專利名稱：一種真空磁控濺射卷繞鍍膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種在高真空狀態(tài)下在各種基材表面磁控濺射連續(xù)成膜的 鍍膜設(shè)備領(lǐng)域，具體為可以應(yīng)用在巻狀基材上濺鍍一層或多層金屬的一種真空 磁控濺射巻繞鍍膜裝置。
背景技術(shù)：
真空磁控濺射設(shè)備可以在導(dǎo)電基材與非導(dǎo)電基材獲得一層或多層均勻的沉
積層，是多種功能薄膜的獲得的重要設(shè)備，可以應(yīng)用于EMI、柔性線路板，光 學(xué)鍍膜等行業(yè)。目前，普遍應(yīng)用的真空磁控濺射鍍膜機(jī)大至由真空室、真空獲 得系統(tǒng)、巻繞系統(tǒng)、濺射靶系統(tǒng)以及自動控制系統(tǒng)組成。其操作程序如下上 料一關(guān)真空室門一開機(jī)械泵抽粗真空一開擴(kuò)散泵抽本地真空一充Ar氣開耙電源 一工藝生產(chǎn)一停機(jī)械泵(擴(kuò)散泵繼續(xù)加熱)—下一個工作循環(huán)。
上述真空磁控濺射鍍膜機(jī)在巻狀基材上單面濺鍍所需的金屬層，存在以下 缺點(一)、鍍膜機(jī)真空腔體通常選用方形腔體，真空獲得系統(tǒng)選用油擴(kuò)散泵
系統(tǒng)，分布在真空室的兩側(cè)，這種布局形式造成真空室內(nèi)真空度不均勻，從而
導(dǎo)致濺鍍成膜厚度也不均勻；油擴(kuò)散泵常有返油現(xiàn)象，會在真空室內(nèi)的工件基 材上形成油膜，造成濺鍍膜層與基材之間結(jié)合力差；另外油擴(kuò)散泵耗電功率較 大，由于其控制方式為開關(guān)量控制，所以即使在作工藝抽速變小時也只能全功 率輸出，能耗非常大。(二)、通常只配置一套收放巻系統(tǒng)，故只能濺鍍一巻， 工作效率低。(三)、通常只配套濺射靶，不配套離子源處理，在鍍某些基材時 會造成膜層與基材之間剝離強度不夠。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的是為了克服上述真空磁控濺射鍍膜機(jī)存在的不足，提供 可以雙巻濺射，濺射膜層與基材直接結(jié)合緊密，提高產(chǎn)品質(zhì)量、節(jié)能降耗的一 種真空磁控濺射巻繞鍍膜裝置。
本實用新型是這樣實現(xiàn)的 一種真空磁控濺射巻繞鍍膜裝置，包括真空腔體,
真空獲得系統(tǒng)、靶極和收放巻系統(tǒng)，真空腔體上設(shè)置有真空獲得系統(tǒng)，真空獲
得系統(tǒng)使真空腔體內(nèi)部在工作時呈真空狀態(tài)，真空腔體內(nèi)的磁控濺射區(qū)設(shè)置有
磁控濺射的靶極，磁控濺射的靶極設(shè)置有兩排，磁控濺射區(qū)兩側(cè)分別設(shè)置有收
放巻系統(tǒng)。
所述的收放巻系統(tǒng)由放巻軸、收巻軸、導(dǎo)向輥、張力輥、上主動輥和下主動 輥組成，放巻軸中的基材通過導(dǎo)向輥、張力輥和下主動輥進(jìn)入磁控濺射區(qū)，磁 控濺射區(qū)出來的基材經(jīng)上主動輥、張力輥和導(dǎo)向輥收巻于收巻軸。
所述的真空獲得系統(tǒng)可以為分子泵，確保了真空室內(nèi)無返油的現(xiàn)象。
所述的真空腔體內(nèi)設(shè)置有深冷水汽捕集器，以提高對連續(xù)鍍膜過程中基材放 氣的抽速，從而提高了工作效率。
所述的深冷水汽捕集器可以深冷泵。
