一種高電壓開(kāi)關(guān)柜熱效應(yīng)模擬方法的探討詳細(xì)資料由專(zhuān)業(yè)的低壓開(kāi)關(guān)柜、低壓配電柜、低壓配電箱報(bào)價(jià)廠(chǎng)家為您提供。

南瑞集團(tuán)公司(國(guó)家電網(wǎng)電力研究院)、江蘇南瑞帕維爾電氣有限公司、上海新新電氣有限公司的研究員李杜、丁永勝、蔣福樹(shù)在2017年第11期《電氣技術(shù)》上撰文指出，溫升是衡量開(kāi)關(guān)設(shè)備長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的重要因素之一。

以典型結(jié)構(gòu)KYN912出線(xiàn)柜為例，探討了高壓開(kāi)關(guān)柜熱效應(yīng)的仿真分析方法。首先，對(duì)機(jī)柜進(jìn)行有效簡(jiǎn)化，生成合理的有限元模型。然后，利用電磁仿真軟件對(duì)開(kāi)關(guān)柜的加熱功率進(jìn)行仿真分析。較后，通過(guò)穩(wěn)態(tài)熱分析獲得了開(kāi)關(guān)柜導(dǎo)體的溫度場(chǎng)數(shù)據(jù)。

實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)驗(yàn)證了簡(jiǎn)化開(kāi)關(guān)柜模型的合理性和熱模擬分析方法的正確性。開(kāi)關(guān)柜的模擬數(shù)據(jù)對(duì)其溫升的優(yōu)化設(shè)計(jì)具有指導(dǎo)意義。

隨著我國(guó)人民生活水平的不斷提高，人們對(duì)供電質(zhì)量和可靠性的要求越來(lái)越高。然而，隨著城市配電網(wǎng)規(guī)模的不斷擴(kuò)大，投入運(yùn)行的高壓開(kāi)關(guān)柜的數(shù)量也相應(yīng)增加，其運(yùn)行對(duì)電網(wǎng)的可靠性有很大影響。

斷路器導(dǎo)體部分的梅花觸頭結(jié)構(gòu)復(fù)雜。為了便于仿真計(jì)算，采用簡(jiǎn)單的軸對(duì)稱(chēng)零件代替梅花接觸模型。根據(jù)實(shí)際回路電阻、歐姆損耗分布、總體積、表面散熱面積等因素一致的原則，對(duì)軸對(duì)稱(chēng)零件進(jìn)行建模。

圖2和圖3分別示出了a相導(dǎo)體簡(jiǎn)化前后歐姆損耗的分布云圖。

圖2簡(jiǎn)化的正面歐姆損耗分布

圖3簡(jiǎn)化的歐姆損耗分布

將實(shí)驗(yàn)測(cè)量值與軟件模擬值進(jìn)行比較后，簡(jiǎn)化的開(kāi)關(guān)柜導(dǎo)體模型的回路電阻值與實(shí)際測(cè)量值基本一致。模型中相互接觸的導(dǎo)體根據(jù)理想的光滑平面接觸進(jìn)行簡(jiǎn)化。表1中的數(shù)據(jù)表明，簡(jiǎn)化的A相導(dǎo)體模型的回路電阻值與測(cè)量數(shù)據(jù)一致，誤差非常小。

表1相導(dǎo)線(xiàn)的電阻值

2.2開(kāi)關(guān)柜殼模型簡(jiǎn)化

裝配式結(jié)構(gòu)的開(kāi)關(guān)柜殼更復(fù)雜。在建立殼體模型時(shí)，忽略了緊固件，以及幾乎不影響發(fā)熱和散熱的小零件，如電線(xiàn)捆綁板、電線(xiàn)保護(hù)板、導(dǎo)軌、保護(hù)板等。忽略鈑金零件的安裝孔和折邊；并將門(mén)板簡(jiǎn)化成平板；將儀器室簡(jiǎn)化為一個(gè)立方體外殼。

機(jī)柜尺寸為2240毫米×800毫米×1500毫米(高×寬×深)。根據(jù)實(shí)際結(jié)構(gòu)尺寸建立的開(kāi)關(guān)柜殼模型如圖4所示。

