)步驟中，在125(TC到150(TC之間的溫度 范圍內(nèi)加熱所述玻璃管。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造玻璃體的方法，其中， 在所述直徑縮減步驟中，在將所述有機(jī)鉍化合物供應(yīng)至所述玻璃管內(nèi)的同時(shí)進(jìn)行所述直徑的縮減。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造玻璃體的方法，其中， 所述有機(jī)鉍化合物是三叔戊氧基鉍(Bi(0tAm)3)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的制造玻璃體的方法，其中， 所述玻璃體是光纖預(yù)制件或所述光纖預(yù)制件的中間體，所述光纖預(yù)制件和所述中間體均使用石英玻璃作為基質(zhì)材料。
6. —種制造光纖的方法，包括下述步驟沉積步驟，在玻璃管的內(nèi)壁上沉積玻璃微粒層； 燒結(jié)步驟，燒結(jié)所述玻璃微粒層以形成玻璃層； 直徑縮減步驟，縮減在其內(nèi)壁上具有所述玻璃層的所述玻璃管 的直徑；塌縮步驟，使直徑已經(jīng)在所述直徑縮減步驟中被縮減的所述玻 璃管塌縮以形成所述玻璃體；以及 拉伸步驟，拉伸所述玻璃體，其中，在所述沉積步驟中，在將有機(jī)鉍化合物供應(yīng)至所述玻璃 管內(nèi)的同時(shí)形成所述玻璃微粒層，并且在所述燒結(jié)步驟中，在將有機(jī) 鉍化合物供應(yīng)至所述玻璃管內(nèi)的同時(shí)燒結(jié)所述玻璃層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種含鉍玻璃體制造方法，含鉍玻璃體可以用于制造具有低背景損耗的光纖，并且本發(fā)明還提供一種包括該玻璃體制造方法在內(nèi)的光纖制造方法。玻璃體制造方法包括在玻璃管的內(nèi)壁上沉積玻璃微粒層的步驟；燒結(jié)所述玻璃微粒層以形成玻璃層的步驟；縮減其內(nèi)壁上具有所述玻璃層的所述玻璃管的直徑的步驟；以及使直徑已經(jīng)在所述直徑縮減步驟中被縮減的所述玻璃管塌縮以形成所述玻璃體的步驟。在所述沉積步驟中，在將有機(jī)鉍化合物供應(yīng)至所述玻璃管內(nèi)的同時(shí)形成玻璃微粒層。在所述燒結(jié)步驟中，在將有機(jī)鉍化合物供應(yīng)至所述玻璃管內(nèi)的同時(shí)燒結(jié)所述玻璃層。光纖制造方法包括拉伸玻璃體的步驟，所述玻璃體是通過(guò)本發(fā)明的所述玻璃體制造方法制造出的。
文檔編號(hào)C03B8/00GK101253126SQ200680032029
公開(kāi)日2008年8月27日 申請(qǐng)日期2006年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月1日
發(fā)明者大西正志, 春名徹也, 樽稔樹(shù), 角井素貴 申請(qǐng)人:住友電氣工業(yè)株式會(huì)社