所述的下主動輥與磁控濺射區(qū)入口之間設(shè)置有離子源處理裝置，以對基材表 面進(jìn)行離子轟擊，提高基材表面粗糙度，確保膜層與基材之間的剝離強度。 所述的真空腔體內(nèi)具有為圓形真空室。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型具有的優(yōu)點是(1)真空腔體為圓形，不會 形成抽氣死角，真空度均勻；真空獲得系統(tǒng)為分子泵無油系統(tǒng)，確保了真空室 內(nèi)無返油；配置的深冷泵提高對連續(xù)鍍膜過程中基材放氣的抽速，從而提高了 工作效率。(2)采用了雙收放巻系統(tǒng)，可以滿足磁控濺射區(qū)全幅寬的一巻雙面 鍍及兩巻單面鍍；也可以滿足鍍區(qū)半幅寬的兩巻鍍單面及雙面鍍，功能全面。(3)在進(jìn)入磁控濺射區(qū)處設(shè)離子源處理裝置，對基材表面進(jìn)行離子轟擊，提高 基材表面粗糙度，確保膜層與基材之間的剝離強度。
圖1為本實用新型一種真空磁控濺射巻繞鍍膜裝置結(jié)構(gòu)示意圖2為收放巻系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖1;
圖3為收放巻系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖2;
圖4為收放巻系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖3;
圖5為收放巻系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖4;
圖6為收放巻系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖5;
圖7為靶極、收放巻系統(tǒng)和真空腔體之間的構(gòu)造結(jié)構(gòu)示意圖； 圖8為真空腔體結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型一種真空磁控濺射巻繞鍍膜裝置 進(jìn)行詳細(xì)的說明。
一種真空磁控濺射巻繞鍍膜裝置，如圖l、圖7和圖8所示，包括真空腔體 16，真空獲得系統(tǒng)1、靶極7、靶極7和收放巻系統(tǒng)15，真空腔體16上設(shè)置有 真空獲得系統(tǒng)l，真空獲得系統(tǒng)1使真空腔體16內(nèi)部在工作時呈真空狀態(tài)，真 空腔體16內(nèi)的磁控濺射區(qū)設(shè)置有磁控濺射的靶極7。磁控濺射的靶極7設(shè)置有 兩排，兩排靶極7可以為相對形式設(shè)置，也可以為交錯形式設(shè)置。磁控濺射區(qū) 兩側(cè)分別設(shè)置有收放巻系統(tǒng)15。靶極7設(shè)置在靶極車14內(nèi)，靶極車14與真空 腔體16的后法蘭13活動密封連接。收放巻系統(tǒng)15真空腔體16也是活動密封 連接。為了使收放巻系統(tǒng)15和靶極車14在真空腔體16內(nèi)開啟方面，在真空腔 體16下設(shè)置有導(dǎo)軌17，收放巻系統(tǒng)15和靶極車14安裝在導(dǎo)軌17上。收放巻 系統(tǒng)15由放巻軸2、收巻軸4、導(dǎo)向輥5、張力輥6、上主動輥8和下主動輥9 組成，放巻軸2中的基材通過導(dǎo)向輥5、張力輥6和下主動輥9進(jìn)入磁控濺射區(qū)，磁控濺射區(qū)出來的基材經(jīng)上主動輥8、張力輥6和導(dǎo)向輥5收巻于收巻軸4。真 空腔體16內(nèi)具有圓形真空室，其周圍安裝至少2臺可以任意角度安裝的真空獲 得系統(tǒng)l。真空獲得系統(tǒng)1可以選用分子泵。真空腔體16內(nèi)安裝了深冷水汽捕 集器12，深冷水汽捕集器12可以深冷泵。深冷泵提高了對連續(xù)鍍膜過程中基材 放氣的抽速，從而提高了工作效率。在下主動輥9與磁控濺射區(qū)入口之間設(shè)置 有離子源處理裝置3，以對基材表面進(jìn)行離子轟擊，提高基材表面粗糙度，確保 膜層與基材之間的剝離強度。