圖4簡(jiǎn)化殼體模型

3開(kāi)關(guān)柜熱模擬分析

3.1 開(kāi)關(guān)柜熱源計(jì)算

使用Infolytica磁場(chǎng)分析模塊磁鐵的時(shí)間諧波場(chǎng)計(jì)算開(kāi)關(guān)柜模型的損耗。假設(shè)出線(xiàn)柜的額定電流為1250A，仿真時(shí)導(dǎo)體上施加的有效值電流為1.1×1250 A，頻率為50Hz，收斂誤差設(shè)置為1%。導(dǎo)體材料為銅，外殼材料為鋼，母線(xiàn)套管安裝板和電纜拼接板材料為鋁。

圖5和圖6分別是導(dǎo)體部分和殼體表面的歐姆損耗分布云圖。圖7是具有隱藏側(cè)板和頂板開(kāi)關(guān)柜的整體的歐姆損耗分布云圖。

圖5示出導(dǎo)體中的較大歐姆損耗功率在開(kāi)關(guān)柜的移動(dòng)觸點(diǎn)處。圖6和7示出了外殼上的歐姆損耗功率的大小與導(dǎo)體的位置相關(guān)，并且遠(yuǎn)離導(dǎo)體的位置具有較小的損耗。由于渦流的影響，母線(xiàn)套管安裝板和觸頭盒安裝板在殼體中具有較大的歐姆損耗功率。

圖5導(dǎo)體上的歐姆損耗

圖6外殼上的歐姆損耗

圖7 開(kāi)關(guān)柜總歐姆損耗

表2列出了通過(guò)電磁模擬分析獲得的開(kāi)關(guān)柜導(dǎo)體的總功率和外殼上的歐姆損耗。從表2中的數(shù)據(jù)可以看出，導(dǎo)體部分的總歐姆損耗功率約為392瓦，外殼的總歐姆損耗功率約為109瓦..外殼上的歐姆損耗約占出線(xiàn)柜總歐姆損耗的22%。

表2 開(kāi)關(guān)柜的歐姆損耗總功率

3.2 開(kāi)關(guān)柜導(dǎo)體溫度場(chǎng)模擬

對(duì)開(kāi)關(guān)柜導(dǎo)體模型進(jìn)行電磁分析后，將獲得的損耗數(shù)據(jù)導(dǎo)入熱網(wǎng)熱分析模塊，計(jì)算導(dǎo)體部分的穩(wěn)態(tài)溫升。

由于散熱環(huán)境不同，分支、動(dòng)、靜觸頭等部件的對(duì)流傳熱系數(shù)也不同。KYN 912出線(xiàn)柜無(wú)風(fēng)扇，內(nèi)部為自然對(duì)流換熱方式。其對(duì)流換熱系數(shù)可通過(guò)流體分析軟件計(jì)算。

環(huán)境溫度為22℃時(shí)三相傳導(dǎo)溫升模擬數(shù)據(jù)和溫度場(chǎng)測(cè)試數(shù)據(jù)見(jiàn)表3。表3中的數(shù)據(jù)表明，模擬數(shù)據(jù)與溫升試驗(yàn)數(shù)據(jù)吻合良好。模擬數(shù)據(jù)的較大誤差為3℃，位于a相的上支路

表3 開(kāi)關(guān)柜導(dǎo)體溫度

結(jié)論

1)介紹了通過(guò)簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)建立有限元仿真模型的方法。仿真模型中導(dǎo)體部分的電阻值與回路電阻分析儀測(cè)量值基本一致。

2)描述了開(kāi)關(guān)柜仿真模型的電磁場(chǎng)和溫度場(chǎng)間接耦合分析過(guò)程，給出了開(kāi)關(guān)柜損耗(即熱源)的分布和導(dǎo)體零件的溫升分布。溫升試驗(yàn)結(jié)果表明，模擬數(shù)據(jù)與試驗(yàn)數(shù)據(jù)基本一致。

3)流體分析軟件適用于局部構(gòu)件的精確流固耦合分析，以獲得各構(gòu)件的散熱系數(shù)。穩(wěn)態(tài)熱分析計(jì)算速度快，求解條件可根據(jù)各部件的散熱系數(shù)簡(jiǎn)單設(shè)定，適用于開(kāi)關(guān)柜等復(fù)雜組件整體溫度場(chǎng)的模擬分析。模擬分析得到的溫升結(jié)果對(duì)開(kāi)關(guān)柜的溫升優(yōu)化設(shè)計(jì)具有指導(dǎo)意義。

開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器-開(kāi)關(guān)電源的原理模擬和設(shè)計(jì)

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