具有不透輻射標(biāo)志物的自膨脹支架以及制造這種支架的方法

專利名稱：具有不透輻射標(biāo)志物的自膨脹支架以及制造這種支架的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有附著于其至少一個(gè)端部的多個(gè)不透輻射標(biāo)志物的、徑向自膨 脹的支架，以及制造這種支架的方法。
背景技術(shù)：
血管支架通常用于各種血管疾病的治療。利用導(dǎo)管輸送系統(tǒng)將它們進(jìn)行腔內(nèi)植入 以將其推進(jìn)到支架點(diǎn)，它們在此膨脹以擴(kuò)張堵塞或變窄的血管。在植入過程中，主要使用X 射線成像技術(shù)來監(jiān)視血管中支架的準(zhǔn)確位置。為了確保精確定位，支架的良好可見度是至 關(guān)重要的。這通常通過附著由其射線不透性大于支架材料的材料制成的適當(dāng)標(biāo)志物來實(shí) 現(xiàn)。另外，這些標(biāo)志物必須足夠大以提供良好的X射線造影。為了在輸送過程中準(zhǔn)確地確 定支架的位置，在支架的兩端放置該標(biāo)志物是有利的。W0-A-2002/015820中公開了一種管狀支架，該管狀支架具有附著于所選擇的圍 繞其圓周彎折區(qū)上的多個(gè)不透輻射標(biāo)志物。該標(biāo)志物是勺形的，從而在支架處于徑向壓縮 狀態(tài)時(shí)形成幾乎完整的標(biāo)志物材料環(huán)，這在腔內(nèi)輸送過程中提供了特別高級別的射線不透 性。因此，實(shí)現(xiàn)了增加對射線的可見度而不增加該標(biāo)志物位置處的支架壁厚，并保持了小橫 截面輪廓和對流體流動(dòng)的大徑向開口。理想地，在上述這種標(biāo)志物環(huán)中保持很小的標(biāo)志物 數(shù)量，從而使每個(gè)標(biāo)志物足夠大以便即使在支架處于徑向膨脹狀態(tài)時(shí)提供足夠的可見度。 而且，標(biāo)志物/彎折區(qū)接頭的數(shù)量應(yīng)該保持最小以便在放置所述支架后降低沒有這樣一個(gè) 接頭之后標(biāo)志物在人體中損失的風(fēng)險(xiǎn)。對于自膨脹支架的情況，利用同軸導(dǎo)管輸送系統(tǒng)執(zhí)行到血管的較窄部分的輸送。 因此，所述支架通過外殼保持其徑向壓縮狀態(tài)。使用外殼內(nèi)部的同軸圓柱以相對于外殼軸 向地移動(dòng)所述支架。一旦所述支架放置在血管內(nèi)的理想位置，撤回該外殼，而所述內(nèi)部圓 柱推擠受壓縮支架的一端，這加速所述支架從所述輸送系統(tǒng)中釋放。該過程可施加于諸如 W0-A-2002/015820中公開的這樣一個(gè)支架上，其將重點(diǎn)集中于軸向地突出于支架環(huán)的支柱 基體軸向端之外的不透輻射標(biāo)志物上。這個(gè)集中于標(biāo)志物和彎折區(qū)之間、從此處由懸臂支 撐的接頭的重點(diǎn)，已被本發(fā)明人視為能夠并且應(yīng)該減少或甚至去除的特征。本專利申請聲明GB 0 717 481. 6的優(yōu)先權(quán)。在英國專利局對該英國優(yōu)先權(quán)申 請的權(quán)利要求所做的檢索報(bào)告中引用了如下文件:W02006/047977 ；DE-U1-20 2004 014 789 ；W0 2004/028408和EP-A-1433 438。前兩份引用文件所公開的是來自同一發(fā)明人的相 同發(fā)明。W0 2006/047997公開了具有端部環(huán)的支架，其將不透輻射標(biāo)志物材料裝入支架金 屬的接收部件的凹座內(nèi)。