專利名稱：用于細(xì)胞培養(yǎng)的高分子材料的表面處理技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高分子材料表面處理技術(shù)，具體的說是涉及一種用于細(xì)胞培養(yǎng)的高分子材料的表面處理技術(shù)。
背景技術(shù)：
在我國(guó)生物醫(yī)藥行業(yè)塑料和玻璃通常被廣泛應(yīng)用作為細(xì)胞無菌培養(yǎng)的容器。玻璃容器可反復(fù)使用，但存在細(xì)胞貼壁性能差、洗滌困難和易交叉污染及破損后可對(duì)人造成損傷及感染的缺陷；塑料中也只有經(jīng)過表面改性處理的高分子材料才具有使細(xì)胞貼壁、分裂、生長(zhǎng)和分泌生物活性物質(zhì)的作用。
等離子體是由大量的自由電子和離子組成、且在宏觀上呈現(xiàn)為近似電中性的電離氣體，它是物質(zhì)存在的又一種聚集態(tài)—等離子態(tài)，也被人們稱作物質(zhì)的第四態(tài)。等離子體在性質(zhì)上與普通氣體有很大的差別普通氣體中的粒子主要進(jìn)行雜亂的熱運(yùn)動(dòng)而等離子體受外加磁場(chǎng)的影響和支配時(shí)會(huì)產(chǎn)生等離子體震蕩。
等離子體中參與表面反應(yīng)的活性種有激發(fā)態(tài)分子、離子、自由基及紫外輻射光子。對(duì)高分子材料表面的作用有刻蝕、斷鍵(鏈)、形成自由基及活性種與自由基復(fù)合從而引入新的官能團(tuán)或形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)。在等離子體處理過程中，隨不同的放電條件，往往以某種作用為主，幾種作用并存。等離子體處理的優(yōu)點(diǎn)是效果顯著、無污染?？赏ㄟ^改變不同的處理?xiàng)l件獲得不同的表面性能，應(yīng)用范圍廣，更為重要的是，處理效果只局限于表面而不會(huì)影響材料本體性能。
等離子體處理高分子材料表面過程中起重要作用的是電源功率、工作壓力和處理時(shí)間。電源功率可影響處理過程的時(shí)間；太高或太低的工作壓力都會(huì)導(dǎo)致不穩(wěn)定的等離子體，減小等離子體處理的有效率；處理過程時(shí)間長(zhǎng)會(huì)使得被處理表面更加活化，但是時(shí)間太長(zhǎng)會(huì)導(dǎo)致處理過度；太高的電源功率和太長(zhǎng)的處理時(shí)間將會(huì)影響等離子處理器容室內(nèi)的溫度。所以選擇合適的表面處理?xiàng)l件是非常重要的。
發(fā)明內(nèi)容
為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明提出了一種可大大提高細(xì)胞、細(xì)菌的吸附速度和吸附量、工藝簡(jiǎn)單、無污染的生物醫(yī)用高分子材料的表面處理技術(shù)。
本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的所述一種生物醫(yī)用高分子材料的表面處理技術(shù)是將成品的細(xì)胞培養(yǎng)容器放入等離子處理器中，在真空或負(fù)壓狀態(tài)下引入氧氣、氮?dú)饣蚱渌入x子體氣體，等離子發(fā)生器放電，在細(xì)胞培養(yǎng)容器內(nèi)表面形成等離子層；在處理過程中，其工藝條件為工作壓力50～900毫噸，電源功率100～500瓦，處理時(shí)間100～500秒。
所述生物醫(yī)用高分子材料的表面處理技術(shù)是將成品的細(xì)胞培養(yǎng)容器放入等離子處理器中，在真空狀態(tài)下引入氧氣、氮?dú)饣蚱渌入x子體氣體，等離子發(fā)生器放電，在細(xì)胞培養(yǎng)容器內(nèi)表面形成等離子層；在處理過程中，優(yōu)選工藝條件為工作壓力170毫噸，電源功率350瓦，處理時(shí)間300秒。
