一種新型特效硅片清洗液制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供的一種新型特效硅片清洗液制備方法制備的清洗劑，配方簡單易于操作，在清洗后，會在硅片表面生成一層保護膜，可提高硅片的抗污能力，同時去污力強，硅片的清洗速度快，提高了硅片清洗的清潔率，并且對環(huán)境無污染。
【專利說明】一種新型特效硅片清洗液制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種清洗液，特別涉及一種新型特效硅片清洗液制備方法。
【背景技術】
[0002]清洗最為硅片的一個生產工序之一，清洗的好壞程度對硅片的使用性能有著很大的影響。清洗的主要目的是為了清洗掉切割過程中產生的沙粒，殘留的切削磨料、金屬離子及指紋等，使硅片表面達到無腐蝕、無氧化、無殘留等技術指標。傳統(tǒng)的硅片清洗，由于各個方法不一樣，采用的清洗液也不一樣?，F有技術中的清洗液清洗效果較差，對于硅片表面的污潰難以做到更好的去除，降低了硅片的使用效果。
【發(fā)明內容】
[0003]針對上述問題，本發(fā)明提出了一種新型特效硅片清洗液制備方法。
[0004]為解決以上技術問題，本發(fā)明提供的技術方案是:
一種新型特效硅片清洗液制備方法，其特征在于，所述制備方法如下:
1.按重量分數稱取原材料如下:
氟化銨7-10份、三羥乙基胺7-12份、陰離子活性劑5-8份、非離子表面活性劑3-5份、鹽酸3-4份、葡萄糖酸鈉10 —15份和助洗劑15 —17份；
2.將三羥乙基胺加入到重量分數為80%的溫度為33°C的水中，得到基礎液；
3.用攪拌機攪拌基礎液，同時依次緩慢加入氟化銨、陰離子活性劑和非離子表面活性齊U，隨后再攪拌20分鐘，并過濾，得混合液A ；
4.繼續(xù)攪拌混合液A，同時依次緩慢加入鹽酸、葡萄糖酸鈉和助洗劑，隨后再攪拌25分鐘，并過濾，得混合液B ；
5.將混合液B放入蒸發(fā)器中，回轉蒸餾20分鐘，提取上清液B；
6.將上清液B放入過濾離心機中在1750r/s下進行離心，時間為15分鐘，最終得到清洗液。
[0005]上述的一種新型特效硅片清洗液制備方法，其中，所述陰離子活性劑為十二烷基磺酸鈉和十二烷基硫酸鈉按1-1.2:1.4-1.5比例混合而成。
[0006]上述的一種新型特效硅片清洗液制備方法，其中，所述非離子活性劑為烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚按1-1.7:1.3-1.5比例混合而成。
[0007]上述的一種新型特效硅片清洗液制備方法，其中，所述助洗劑為氫氧化鈉。
[0008]上述的一種新型特效硅片清洗液制備方法，其中，所述的鹽酸為工業(yè)鹽酸。
[0009]上述的一種新型特效硅片清洗液制備方法，其中，所述攪拌機為KD-20攪拌機。
[0010]本發(fā)明的有益效果為:
本發(fā)明提供的一種新型特效硅片清洗液制備方法制備的清洗劑，配方簡單易于操作，在清洗后，會在硅片表面生成一層保護膜，可提高硅片的抗污能力，同時去污力強，硅片的清洗速度快，提高了硅片清洗的清潔率，并且對環(huán)境無污染。
【具體實施方式】
[0011]實施例一
一種新型特效硅片清洗液制備方法，其特征在于，所述制備方法如下:
1.按重量分數稱取原材料如下:
氟化銨9份、三羥乙基胺10份、陰離子活性劑6份、非離子表面活性劑4份、鹽酸3份、葡萄糖酸鈉12份和助洗劑15份；
2.將三羥乙基胺加入到重量分數為80%的溫度為33°C的水中，得到基礎液；
3.用攪拌機攪拌基礎液，同時依次緩慢加入氟化銨、陰離子活性劑和非離子表面活性齊U，隨后再攪拌20分鐘，并過濾，得混合液A ；
4.繼續(xù)攪拌混合液A，同時依次緩慢加入鹽酸、葡萄糖酸鈉和助洗劑，隨后再攪拌25分鐘，并過濾，得混合液B ；
5.將混合液B放入蒸發(fā)器中，回轉蒸餾20分鐘，提取上清液B；
6.將上清液B放入過濾離心機中在1750r/s下進行離心，時間為15分鐘，最終得到清洗液。
[0012]其中，所述陰離子活性劑為十二烷基磺酸鈉和十二烷基硫酸鈉按1.2:1.45比例混合而成，所述非離子活性劑為烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚按1.5:1.4比例混合而成，所述助洗劑為氫氧化鈉，所述的鹽酸為工業(yè)鹽酸。
[0013]實施例二
一種新型特效硅片清洗液制備方法，其特征在于，所述制備方法如下:
1.按重量分數稱取原材料如下:
氟化銨7份、三羥乙基胺8份、陰離子活性劑6份、非離子表面活性劑3份、鹽酸4份、葡萄糖酸鈉15份和助洗劑16份；
2.將三羥乙基胺加入到重量分數為80%的溫度為33°C的水中，得到基礎液；
3.用攪拌機攪拌基礎液，同時依次緩慢加入氟化銨、陰離子活性劑和非離子表面活性齊U，隨后再攪拌20分鐘，并過濾，得混合液A ；