這樣，該標(biāo)志物材料具有暴露的管腔和遠(yuǎn)離管腔(abluminal)的 部分圓柱形的、相對的主表面和相應(yīng)于圍繞標(biāo)志物在其主表面之間的整個(gè)圓圓周緣的接收 部件的厚度。該標(biāo)志物在支架環(huán)的圓周方向具有小于其中容納有該標(biāo)志物的部分支架的圓 周長度的寬度。通過所述容納部分支撐所有側(cè)面的該標(biāo)志物從徑向位于支架環(huán)、標(biāo)志物的圓錐面部分以及容納部分外部的位置進(jìn)入該凹座，所述凹座用來將該標(biāo)志物引導(dǎo)到容納部 分內(nèi)部的緊貼地裝配的位置。W0 2004/028408公開的內(nèi)容與此類似。至于EP-A-1 433 438，其公開了支架上的 其他種類的不透輻射標(biāo)志物，尤其是圍繞支架的支柱纏繞的不透輻射材料絲或者圍繞支架 的支柱卷曲的不透輻射材料套筒。不言而喻，支架在設(shè)置該標(biāo)志物的徑向方向局部較厚。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是提供一種附著有不透輻射標(biāo)志物的自膨脹支架，其在所述支 架從所述輸送系統(tǒng)釋放過程中提供高度機(jī)械穩(wěn)定性并保持暴露于輻射的良好可見度。這個(gè) 目的通過具有權(quán)利要求1的技術(shù)特征的一種自膨脹支架實(shí)現(xiàn)。從所述從屬權(quán)利要求中得到 本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。本發(fā)明提供一種具有兩個(gè)端部環(huán)以通過同軸導(dǎo)管輸送系統(tǒng)輸送的自膨脹支架。在 所述支架釋放過程中推動(dòng)的所述端部環(huán)具有多個(gè)分布在其圓周的間隔的彎折區(qū)，其中一些 承載有不透輻射標(biāo)志物。本構(gòu)想是使所有彎折區(qū)分擔(dān)釋放應(yīng)力，而不僅僅是承載不透輻射 標(biāo)志物。一般而言，此處所用的術(shù)語“彎折區(qū)”是指兩個(gè)或更多個(gè)支柱端連接的區(qū)域或者兩 個(gè)或更多個(gè)支柱交叉的區(qū)域。然而，并不局限于不本解釋。很大數(shù)量的不同支柱樣式用于 或至少提議用于管狀支架。這些樣式中的每一個(gè)將具有將一端限定到支架管和允許標(biāo)志物 附著的點(diǎn)。術(shù)語“彎折區(qū)”定義成包括這些端點(diǎn)。使所述不透輻射標(biāo)志物成形，并將其定位在所選擇的彎折區(qū)，從而使在所述支架 釋放過程中施加于所述端部環(huán)上的所述壓縮應(yīng)力分配在所述標(biāo)志物和不承載標(biāo)志物的所 述彎折區(qū)之間。這樣，所述標(biāo)志物/彎折區(qū)接頭上的應(yīng)變達(dá)到最小，并降低了諸如斷裂或變 形的物理損壞的風(fēng)險(xiǎn)。該概念適用于任何支架設(shè)計(jì)，并允許使用僅小數(shù)量的標(biāo)志物，同時(shí)所 述支架的穩(wěn)定性得到保證。標(biāo)志物的數(shù)量保持最小具有巨大優(yōu)點(diǎn)。第一，具有更少的標(biāo)志 物/彎折區(qū)接頭降低了標(biāo)志物斷裂或彎曲的危險(xiǎn)。自膨脹支架具有極其優(yōu)良的彈性，但盡 管如此，并不是不會變形。隨心跳收縮的疲勞性能對血管支架是至關(guān)重要的。支架基體局 部承受的、超過政府疲勞測試監(jiān)管協(xié)議制訂的最大值的任何應(yīng)力，能夠?qū)λ鲋Ъ艿钠?壽命產(chǎn)生不利影響。既然在支架釋放過程中甚至是接頭的最輕微的損壞都會縮短支架的使 用壽命，這個(gè)事實(shí)強(qiáng)調(diào)健壯支架設(shè)計(jì)的重要性。