設(shè)置的兩套收放巻系統(tǒng)可以滿足鍍區(qū)全幅寬的一巻雙面鍍及兩巻單面鍍。鍍 區(qū)可以根據(jù)需要設(shè)計為200 2300mm，即可以對200~2300mm寬的基材進(jìn)行單 面或者雙面濺射。基材巻繞路線具有如圖3 圖6所示的實施方式?？偟膩碚f， 單面或者雙面鍍時，放巻軸2放巻基材經(jīng)導(dǎo)向輥5、張力輥6、導(dǎo)向輥5和下主 動輥9,經(jīng)離子源處理裝置3的離子源處理后進(jìn)入磁控濺射區(qū)內(nèi)經(jīng)濺射靶7濺射， 然后就經(jīng)上主動輥8、導(dǎo)向輥5、張力輥6和導(dǎo)向輥5收巻于收巻軸4。放巻軸 2和收巻軸4分別可以設(shè)置有兩個，放巻軸2和收巻軸4可以任意搭配設(shè)置。也 可以對兩巻基材進(jìn)行單面鍍，具體巻繞線路參見如圖2所示，即雙收放巻同時 開啟，其中放巻軸2放一巻，另一放巻軸2放一巻。也可以用于寬度為鍍區(qū)一 半的兩巻基材鍍單面或者鍍雙面。雙收放巻系統(tǒng)使基材的真空鍍模式具有多種 選擇，增強了本真空磁控濺射巻繞鍍膜裝置的功能，滿足各種鍍件的不同要求。
權(quán)利要求1、一種真空磁控濺射卷繞鍍膜裝置，包括真空腔體，真空獲得系統(tǒng)、靶極和收放卷系統(tǒng)，其特征在于真空腔體上設(shè)置有真空獲得系統(tǒng)，真空腔體內(nèi)的磁控濺射區(qū)設(shè)置有磁控濺射的靶極，磁控濺射的靶極設(shè)置有兩排，在磁控濺射區(qū)兩側(cè)分別設(shè)置有收放卷系統(tǒng)。
2、 如權(quán)利要求1所述的一種真空磁控濺射巻繞鍍膜裝置，其特征在于所 述的收放巻系統(tǒng)由放巻軸、收巻軸、導(dǎo)向輥、張力輥、上主動輥和下主動輥組 成，放巻軸中的基材通過導(dǎo)向輥、張力輥和下主動輥進(jìn)入磁控濺射區(qū)，磁控濺 射區(qū)出來的基材經(jīng)上主動輥、張力輥和導(dǎo)向輥收巻于收巻軸。
3、 如權(quán)利要求1所述的一種真空磁控濺射巻繞鍍膜裝置，其特征在于所 述的真空獲得系統(tǒng)為分子泵。
4、 如權(quán)利要求1所述的一種真空磁控濺射巻繞鍍膜裝置，其特征在于所 述的真空腔體內(nèi)設(shè)置有深冷水汽捕集器。
5、 如權(quán)利要求4所述的一種真空磁控濺射巻繞鍍膜裝置，其特征在于所 述的深冷水汽捕集器是深冷泵。
6、 如權(quán)利要求1所述的一種真空磁控濺射巻繞鍍膜裝置，其特征在于所 述的下主動輥與磁控濺射區(qū)入口之間設(shè)置有離子源處理裝置。
7、 如權(quán)利要求1所述的一種真空磁控濺射巻繞鍍膜裝置，其特征在于所述的真空腔體為圓形。
8、如權(quán)利要求1所述的一種真空磁控濺射巻繞鍍膜裝置，其特征在于所 述的耙極設(shè)置有兩排，兩排靶極為交錯形式設(shè)置。
專利摘要一種真空磁控濺射卷繞鍍膜裝置，包括真空腔體，真空獲得系統(tǒng)、靶極和收放卷系統(tǒng)，真空腔體上設(shè)置有真空獲得系統(tǒng)，真空獲得系統(tǒng)使真空腔體內(nèi)部在工作時呈真空狀態(tài)，真空腔體內(nèi)的磁控濺射區(qū)設(shè)置有磁控濺射的靶極，磁控濺射的靶極設(shè)置有兩排，磁控濺射區(qū)兩側(cè)分別設(shè)置有收放卷系統(tǒng)。本實用新型具有的優(yōu)點是(1)真空腔體為圓形，不會形成抽氣死角，真空度均勻；真空室內(nèi)無返油；提高了工作效率。(2)采用了雙收放卷系統(tǒng)，可以滿足磁控濺射區(qū)全幅寬的一卷雙面鍍及兩卷單面鍍；也可以滿足鍍區(qū)半幅寬的兩卷鍍單面及雙面鍍，功能全面。(3)對基材表面進(jìn)行離子轟擊，提高基材表面粗糙度，確保膜層與基材之間的剝離強度。
文檔編號C23C14/35GK201358299SQ20092005128
公開日2009年12月9日 申請日期2009年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月17日
發(fā)明者夏登峰, 楊偉民, 陟 蘇, 鄭永德 申請人:廣州力加電子有限公司