4.繼續(xù)攪拌混合液A，同時依次緩慢加入鹽酸、葡萄糖酸鈉和助洗劑，隨后再攪拌25分鐘，并過濾，得混合液B ；
5.將混合液B放入蒸發(fā)器中，回轉蒸餾20分鐘，提取上清液B；
6.將上清液B放入過濾離心機中在1750r/s下進行離心，時間為15分鐘，最終得到清洗液。
[0014]其中，所述陰離子活性劑為十二烷基磺酸鈉和十二烷基硫酸鈉按1.1:1.4比例混合而成，所述非離子活性劑為烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚按1.7:1.3比例混合而成，所述助洗劑為氫氧化鈉，所述的鹽酸為工業(yè)鹽酸。
[0015]實施例三
一種新型特效硅片清洗液制備方法，其特征在于，所述制備方法如下:
1.按重量分數稱取原材料如下:
氟化銨9份、三羥乙基胺11份、陰離子活性劑7份、非離子表面活性劑5份、鹽酸3份、葡萄糖酸鈉11份和助洗劑17份； 2.將三羥乙基胺加入到重量分數為80%的溫度為33°C的水中，得到基礎液；
3.用攪拌機攪拌基礎液，同時依次緩慢加入氟化銨、陰離子活性劑和非離子表面活性齊U，隨后再攪拌20分鐘，并過濾，得混合液A ；
4.繼續(xù)攪拌混合液A，同時依次緩慢加入鹽酸、葡萄糖酸鈉和助洗劑，隨后再攪拌25分鐘，并過濾，得混合液B ；
5.將混合液B放入蒸發(fā)器中，回轉蒸餾20分鐘，提取上清液B；
6.將上清液B放入過濾離心機中在1750r/s下進行離心，時間為15分鐘，最終得到清洗液。
[0016]其中，所述陰離子活性劑為十二烷基磺酸鈉和十二烷基硫酸鈉按1.2:1.比例混合而成，所述非離子活性劑為烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚按1.4-1.5比例混合而成，所述助洗劑為氫氧化鈉，所述的鹽酸為工業(yè)鹽酸。
[0017]一種新型特效硅片清洗液制備方法制備的清洗劑，配方簡單易于操作，在清洗后，會在硅片表面生成一層保護膜，可提高硅片的抗污能力，同時去污力強，硅片的清洗速度快，提高了硅片清洗的清潔率，并且對環(huán)境無污染。
[0018]一種新型特效硅片清洗液制備方法，可以極大降低了切削液的表面張力，大大提高了切削液的流動性和滲透性，同時在保證了切削液對磨料的潤濕性的同時，大幅度提高了磨料的分散性，避免磨料團聚結成塊對硅片造成損壞，不僅有利于提高硅片切割的成品率，同時使硅片切割成品率達到99%，而且可在硅片表面形成保護膜，使硅片更容易被清洗，總體上大大提高了切削液的潤滑效果、耐磨特性及冷卻特性。
[0019]以上所述，僅為本發(fā)明較佳的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術領域】的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內。因此，本發(fā)明的保護范圍應該以權利要求書的保護范圍為準。
【權利要求】
1.一種新型特效硅片清洗液制備方法制備方法，其特征在于，所述制備方法如下: 1.按重量分數稱取原材料如下: 氟化銨7-10份、三羥乙基胺7-12份、陰離子活性劑5-8份、非離子表面活性劑3-5份、鹽酸3-4份、葡萄糖酸鈉10 —15份和助洗劑15 —17份；
2.將三羥乙基胺加入到重量分數為80%的溫度為33°C的水中，得到基礎液；
3.用攪拌機攪拌基礎液，同時依次緩慢加入氟化銨、陰離子活性劑和非離子表面活性齊U，隨后再攪拌20分鐘，并過濾，得混合液A ；
4.繼續(xù)攪拌混合液A，同時依次緩慢加入鹽酸、葡萄糖酸鈉和助洗劑，隨后再攪拌25分鐘，并過濾，得混合液B ；
5.將混合液B放入蒸發(fā)器中，回轉蒸餾20分鐘，提取上清液B；
6.將上清液B放入過濾離心機中在1750r/s下進行離心，時間為15分鐘，最終得到清洗液。 2.如權利要求1所述的一種新型特效硅片清洗液制備方法，其特征在于，所述陰離子活性劑為十二烷基磺酸鈉和十二烷基硫酸鈉按1-1.2:1.4-1.5比例混合而成。 3.如權利要求1所述的一種新型特效硅片清洗液制備方法，其特征在于，所述非離子活性劑為烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚按1-1.7:1.3-1.5比例混合而成。 4.如權利要求1所述的一種新型特效硅片清洗液制備方法，其特征在于，所述助洗劑為氫氧化鈉。 5.如權利要求1所述的一種新型特效硅片清洗液制備方法，其特征在于，所述的鹽酸為工業(yè)鹽酸。 6.如權利要求1所述的一種新型特效硅片清洗液制備方法，其特征在于，所述攪拌機為KD-20攪拌機。
【文檔編號】C11D1/831GK104498208SQ201410846601
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年12月31日 優(yōu)先權日:2014年12月31日
【發(fā)明者】聶金根 申請人:鎮(zhèn)江市港南電子有限公司