而且，標(biāo)志物全體在支架處于徑向壓縮狀態(tài) 時(shí)形成的環(huán)的圓周受支架管自身的圓周限制。這樣，使標(biāo)志物的數(shù)量保持很小允許更大的 標(biāo)志物尺寸并因而允許改良處于徑向膨脹狀態(tài)的支架的可見度。所謂“環(huán)形支架”顯示了沿其軸向長度布置的、在環(huán)形物端部之間互連并具有分布 在所述環(huán)形物端部圓周的多個(gè)彎折區(qū)的多個(gè)環(huán)形物。在一個(gè)實(shí)施方式中，這些環(huán)形物端部 中的每一個(gè)都比所述支架的端部環(huán)包括更多的彎折區(qū)。因?yàn)閺较驂嚎s狀態(tài)下所述支架在 其整個(gè)結(jié)構(gòu)中具有同種圓周，所以所述支架的端部環(huán)的圓周將與所述環(huán)形物端部的圓周相 同，盡管所述支架包括更少的彎折區(qū)。因此，可增加承載標(biāo)志物的所述彎折區(qū)的圓周范圍， 這允許附著更大的標(biāo)志物，且對于上述的可見度是有利的。如果不承載標(biāo)志物的支架的端 部環(huán)的彎折區(qū)比分布在所述環(huán)形物端部圓周中的彎折區(qū)具有更小的圓周范圍，則可在所述 支架的端部環(huán)中為所述標(biāo)志物創(chuàng)建甚至更大的空間。因此，上述布置便于在不改變所述支 架環(huán)的彎折區(qū)的數(shù)量的情況下可能增大標(biāo)志物的尺寸，而這可能影響支架的諸如穩(wěn)定性和彈性的機(jī)械性能。在另一優(yōu)選實(shí)施方式中給出了在所述支架的端部環(huán)中為所述標(biāo)志物創(chuàng)建更多空 間的進(jìn)一步方法，其中不承載標(biāo)志物的所述支架的端部環(huán)的彎折區(qū)比分布在所述環(huán)形物端 部的圓周中的彎折區(qū)具有平行于所述支架長軸的更大的軸向長度。優(yōu)選地，所述標(biāo)志物在粘合于膠接口處的所述彎折區(qū)，更優(yōu)選地，通過焊接連接。 此處的焊接形式通過所述標(biāo)志物的形狀和尺寸確定。在優(yōu)選實(shí)施方式中，承載標(biāo)志物的彎折區(qū)在形狀、尺寸或者形狀和尺寸兩方面都 與不承載標(biāo)志物的彎折區(qū)不同。承載標(biāo)志物的彎折區(qū)可以例如具有更小的尺寸從而為所附 著的標(biāo)志物或者特別適于特定焊接類型的形狀留下更大的空間(取決于所述標(biāo)志物的形 狀和尺寸)。在一個(gè)實(shí)施方式中，每個(gè)彎折區(qū)為具有平行于所述支架的長軸的軸向長度的桿 (stem)。優(yōu)選地，承載標(biāo)志物的所述彎折區(qū)桿比不承載標(biāo)志物的彎折區(qū)桿具有更小的長度。 該布置允許在相鄰的更長的彎折區(qū)之間容納部分標(biāo)志物(或者甚至是整個(gè)標(biāo)志物)。優(yōu)選地，所述標(biāo)志物和彎折區(qū)具有相同的厚度，但是不排除具有更大徑向厚度的 標(biāo)志物。一方面，由于應(yīng)該保持所述支架的小橫截面輪廓和對流體流動(dòng)的大徑向開口，增加 的標(biāo)志物厚度超過所述支架的環(huán)壁厚度是不理想的。另一方面，所述標(biāo)志物的射線不透性 和機(jī)械性能取決于它們的厚度。因此，當(dāng)暴露于輻射時(shí)，標(biāo)志物太薄將帶來很差的對比度， 并可能易于變形或者甚至斷裂。在優(yōu)選實(shí)施方式中，每個(gè)標(biāo)志物比不承載標(biāo)志物的每個(gè)彎折區(qū)對著端部環(huán)圓周的 更大的圓弧，這提高了支架端部的可見度。在任何情況下，標(biāo)志物在圓周方向的寬度通常等 于或大于，但不小于所述標(biāo)志物所附著的所述彎折區(qū)的圓周寬度。