本發(fā)明采用氧氣、氮?dú)獾鹊入x子體氣體處理各類高分子材料(如PE、PP、PS、PVC)，等離子體覆蓋或?qū)⒏叻肿渔溄Y(jié)構(gòu)打亂而進(jìn)行重新排列，從而引入含氧、氮等基團(tuán)，高分子材料表面由疏水性轉(zhuǎn)變?yōu)橛H水性，改變了高分子材料的表面電位、表面能極性分量和色散分量以及表面微結(jié)構(gòu)，從而改善了高分子材料的生物相容性，大大提高了細(xì)胞、細(xì)菌的吸附速度和吸附量；由于選擇了合適的處理?xiàng)l件，增大了等離子體處理的有效率和合格率。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合具體實(shí)施例來對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。
實(shí)施例1本發(fā)明處理高分子材料制作的細(xì)胞培養(yǎng)容器的過程為將等離子體處理器的電源接通，設(shè)定工藝參數(shù)工作壓力為50毫噸，處理時(shí)間為100秒，電源功率為500瓦，接通氧氣和壓縮空氣，然后將預(yù)處理的細(xì)胞培養(yǎng)容器放入等離子體處理器中，對(duì)細(xì)胞培養(yǎng)容器的表面進(jìn)行處理。
實(shí)施例2本發(fā)明處理高分子材料制作的細(xì)胞培養(yǎng)容器的過程為將等離子體處理器的電源接通，設(shè)定工藝參數(shù)工作壓力為900毫噸，處理時(shí)間為500秒，電源功率為100瓦，接通氧氣和壓縮空氣，然后將預(yù)處理的細(xì)胞培養(yǎng)容器放入等離子體處理器中，對(duì)細(xì)胞培養(yǎng)容器的表面進(jìn)行處理。
實(shí)施例3本發(fā)明處理高分子材料制作的細(xì)胞培養(yǎng)容器的過程為將等離子體處理器的電源接通，設(shè)定工藝參數(shù)工作壓力為170毫噸，處理時(shí)間為300秒，電源功率為350瓦，接通氧氣和壓縮空氣，然后將預(yù)處理的細(xì)胞培養(yǎng)容器放入等離子體處理器中，對(duì)細(xì)胞培養(yǎng)容器的表面進(jìn)行處理。
權(quán)利要求
1.一種生物醫(yī)用高分子材料的表面處理技術(shù)，其特征在于所述表面處理技術(shù)是將成品的細(xì)胞培養(yǎng)容器放入等離子處理器中，在真空狀態(tài)下引入氧氣、氮?dú)饣蚱渌入x子氣體，等離子發(fā)生器放電，在細(xì)胞培養(yǎng)容器內(nèi)表面形成等離子層；在處理過程中，其工藝條件為工作壓力50～900毫噸，電源功率100～500瓦，處理時(shí)間100～500秒。
2.如權(quán)利要求1所述的一種生物醫(yī)用高分子材料的表面處理技術(shù)，其特征在于所述表面處理技術(shù)是將成品的細(xì)胞培養(yǎng)容器放入等離子處理器中，在真空狀態(tài)下引入氧氣、氮?dú)饣蚱渌入x子氣體，等離子發(fā)生器放電，在細(xì)胞培養(yǎng)容器內(nèi)表面形成等離子層；在處理過程中，優(yōu)選工藝條件為工作壓力170毫噸，電源功率350瓦，處理時(shí)間300秒。
全文摘要
本發(fā)明的一種生物醫(yī)用高分子材料的表面處理技術(shù)是將成品的細(xì)胞培養(yǎng)容器放入等離子處理器中，在真空或負(fù)壓狀態(tài)下引入氧氣、氮?dú)饣蚱渌入x子體氣體，選擇合適的處理工藝條件，然后等離子發(fā)生器放電，在細(xì)胞培養(yǎng)容器內(nèi)表面形成等離子層，從而改善高分子材料的生物相容性。本發(fā)明的生物醫(yī)用高分子材料表面處理技術(shù)工藝簡(jiǎn)單，無污染；選擇了合適的工藝條件，增大了等離子體處理的有效率和合格率；處理后的高分子材料表面大大提高了細(xì)胞、細(xì)菌的吸附速度和吸附量。
文檔編號(hào)C12M1/00GK101041724SQ20071002687
公開日2007年9月26日 申請(qǐng)日期2007年2月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月12日
發(fā)明者袁建華 申請(qǐng)人:袁建華