許多不同的材料可用于所述支架和不透輻射標(biāo)志物的制造。優(yōu)選地，所述支架由 鎳鈦形狀記憶合金制成。這種合金為可靠的支架操作提供了所必需的機(jī)械性能，即高度的 彈性和物理穩(wěn)定性。所述不透輻射標(biāo)志物優(yōu)選地由鉭、金或由鎳、鈦和第三種不透輻射金屬 制成的三元合金制成。所有這些金屬提供了高度的不透射線性。上述支架和標(biāo)志物材料都 是無毒的，并且提供與人體良好的生理兼容性。因?yàn)殒団佒Ъ芎豌g標(biāo)志物的電化學(xué)勢類似， 對于鎳鈦支架，鉭標(biāo)志物是特別好的。在另一優(yōu)選實(shí)施方式中，在所述支架處于徑向壓縮狀態(tài)時(shí)，所述標(biāo)志物不能軸向 地延伸至不承載標(biāo)志物的所述彎折區(qū)之外。這種布置可例如通過使承載標(biāo)志物的彎折區(qū)比 不承載標(biāo)志物的彎折區(qū)更短來實(shí)現(xiàn)。優(yōu)選地，在將所述支架從所述輸送系統(tǒng)釋放的過程中， 所述標(biāo)志物和不承載標(biāo)志物的所述彎折區(qū)鄰接或者物理接觸于所述輸送系統(tǒng)的推動(dòng)部分， 即同軸內(nèi)圓柱。在這種構(gòu)造中，在支架釋放過程中施加于端部環(huán)上的壓縮應(yīng)力分布在所述 標(biāo)志物和沒有標(biāo)志物的彎折區(qū)之間，使得對所述支架造成物理損害的風(fēng)險(xiǎn)達(dá)到最小。通過 選擇小數(shù)量的位于所述支架的端部環(huán)中的彎折區(qū)，并使承載標(biāo)志物的彎折區(qū)足夠短，仍然 可以維持對于優(yōu)良的可見度來說足夠大的標(biāo)志物尺寸。在另一優(yōu)選實(shí)施方式中，在所述支架處于徑向壓縮狀態(tài)時(shí)，所述標(biāo)志物的部分邊 緣放置在所述相鄰的彎折區(qū)，從而所述輸送系統(tǒng)在所述支架釋放過程中施加于所述標(biāo)志物 的壓縮應(yīng)力通過所述標(biāo)志物傳遞到所述相鄰的彎折區(qū)。優(yōu)選地，在此構(gòu)造中，所述標(biāo)志物軸 向地高于不承載標(biāo)志物的所述彎折區(qū)。在此構(gòu)造中，可實(shí)現(xiàn)標(biāo)志物尺寸增大，而仍然維持標(biāo) 志物和沒有標(biāo)志物的彎折區(qū)之間的外加壓力的分布。
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所述標(biāo)志物可通過上面提及的W0-A-2002/015820中所描述的方法焊接于所述彎 折區(qū)。然而，在一個(gè)變型中，所述標(biāo)志物和彎折區(qū)可沿支架的縱軸彼此推進(jìn)而沒有任何相對 的徑向運(yùn)動(dòng)，例如，通過提供各標(biāo)志物與穿過所述焊接區(qū)、彼此面對面的彎折區(qū)表面之間的 形狀配合來實(shí)現(xiàn)。所述形狀配合通過所述標(biāo)志物和彎折區(qū)上的操作斜坡面實(shí)現(xiàn)，各操作斜 坡面共同防止沿所述標(biāo)志物和彎折區(qū)的寬度方向的任何相對圓周滑動(dòng)運(yùn)動(dòng)。這樣，在所述 標(biāo)志物焊接于所述彎折區(qū)之前，所述標(biāo)志物被引導(dǎo)到與各彎折區(qū)圓周對齊的位置。


圖1是示出了根據(jù)第一優(yōu)選實(shí)施方式的、其上附著有不透輻射標(biāo)志物的支架的激 光切割；圖2示出了根據(jù)第二優(yōu)選實(shí)施方式的、其上附著有不透輻射標(biāo)志物的支架的激光 切割的一端；圖3示出了根據(jù)第二優(yōu)選實(shí)施方式的、處于支架的徑向的膨脹狀態(tài)的端部環(huán)的一 部分；以及圖4是支架一端的斷片的視圖，其示出了包括標(biāo)志物、且位于不承載任何標(biāo)志物 的較長彎折區(qū)的側(cè)面的彎折區(qū)；
具體實(shí)施例方式圖1示出了根據(jù)第一優(yōu)選實(shí)施方式的、附著有由鉭制成的不透輻射標(biāo)志物14并由 鎳鈦諾制造的徑向自膨脹的支架10的激光切割。標(biāo)志物14焊接于彎折區(qū)12’，并一直延 伸到不承載標(biāo)志物12的彎折區(qū)。這樣，在支架釋放過程中通過支架推動(dòng)器環(huán)形物P施加于 端部環(huán)11上的壓縮應(yīng)力由標(biāo)志物14和不承載標(biāo)志物的彎折區(qū)12分擔(dān)，因?yàn)猷徑油苿?dòng)器P 的不僅僅是標(biāo)志物14，還有不承載標(biāo)志物14的彎折區(qū)12。所述支架包括每個(gè)環(huán)形物端部 的圓周具有14個(gè)彎折區(qū)12”的四個(gè)互連的環(huán)形物16。與此相反，端部環(huán)11、11’僅具有12 個(gè)彎折區(qū)12、12’。既然彎折區(qū)12的圓周范圍等于彎折區(qū)12”的圓周范圍，這使彎折區(qū)12’ 和附著于其上的標(biāo)志物14的圓周范圍(circumferential extent)較大。除此以外，彎折 區(qū)12的軸向長度大于彎折區(qū)12”的軸向長度，這允許較長的標(biāo)志物。因而，為容納大的標(biāo) 志物14而特別設(shè)計(jì)本實(shí)施方式從而優(yōu)化支架10的可見度。圖2示出了根據(jù)第二優(yōu)選實(shí)施方式的、其上附著有由鉭制造的不透輻射標(biāo)志物且 由鎳鈦諾制造的支架的激光切割的一端。標(biāo)志物14焊接于彎折區(qū)12’并軸向地高于不承 載標(biāo)志物14的彎折區(qū)12。如所見的那樣，調(diào)整彎折區(qū)12’的形狀以允許與標(biāo)志物14的堅(jiān) 固焊接，并使其與彎折區(qū)12的形狀明顯不同。類似于第一優(yōu)選實(shí)施方式，彎折區(qū)12’與彎 折區(qū)12相比而增加的圓周范圍通過位于環(huán)形物16的端部和端部環(huán)11之間的彎折區(qū)12、 12’、12”的數(shù)量不同來幫助實(shí)現(xiàn)。而且，在支架10處于徑向壓縮狀態(tài)時(shí)，彎折區(qū)12在其形 狀構(gòu)造成容納T形標(biāo)志物14的外圍部分的頂端處具有凹槽18。這樣，盡管在支架10的釋 放過程中僅有標(biāo)志物14與輸送系統(tǒng)的推動(dòng)部分P物理接觸的事實(shí)，施加于標(biāo)志物上的壓縮 應(yīng)力分布在所述標(biāo)志物和相鄰彎折區(qū)之間。本構(gòu)造允許容納特別大的標(biāo)志物14且同時(shí)維 持支架10的穩(wěn)定。圖3示出了根據(jù)本實(shí)施方式的、處于支架10的徑向膨脹狀態(tài)的端部環(huán) 11的一部分。在這里，凹槽18更清晰可見。
轉(zhuǎn)到圖4，我們在此處看到了位于兩個(gè)長彎折區(qū)12之間并焊接于短彎折區(qū)12’上 的鉭標(biāo)志物14。該標(biāo)志物通過兩個(gè)小橋48、50接合于鉭管40。一旦執(zhí)行了焊接，這些橋 48、50便于標(biāo)志物14以不復(fù)雜的方式通過施加外力從鉭管40分離。然而，橋48、50不是必 需特征，也可以應(yīng)用將標(biāo)志物14從鉭管40處分離的其他方法。特別地，可使用單個(gè)激光器 來將標(biāo)志物14焊接于彎折區(qū)12’，以及將標(biāo)志物14從鉭管40處分離。在這種情況下，首 先執(zhí)行焊接步驟，接著在增加激光的輸出功率后執(zhí)行分離步驟?？稍趩蝹€(gè)操作中執(zhí)行這兩 個(gè)步驟從而改良制造工藝的效率。如果使用上述分離方法，鉭管40和標(biāo)志物14之間的連 接剖面可以是任何可想象得到的形狀，例如，單個(gè)較寬的橋。如上面提及的W0 02/015820 中所解釋的那樣，鉭管40和支架的鎳鈦形狀記憶合金管以及彎折區(qū)12軸向接近，于是彎折 區(qū)12和標(biāo)志物14的面對的表面20和22形成面對面關(guān)系，為將它們焊接在一起做好了準(zhǔn) 備。本領(lǐng)域的讀者將會理解，在該通過軸向靠近的接近過程中，兩個(gè)工件之間不需要任何相 對徑向運(yùn)動(dòng)。至于標(biāo)志物14和彎折區(qū)12之間的圓周對齊，從圖4中可以看到，面對的表面20、 22是如何整體地形成配合部分24、26、28、30，其中它們共同將前進(jìn)的標(biāo)志物14引導(dǎo)到與彎 折區(qū)對齊從而在標(biāo)志物14和兩個(gè)側(cè)面相接的彎折區(qū)12之間分別具有間隙60、62。面對的表面20、22通過機(jī)械的“形狀匹配”實(shí)現(xiàn)圓周引導(dǎo)功能。當(dāng)標(biāo)志物14的鼻 部70接近彎折區(qū)12’，它可沿面對的表面20滑動(dòng)，直到它滑過軸向?qū)R的直邊24，此時(shí)鼻 部70的直邊26面對直邊24。然而，到那時(shí)候，由位于反向角表面30側(cè)面的、標(biāo)志物14的面對的表面22中的V 形凹座將容納位于面對的表面20中的反向角表面部分28側(cè)面的、彎折區(qū)12’的面對的表 面20中的V形頂點(diǎn)。通過表面28和30的鄰接來防止表面24和26之間間隔的任何加寬 (反之亦然)。這樣，接近于彎折區(qū)12’并準(zhǔn)備好焊接于其上的標(biāo)志物14不能再相對于彎 折區(qū)12’圓周地自由運(yùn)動(dòng)。恰恰在這種“焊接準(zhǔn)備”配置中，標(biāo)志物14的端面56與側(cè)面相 接的彎折區(qū)12的端面52和54位于同一平面中，橫穿支架的軸線。這樣，當(dāng)支架通過推動(dòng) 器P推動(dòng)時(shí)，推力相等地施加端面52、54和56上。所例示的實(shí)施方式通過實(shí)例例示，本領(lǐng)域的讀者將會理解，在以下權(quán)利要求的范 圍內(nèi)，這些特征可孤立于一個(gè)實(shí)施方式，并可從中提取出來用于其它實(shí)施方式中。
權(quán)利要求
一種徑向自膨脹支架(10)，其具有徑向方向的厚度和端部環(huán)(11、11’)之間的軸向長度(L)，以便通過同軸導(dǎo)管輸送系統(tǒng)進(jìn)行輸送，在所述支架從所述輸送系統(tǒng)釋放的過程中，所述同軸導(dǎo)管輸送系統(tǒng)的一部分推動(dòng)所述支架的一端，而從所述支架的遠(yuǎn)離管腔表面周圍收回外殼，于是所述支架從徑向壓縮狀態(tài)膨脹成徑向膨脹狀態(tài)，待推動(dòng)的所述端部環(huán)(11)具有圓周，多個(gè)間隔的彎折區(qū)(12)分布在所述圓周中，所選擇的彎折區(qū)(12’)承載不透輻射標(biāo)志物(14)，其特征在于所述標(biāo)志物成形，并位于所選擇的彎折區(qū)上，從而在所述支架釋放過程中使施加于所述端部環(huán)上的壓縮應(yīng)力分配在所述標(biāo)志物和不承載標(biāo)志物的所述彎折區(qū)之間。
2.如權(quán)利要求1所述的支架，其中，所述支架包括沿其軸向長度布置的多個(gè)環(huán)形物 (16)，所述環(huán)形物在環(huán)形物端部間互連并具有分布在所述環(huán)形物端部的圓周中的多個(gè)彎折 區(qū)(12”)，每個(gè)所述環(huán)形物端部比所述支架的端部環(huán)包括更多的彎折區(qū)。
3.如權(quán)利要求2所述的支架，其中，不承載標(biāo)志物的所述支架的端部環(huán)的彎折區(qū)比分 布在所述環(huán)形物端部的圓周中的彎折區(qū)具有更大的平行于所述支架的長軸的軸向長度。
4.如權(quán)利要求2或3所述的支架，其中，不承載標(biāo)志物的所述支架的端部環(huán)的彎折區(qū)比 分布在所述環(huán)形物端部的圓周中的彎折區(qū)具有更小的圓周范圍。
5.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的支架，其中，所述標(biāo)志物在膠接口粘合于所述彎 折區(qū)。
6.如權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的支架，其中，所述標(biāo)志物通過焊接附著于所述彎 折區(qū)。
7.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的支架，其中，承載標(biāo)志物的所述彎折區(qū)與不承載 標(biāo)志物的所述彎折區(qū)具有不同的形狀。
8.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的支架，其中，承載標(biāo)志物的所述彎折區(qū)與不承載 標(biāo)志物的所述彎折區(qū)具有不同的尺寸。
9.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的支架，其中，每個(gè)彎折區(qū)為具有平行于所述支架 的長軸的軸向長度的桿，其中，承載標(biāo)志物的所述彎折區(qū)桿比不承載標(biāo)志物的所述彎折區(qū) 桿具有更小的長度。
10.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的支架，其中，所述標(biāo)志物和所述彎折區(qū)具有相同的厚度。
11.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的支架，其中，每個(gè)標(biāo)志物比不承載標(biāo)志物的每個(gè) 彎折區(qū)對著所述端部環(huán)的圓周的更大的弧。
12.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的支架，其中，所述支架由鎳鈦形狀記憶合金制成。
13.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的支架，其中，所述不透輻射標(biāo)志物由鉭、金或由 鎳、鈦和第三種不透輻射金屬制成的三元合金制成。
14.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的支架，其中，在所述支架的徑向壓縮狀態(tài)下，所 述標(biāo)志物不軸向地延伸至不承載標(biāo)志物的所述彎折區(qū)之外。
15.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的支架，其中，在所述支架的徑向壓縮狀態(tài)下，在 所述支架從所述輸送系統(tǒng)釋放的過程中，所述標(biāo)志物和不承載標(biāo)志物的所述彎折區(qū)都暴露于所述支架的端部環(huán)，以直接接收來自所述輸送系統(tǒng)的推動(dòng)部分的推力。
16.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的支架，其中，在所述支架的徑向壓縮狀態(tài)下，所 述標(biāo)志物的外圍部分放置在相鄰的彎折區(qū)上，從而使由所述輸送系統(tǒng)在所述支架的釋放過 程中施加于所述標(biāo)志物上的壓縮應(yīng)力通過所述標(biāo)志物傳遞到所述相鄰的彎折區(qū)。
17.如權(quán)利要求16所述的支架，其中，所述標(biāo)志物軸向地高于不承載標(biāo)志物的所述彎 折區(qū)。
18.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的支架，所述支架包括延伸至承載不透輻射標(biāo)志 物的每個(gè)彎折區(qū)的整個(gè)寬度并且位于所述彎折區(qū)與所述標(biāo)志物之間的焊接區(qū)。
19.一種將不透輻射標(biāo)志物固定于徑向自膨脹支架的彎折區(qū)的方法，其中，所述標(biāo)志物 推進(jìn)到相對于所述彎折區(qū)的固定位置內(nèi)，然后在所述彎折區(qū)和所述標(biāo)志物之間的焊接區(qū)焊 接于所述彎折區(qū)，其特征在于所述標(biāo)志物和彎折區(qū)到所述固定位置的相對運(yùn)動(dòng)，不使元件相對于所述支架的縱向軸 線、在徑向方向運(yùn)動(dòng)。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述標(biāo)志物和所述彎折區(qū)顯示了穿過所述焊接 區(qū)面向彼此的各個(gè)面對的表面，所述面對的表面包括一旦所述標(biāo)志物處于所述固定位置中 則禁止相對圓周滑動(dòng)運(yùn)動(dòng)的機(jī)械形狀配合。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，當(dāng)所述標(biāo)志物軸向地接近所述彎折區(qū)時(shí)，通過 相配合的所述標(biāo)志物和所述彎折區(qū)上的斜坡面設(shè)置所述機(jī)械形狀配合，以將所述標(biāo)志物和 所述彎折區(qū)引導(dǎo)成在所述焊接區(qū)內(nèi)環(huán)繞地排列配置，以備將所述標(biāo)志物和彎折區(qū)焊接在一 起。
22.一種支架輸送系統(tǒng)，其承載如權(quán)利要求1至18中的任一項(xiàng)所述的支架或通過如權(quán) 利要求19至21中的任一項(xiàng)所述的處理制成的支架，該系統(tǒng)包括位于所述支架一端、與所述 標(biāo)志物和不承載標(biāo)志物的所述彎折區(qū)二者鄰接的支架推動(dòng)器。
全文摘要
在支架于身體內(nèi)腔的支架點(diǎn)處的釋放過程中，通過近中心收縮環(huán)繞的外殼而從自膨脹支架的一端推動(dòng)自膨脹支架，可將不可接受的大應(yīng)力施加于支架的部分支柱網(wǎng)。為了將支架設(shè)置在身體內(nèi)腔中，通常裝配具有不透輻射標(biāo)志物于支架的端部環(huán)。本發(fā)明包括布置所述標(biāo)志物從而使它們與端部環(huán)中沒有標(biāo)志物的部分分配通過端部推動(dòng)而施加于支架上的應(yīng)力，因此大應(yīng)力由端部環(huán)中的所有支架的支柱更均等地分配。
文檔編號A61F2/91GK101854890SQ200880105999
公開日2010年10月6日 申請日期2008年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月7日
發(fā)明者波林·維斯, 馬丁·施倫 申請人:安杰梅德醫(yī)療技術(shù)有限公司